基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V SiC 肖特基二極管滿足工業(yè)級器件標準，可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關(guān)模式電源、AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎(chǔ)設施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數(shù)據(jù)中心，配備采用 Nexperia PSC1065K SiC 肖特基二極管設計電源的數(shù)據(jù)中心將更加符合嚴格的能源效率標準。

PSC1065K 具備不受溫度影響的電容開關(guān)和零恢復性能，提供先進的性能以及出色的品質(zhì)因數(shù)（QC x VF）。其突出的開關(guān)性能幾乎不受電流和開關(guān)速度變化的影響。PSC1065K 的合并 PIN 肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)還具備其他優(yōu)勢，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護電路。這些特性可顯著降低系統(tǒng)復雜性，使硬件設計人員能夠在耐用（找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城）型高功率應用中，以更小的外形尺寸實現(xiàn)更高的效率。Nexperia（安世半導體）作為一系列高質(zhì)量半導體技術(shù)產(chǎn)品的供應商，聲譽良好，值得設計人員信賴。

這款 SiC 肖特基二極管采用真 2 引腳（R2P）TO-220-2 通孔電源塑料封裝。其他封裝選項包括表面貼裝（DPAK R2P 和 D2PAK R2P）和采用真 2 引腳配置的通孔（TO-247-2）封裝，可在高達 175℃ 的高壓應用中增強可靠性。

Nexperia SiC 產(chǎn)品組高級總監(jiān) Katrin Feurle 表示：

在當前可用的解決方案中，我們提供的高性能 SiC 肖特基二極管表現(xiàn)優(yōu)異，對此我們倍感自豪。隨著人們的能源意識日漸增強，我們正致力于為市場帶來更多選擇和便利性，以滿足市場對高容量、高效率應用顯著增加的需求。

審核編輯 黃宇