碳化硅肖特基二極管:NDSH20120C-F155的技術(shù)剖析
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155,深入探討它的特性、參數(shù)和應(yīng)用。
文件下載:onsemi NDSH20120C-F155碳化硅肖特基二極管.pdf
碳化硅肖特基二極管的技術(shù)優(yōu)勢
碳化硅肖特基二極管采用了全新技術(shù),與傳統(tǒng)硅二極管相比,具有卓越的開關(guān)性能和更高的可靠性。它沒有反向恢復(fù)電流,開關(guān)特性不受溫度影響,并且具備出色的熱性能,這些特點使碳化硅成為下一代功率半導(dǎo)體的首選材料。使用碳化硅肖特基二極管的系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度,同時降低電磁干擾(EMI),減小系統(tǒng)尺寸和成本。

NDSH20120C - F155的特點
電氣特性
- 最大結(jié)溫:可達175°C,這使得它能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應(yīng)各種惡劣的工業(yè)和汽車應(yīng)用場景。
- 雪崩額定能量:為166 mJ,能夠承受單次脈沖雪崩能量,增強了器件的可靠性和穩(wěn)定性。
- 高浪涌電流能力:可以應(yīng)對瞬間的高電流沖擊,保證系統(tǒng)在異常情況下的安全運行。
- 正溫度系數(shù):便于多個二極管并聯(lián)使用,提高系統(tǒng)的功率處理能力。
- 無反向恢復(fù)和正向恢復(fù):減少了開關(guān)損耗,提高了系統(tǒng)效率。
- 環(huán)保特性:該器件無鹵素、無溴化阻燃劑(BFR),符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
應(yīng)用領(lǐng)域
適用于通用開關(guān)電源(SMPS)、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)以及功率開關(guān)電路等領(lǐng)域。這些應(yīng)用場景對二極管的性能和可靠性要求較高,NDSH20120C - F155能夠很好地滿足這些需求。
關(guān)鍵參數(shù)解讀
絕對最大額定值
| 符號 | 參數(shù) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| VRRM | 重復(fù)峰值反向電壓 | 1200 | V |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 166 | mJ |
| IF | 連續(xù)整流正向電流(Tc < 149°C) | 20 | A |
| 連續(xù)整流正向電流(Tc < 135°C) | 26 | A | |
| lF.Max | 非重復(fù)峰值正向浪涌電流(Tc = 25°C,10 μs) | 896 | A |
| 非重復(fù)峰值正向浪涌電流(Tc = 150°C,10 μs) | 854 | A | |
| IF.SM | 非重復(fù)正向浪涌電流(半正弦脈沖,tp = 8.3 ms) | 119 | A |
| IF.RM | 重復(fù)正向浪涌電流(半正弦脈沖,tp = 8.3 ms) | 40 | A |
| Ptot | 功率耗散(Tc = 25°C) | 214 | W |
| 功率耗散(Tc = 150°C) | 35 | W | |
| TJ, TSTG | 工作和存儲溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
這些參數(shù)定義了器件在正常工作和極端情況下的性能極限。例如,重復(fù)峰值反向電壓為1200 V,意味著該二極管能夠承受高達1200 V的反向電壓而不被擊穿。而單脈沖雪崩能量為166 mJ,表明它在承受瞬間高能量沖擊時具有一定的可靠性。
熱特性
| 符號 | 參數(shù) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| RaJC | 結(jié)到外殼的熱阻(最大) | 0.7 | °C/W |
| RBJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻(最大) | 40 | °C/W |
熱阻是衡量器件散熱性能的重要指標(biāo)。結(jié)到外殼的熱阻越小,說明器件內(nèi)部產(chǎn)生的熱量能夠更有效地傳遞到外殼,進而散發(fā)到周圍環(huán)境中。這對于保證器件在高功率運行時的穩(wěn)定性至關(guān)重要。
電氣特性
| 符號 | 參數(shù) | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VF | 正向電壓 | IF = 20 A,TJ = 25°C | 1.38 | 1.75 | V | |
| IF = 20 A,TJ = 125°C | 1.64 | V | ||||
| IF = 20 A,TJ = 175°C | 1.87 | V | ||||
| IR | 反向電流 | VR = 1200 V,T = 25°C | 2.06 | 200 | μA | |
| VR = 1200 V,T = 125°C | 6.25 | 200 | μA | |||
| VR = 1200 V,TJ = 175°C | 15.7 | 200 | μA | |||
| Qc | 總電容電荷 | V = 800 V | 100 | nC | ||
| C | 總電容 | VR = 1 V,f = 100 kHz | 1480 | pF | ||
| VR = 400 V,f = 100 kHz | 82 | pF | ||||
| VR = 800 V,f = 100 kHz | 58 | pF |
正向電壓和反向電流是二極管的重要電氣參數(shù)。正向電壓越低,說明二極管在導(dǎo)通時的損耗越小;反向電流越小,說明二極管在反向偏置時的泄漏電流越小,能夠更好地阻止電流反向流動。
典型特性曲線
文檔中還給出了一系列典型特性曲線,包括正向特性、反向特性、電流降額、功率降額、電容電荷與反向電壓關(guān)系以及電容與反向電壓關(guān)系等曲線。這些曲線直觀地展示了二極管在不同工作條件下的性能變化,對于工程師進行電路設(shè)計和優(yōu)化具有重要的參考價值。
機械尺寸和封裝信息
該二極管采用TO - 247 - 2LD封裝,文檔詳細給出了封裝的機械尺寸和公差信息。在進行PCB設(shè)計時,這些尺寸信息是非常關(guān)鍵的,能夠確保二極管正確安裝在電路板上,同時避免與其他元件發(fā)生干涉。
總結(jié)
NDSH20120C - F155碳化硅肖特基二極管憑借其卓越的性能和環(huán)保特性,在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為電子工程師,我們在設(shè)計電路時,需要充分考慮二極管的各項參數(shù)和特性,結(jié)合具體的應(yīng)用場景進行合理選擇。大家在實際應(yīng)用中有沒有遇到過類似二極管的選型問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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