碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅動器電源必須滿足這些寬帶隙半導體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應用中設計柵極驅動器電源時需要考慮的關鍵因素。 圖 1
2024-09-27 15:05:25
1353 
工程師對電磁干擾,并行化和布局非常熟悉,但是當從基于硅的芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時,需要多加注意。 芯片顯示,基于硅(Si)的半導體比寬帶隙(WBG)半導體具有十多年的領先優勢,主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:53
4300 
在所有其他參數相同的情況下,對于電子應用,寬帶隙(WBG)半導體優于窄帶半導體(如硅),因為導帶和價帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作。例如,與行業巨頭硅1.1eV的相對窄帶隙相比,氮化鎵(GaN)的帶隙為3.4eV。
2022-03-29 14:55:52
3341 
在過去幾年中,氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應用的半導體技術中顯示出巨大的潛力。與硅基半導體器件相比,氮化鎵是一種物理上堅硬且穩定的寬帶隙 (WBG) 半導體,具有更快的開關速度、更高的擊穿強度和高導熱性。
2022-07-29 10:52:00
2073 
功率轉換器中使用的半導體開關技術是改進的關鍵,而使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的新型寬帶隙(WBG) 類型有望取得重大進展。讓我們詳細研究一下這些優勢。
2022-07-29 08:07:58
617 
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預計這一趨勢將持續下去,從而實現新的市場、應用和產品。這篇博客向設計工程師介紹了意法半導體(ST)的電源解決方案如何采用寬帶隙(WBG)技術,幫助推動器件
2023-11-16 13:28:33
9930 
本人接觸質量工作時間很短,經驗不足,想了解一下,在半導體行業中,由于客戶端使用問題造成器件失效,失效率為多少時會接受客訴
2024-07-11 17:00:18
半導體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導體器件物理(胡正明)
2020-09-22 19:57:16
家電企業作為儲備技術。真正最多應用于家電的電機控制IC產品是MCU。來自家電行業的信息顯示,意法半導體(ST)、NEC、瑞薩半導體是家電電機控制的主要MCU產品提供商。
2019-06-21 07:45:46
本人小白,最近公司想上半導體器件的塑封生產線,主要是小型貼片器件封裝,例如sot系列。設備也不需要面面俱到,能進行小規模正常生產就行。哪位大神能告知所需設備的信息,以及這些設備的國內外生產廠家,在此先行感謝!
2022-01-22 12:26:47
寬帶隙器件的技術優勢實際應用中的寬帶隙功率轉換
2021-02-22 08:14:57
意法半導體擁有最先進的平面工藝,并且會隨著G4不斷改進:? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經驗…? 適用于汽車的高生產率
2023-09-08 06:33:00
半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料。與目前絕大多數的半導體材料相比,GaN 具有獨特的優勢:禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導率更高,使其成為最令人矚目的新型半導體材料之一。目前,GaN 基發光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
IHDF-1300AE-10是什么?主要應用于哪些領域?IHDF-1300AE-10器件規格是什么?
2021-07-09 07:03:19
最近手上好多半導體芯片職位,可是人都不知道去哪了,都沒什么人關注。請教:1. 對現在工作很滿意2. 形勢不好,不敢跳槽3. 不知道招聘信息4. 跳槽工資不吸引5. 其他你們心里是怎么想的?[此貼子已經被作者于2009-8-27 10:58:45編輯過]
2009-08-27 10:58:18
鎵和碳化硅的各種蝕刻劑,包括水性無機酸和堿溶液以及熔融鹽。濕法刻蝕在寬帶隙半導體技術中有多種應用,包括缺陷裝飾、通過產生特征凹坑或小丘識別極性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。對于氮化鎵
2021-10-14 11:48:31
使用這些納米線陣列,可以實現寬帶光捕獲。接觸電極,如氧化銦錫 (ITO)、銀和銅,對具有不同帶隙的半導體納米線太陽能電池器件的影響,重點是光吸收。雖然傳統的導電氧化物材料,如氧化銦錫 (ITO
2021-07-09 10:20:13
變換和電路控制,更是弱電控制與強電運行之間的溝通橋梁,主要作用是變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理,對設備正常運行起到關鍵作用。與此同時,功率半導體器件還具有綠色節能功能,被廣泛應用于幾乎所有的電子制造業
2019-02-26 17:04:37
滿足市場需求,使用硅的新器件年復一年地實現更大的功率密度和能效,已經越來越成為一個巨大的挑戰。從本質上講,芯片的演進已經接近其基礎物理極限。但是,為什么說寬帶隙半導體的表現已經超越了硅呢?
2019-07-30 07:27:44
1,半導體基礎2,PN節二極管3,BJT和其他結型器件4,場效應器件
2020-11-27 10:09:56
的鉗位感性負載電路。 一旦對半導體器件進行了表征,就需要對其進行評估。這同樣適用于WBG設備。為了評估用WBG半導體代替硅器件可能獲得的優勢,需要從系統級的角度進行評估。評估程序通常基于在連續和非連續
2023-02-21 16:01:16
說到功率轉換電子器件,每位設計師都希望用到損耗最小的完美半導體開關,而寬帶隙碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)器件通常被認為是接近完美的器件。不過,想要達到“完美”,只靠低損耗是遠遠不夠的。開關必須
2023-02-05 15:14:52
。目前,凱仕德離子風機,離子風棒,凱仕德空間離子棒具有很好的去除工業靜電的作用,已應用于大多數半導體生產中。
2023-12-12 17:18:54
,安森美半導體提供優質的全局快門系列產品,可捕獲快速移動的的對象,主要應用于掃碼的VGA、100萬像素及更高像素輸出,產品經市場驗證,質量、信用及技術水平都得到客戶的廣泛認可,目前占據超過40
2018-11-08 16:23:34
安森美半導體應用于物聯網的成像技術和方案分享
2021-05-31 07:07:32
(GaN)寬帶隙器件,助力開發先進、高能效的下一代電動車(EV)和混合動力電動車(HEV),實現更高的安全性、智能性和每次充電后更遠的續航里程。 此次安森美半導體與奧迪的全新合作將加快開發進程,打造自動駕駛系統和汽車功能電子化的全新性能,推進汽車領域的變革。
2018-10-11 14:33:43
安森美半導體電源方案部(PSG)加速了擴展分立器件、集成電路(IC)、模塊和驅動器產品陣容,針對汽車應用中的高電源能效方案。公司電源方案部的汽車認證的器件數現已超過4,000,是該行業中最大的供應商
2018-10-25 08:53:48
常用的功率半導體器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
能量轉換效率是一個重要的指標,各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎上再有所提升。為了實現這一提升,開始逐漸采用越來越復雜的轉換拓撲,如移相全橋(PSFB)和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代,寬帶隙(WBG)器件更是以其驚人的開關速度被譽為未來的半導體業明珠。
2020-10-29 07:12:23
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
半導體材料是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2019-06-27 06:18:41
在功率轉換應用中,使用碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的寬帶隙(WBG)半導體器件作為開關,能讓開關性能更接近理想狀態。相比硅MOSFET或IGBT,寬帶隙器件的靜態和動態損耗都更低。此外還有
2023-02-05 15:16:14
SiC功率器件的封裝技術要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料,與S
2009-11-19 08:48:43
2711 半導體器件,半導體器件的種類
半導體器件從肯有2個管腳的二極管到最新的系統LSI、超大功率器件均有廣泛的研究,且被廣泛地運用于手機、數碼家電產品
2010-03-01 17:25:02
6526 什么是寬帶隙半導體材料
氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料,因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上,在室溫下不可
2010-03-04 10:32:48
7717 安森美半導體是領先的功率器件半導體供應商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二極管、寬帶隙(WBG)等分立器件及智能功率模塊(IPM)等功率模塊,尤其在收購Fairchild半導體后
2017-05-16 16:43:39
6182 
2018年寬帶隙基準源半導體市場與技術發展趨勢
2018-02-06 14:41:13
5 正是由于帶隙,使得半導體具備開關電流的能力,以實現給定的電子功能;畢竟,晶體管僅僅是嵌入在硅基襯底上的微型開關。更高的能量帶隙賦予了WBG材料優于硅的半導體特性。 相較于硅器件,WBG器件可以在較小
2019-08-28 12:31:06
10332 
近日,為了促進寬帶隙(WBG)半導體技術的發展,IEEE電力電子學會(PELS)發布了寬帶隙功率半導體(ITRW)的國際技術路線圖。
2020-04-13 16:01:31
5686 寬帶隙(WBG)開關器件由于其高速度和高效率而得到應用,這種器件可減小功率轉換器的尺寸、重量和損耗。
2020-04-14 09:17:56
975 
碳化硅(SiC)是最成熟的WBG寬帶隙半導體材料, 它已經廣泛用于制造開關器件,例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵(GaN)具有作為功率器件半導體的潛力,并且在射頻應用中是對硅的重大改進。
2020-04-30 14:35:31
13407 尋找硅替代物的研究始于上個世紀的最后二十年,當時研究人員和大學已經對幾種寬帶隙材料進行了試驗,這些材料顯示出替代射頻,發光,傳感器和功率半導體的現有硅材料技術的巨大潛力。應用程序。在新世紀即將來臨
2021-04-01 14:10:19
2851 
半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。
2022-04-16 17:13:01
8317 寬帶隙 (WBG) 半導體器件的集成在多種技術應用中作為硅技術的替代品是一個不斷增長的市場,它可以提供效率和功率密度的改進,這對能源和成本節約有很大的影響 。WBG 具有顯著優勢,例如更高的開關頻率、更低的功率損耗和更高的功率密度。
2022-04-22 17:01:51
3058 
眾所周知,與硅相比,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 半導體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開關頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
2022-04-22 17:07:54
2830 
寬帶隙半導體具有許多特性,這些特性使其對高功率、高溫器件應用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕,即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HNO3/HCl和HF/HNO3的許多酸性溶液中
2022-07-06 16:00:21
3282 
寬帶隙 (WBG) 半導體,例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已經終結了硅在電力電子領域的主導地位。自硅問世以來,WBG 半導體被證明是電力電子行業最有前途的材料。與傳統的硅基技術相比
2022-07-27 15:11:44
2339 不久前,SiC和GaN器件的應用還被認為是困難的,但到了2018年,這些技術的優勢開始被應用到現實生活中。這項新技術成功背后的原因是什么? SiC 和 GaN 被稱為寬帶隙 (WBG) 半導體,因為
2022-07-28 16:45:55
1522 
了解半導體價帶和導帶的形成機制對于新材料生產的潛在技術影響至關重要。這項工作提出了一種寬帶隙計算模型,突出了理解能帶結構的理論困難,然后將其與實驗數據進行了比較。
2022-07-29 11:18:02
1883 
使用寬帶隙半導體的技術可以滿足當今行業所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是最近推出的寬帶隙
2022-07-29 08:06:46
2460 
寬帶隙 (WBG) 半導體極大地影響了使用它們的設備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導體價帶的最高占據態移動到導帶的最低未占據態所需的能量。
2022-07-29 15:10:45
2407 AspenCore 的?2021 年 PowerUP 博覽會?用一整天的時間介紹寬帶隙 (WBG) 半導體,特別是氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)。WBG 小組討論的重點是“下一波 GaN
2022-07-29 18:06:26
965 
近年來,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體受到了廣泛關注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復雜的電子產品。SiC 和 GaN 功率器件的采用現在是不可否認
2022-08-05 14:51:33
1182 
工程師熟悉電磁干擾、并聯和布局,但在從硅基芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時,需要多加注意。 據chip稱,硅(Si)基半導體比寬帶隙(WBG)半導體領先十年,主要是碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)仍
2022-08-05 14:30:09
1694 
對電子設備的需求激增正在推動半導體行業多個領域的增長。制造商通過使用非傳統產品和應用程序添加差異化服務來尋求競爭優勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙 (WBG) 半導體,由于一系列應用程序供應商的興趣激增,它經歷了更新。
2022-08-05 14:39:17
2175 寬帶隙半導體 (WBG),例如碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN),與硅相比具有更出色的性能:更高的效率和開關頻率、更高的工作溫度和工作電壓。EV 和 HEV 包括幾個功率轉換階段,累積功率損耗
2022-08-08 10:21:49
1457 
高溫和開關頻率下工作、低噪聲、低功率損耗和高效率。因此,WBG 半導體對于下一代太空出生系統的開發具有戰略意義。氮化鎵的增強型版本 (eGaN) 被廣泛用于空間應用的 FET 和 HEMT 的開發。 輻射對功率器件的影響 空間環境具有特定條件,會影響并在
2022-08-08 10:57:39
2037 
效率的替代品:碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。 這些高度創新的材料屬于寬帶隙 (WBG) 半導體系列。WBG 非凡的物理和電氣特性使這些材料非常適合滿足高頻電源應用的性能需求,包括極端功率和工作溫度以及對以緊湊外形實現更快、高效、
2022-08-08 10:16:49
1930 
對于寬帶隙功率半導體器件越來越重要,高壓電容-電壓 (CV) 測量可用于預測關鍵動態特性
2022-08-29 08:09:49
4163 
長期以來,硅基器件一直是半導體領域的基準標準。從 2007 年開始,由于摩爾定律的失敗,復合材料被開發出來,特別關注寬帶隙半導體,因為它們利用了重要的特性,與傳統的硅對應物(如電力電子)相比,它們可以實現具有卓越性能的器件。
2022-09-11 09:29:00
1064 
? ? ? ?寬帶隙半導體可實現高壓(10kv及以上)開關。因此,需要新的封裝解決方案來為此類設備奠定的基礎。金屬化陶瓷基板是一種眾所周知且成熟的技術,適用于高達3.3kv的電壓,但它在較高電壓
2022-09-19 16:29:54
1060 碳化硅(SiC)晶圓經常出現在新聞中,這一事實預示著這種寬帶隙(WBG)材料作為顛覆性半導體技術的證書,適用于更小、更輕、更高效的電力電子設備。
2022-12-15 11:08:18
1170 用于光電子和電子的寬帶隙和超寬帶隙半導體
2022-12-22 09:32:25
1652 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物,屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強,使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許
2022-12-30 13:57:49
1520 
WBG化合物半導體具有更高的電子遷移率和更高的帶隙能量,因此其財產優于硅。由WBG化合物半導體制成的晶體管具有較高的擊穿電壓和耐高溫性。這些器件在高電壓和高功率應用中比硅具有優勢。
2023-02-05 11:53:32
1886 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。在帶隙寬度中,硅為1.1eV,SiC為3.3eV,GaN為3.4eV,因此寬帶隙半導體具有更高的擊穿電壓,在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:34
2594 隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉向非常規半導體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙(與常用的硅相比),寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命,這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
2023-02-05 14:25:15
1764 寬帶隙半導體是一種具有寬帶隙的半導體材料,其特性是具有較寬的能帶隙,可以吸收和發射更多的光子,從而提高半導體器件的效率。它廣泛應用于太陽能電池、激光器件、光電子器件等領域。
2023-02-16 15:07:08
2519 寬帶隙半導體材料(如SiC)與更傳統的半導體材料(如Si)相比具有許多優勢。考慮帶隙隨著溫度升高而縮小的事實:如果我們從寬帶隙開始,那么溫度升高對功能的影響要小得多。由于SiC具有寬帶隙,因此它可以在更高的溫度下繼續工作,通常高達400°C。
2023-05-24 11:13:48
3185 在功率轉換應用中,使用碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的寬帶隙(WBG)半導體器件作為開關,能讓開關性能更接近理想狀態。相比硅MOSFET或IGBT,寬帶隙器件的靜態和動態損耗都更低。此外還有
2023-07-11 09:20:02
1235 電子發燒友網站提供《用于高密度和高效率電源設計的意法半導體WBG解決方案.pdf》資料免費下載
2023-08-01 16:54:17
0 碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料家族。
2023-08-12 11:46:08
2065 調查結果顯示,SiC、GaN(氮化鎵)等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件,市場正在穩步擴大。
2023-09-04 15:13:24
1214 
之間的關系,對于半導體材料的電學和光學性質都有著非常大的影響。同時,帶隙也是半導體材料被廣泛應用于電子器件和光電子器件中的原因之一。 在介紹電壓型的帶隙和電流型的帶隙的區別之前,我們需要先了解一下半導體材料的基本概
2023-09-20 17:41:21
4470 直接帶隙和間接帶隙的區別與特點? 半導體材料是廣泛應用于電子器件制造和光電子技術中的重要材料之一。在研究半導體材料性質時,經常要關注材料的電子能帶結構,其中直接帶隙和間接帶隙是兩種常見的帶隙類型
2023-09-20 17:41:24
24951 寬帶隙 (WBG) 半導體在電源轉換方面具備幾個優勢,如功率密度和效率更高,同時可通過允許使用更小無源元器件的高頻開關,減少系統尺寸和重量。這些優勢在航空航天和衛星動力系統中可能更加重要,因為尺寸
2023-09-20 20:10:02
1357 
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢,以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗,開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成電路
2023-09-21 17:09:32
1612 
SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝,WBG 設備顯示出以下優點:
2023-10-09 14:24:36
7167 
功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時柵極電阻選型注意事項
2023-11-23 16:56:32
1420 
新的寬帶隙半導體技術提高了功率轉換效率
2023-11-30 18:00:18
1076 
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢,以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗,開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大,造成電路
2023-11-27 09:16:27
1082 
解決方案(火車、飛機和輪船)。為了控制溫室氣體 (GHG) 排放并減緩全球變暖,我們需要既能最大限度提高效率,又能減少環境影響的解決方案。 寬帶隙 (WBG) 半導體具備多種特性,使得其對交通運輸應用具有很大吸引力。使用這些半導體可以打造更高效、更快速、更輕巧的汽車,
2024-02-13 16:38:00
1902 
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料,與傳統的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。
2024-03-19 11:12:26
1179 寬帶隙 (WBG) 半導體需要具有更低的寄生電感和電容的封裝。為了實現這一目標,提出了新的包裝解決方案,以增加集成度。
2024-03-25 10:01:37
1473 
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發揮越來越重要的作用。與傳統硅(Si)設備相比,它們具有更高的效率、功率密度和開關頻率等主要優勢。離子注入是在硅器件
2024-04-29 11:49:53
2875 
制造商努力降低電動汽車成本,高效和可持續的電源轉換系統對于滿足日益增長的需求和電力要求至關重要。為此,采用寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN
2024-06-27 11:45:15
1314 
全球領先的半導體制造商Nexperia今日宣布將投入高達2億美元(折合約1.84億歐元)的資金,以顯著擴大其位于德國漢堡工廠的寬帶隙(WBG)半導體研究、開發及生產能力。此次投資的核心聚焦于下一代
2024-07-15 17:02:37
882 
種需求則由轉換器的功率要求和工作頻率決定。因此,提高轉換器的工作頻率可以減少能量存儲元件的體積,這直接影響到轉換器的總體積、功率密度和成本。通過使用寬帶隙(WBG
2024-10-11 11:19:16
1077 
電力半導體正在顯著影響下一代網絡的發展。寬帶隙(WBG)半導體材料在電信系統中的集成正在成為支持和增強5G基礎設施的戰略解決方案。在連接性方面,WBG半導體相較于傳統硅設備具有顯著優勢,使其成為
2024-10-29 10:52:54
910 
近日,全球領先的半導體公司Nexperia宣布與知名汽車供應商科世達(KOSTAL)建立戰略合作伙伴關系。這一合作將專注于開發和生產符合汽車行業嚴格規范的寬帶隙(WBG)電力電子器件,特別是針對
2024-11-06 11:58:53
1053 
隨著科技的不斷進步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統的硅(Si)材料在某些應用中已經接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領域。碳化硅(SiC)作為一種寬帶隙(WBG)半導體材料,因其卓越的電學
2024-11-25 16:30:08
2707 功率電子技術的快速發展,得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導率和更快的開關速度。這些特性使得功率
2025-04-23 11:36:00
780 
評論