解析博通HSD9 - B170平面表面貼裝光電二極管 在電子設備不斷發展的今天，光電二極管作為一種基礎且關鍵的元件，廣泛應用于各種領域。今天就來詳細探討博通公司推出的HSD9 - B170平面表面貼
2025-12-30 15:30:22
77 二極管正逐漸取代傳統硅二極管，成為工程師的重要選擇。一、為什么高頻電源越來越依賴SiC肖特基二極管?與傳統硅快恢復二極管相比，SiC肖特基二極管在物理材料層面就具
2025-12-29 10:05:21265 
LSIC2SD065D40CC是一款耐壓650V，每路20A的碳化硅肖特基勢壘二極管。它采用TO - 263 - 2L封裝，這種封裝形式在實際應用中較為常見，方便
2025-12-15 16:10:20273 、1200 V的碳化硅肖特基二極管NDSH40120CDN，包括其技術特點、性能參數、典型特性以及封裝尺寸等方面，為電子工程師在電源設計中提供有價值的參考。
2025-12-05 10:52:49341 
作為電子工程師，我們在電源設計領域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現，為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
在電力電子領域，不斷追求更高的效率、更快的開關速度和更小的系統尺寸，碳化硅（SiC）肖特基二極管正逐漸成為新一代功率半導體的首選。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NDSH20120CDN 碳化硅肖特基二極管，了解其特點、性能參數以及應用場景。
2025-12-01 16:01:54189 
在電力電子領域，碳化硅（SiC）肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155，深入探討它的特性、參數和應用。
2025-12-01 15:55:06207 
在電源設計領域，器件的性能直接影響著整個系統的效率、可靠性和成本。今天，我們要深入探討的是安森美（onsemi）的碳化硅（SiC）肖特基二極管NDSH30120CDN，這款器件以其卓越的性能，為電源設計帶來了全新的解決方案。
2025-12-01 15:44:46218 
在電子工程領域，功率半導體器件的性能對于整個系統的效率、可靠性和成本起著至關重要的作用。今天，我們將深入探討 onsemi 的 NDSH30120C-F155 碳化硅（SiC）肖特基二極管，看看它如何憑借先進的技術和出色的特性，為各類應用帶來新的突破。
2025-12-01 15:40:35211 
在當今電子設備不斷追求高性能、高可靠性和小型化的時代，功率半導體器件的性能提升至關重要。碳化硅（SiC）肖特基二極管作為新一代功率半導體，憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應用領域的首選。今天，我們就來深入探討 onsemi 的 NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管。
2025-11-28 14:15:39205 在電子電路設計中，肖特基二極管作為高頻、低功耗應用的理想選擇，其選型至關重要。德昌推出的SOD-123封裝肖特基二極管系列，憑借其低正向壓降、快速反向恢復時間和高可靠性，廣泛應用于電源管理、高頻
2025-11-25 16:55:43689 
三安（Sanan）所推出的 SDS120J020C2 碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），憑借其出類拔萃的性能參數以及高度可靠的品質，正日益成為工業電源、汽車電子等高端應用市場的上佳之選。 一、 核心技術解析：為何選擇碳化硅？ SDS120J020C2是一款基于
2025-11-17 10:44:06337 肖特基勢壘二極管（SiC SBD），它憑借卓越的性能參數和前沿的技術特性，成為了工業電源、太陽能逆變器、電動汽車充電樁等前沿應用領域的理想選擇。 核心動力：深度解析關鍵性能參數 SDS120J010C3的設計旨在應對嚴苛的高壓、大電流環境，其核心參數是其卓越性
2025-11-17 10:42:32182 Semiconductor）順應時代潮流，推出了其第三代碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC SBD）的旗艦產品—— SDS065J020G3 。這款產品憑借其卓越的性能參數、前沿的技術特性和極具競爭力的市場策略，正成為工業電源、新能源等高端應用領域的理想選擇。 核心技術優勢
2025-11-12 17:04:23580 
的SDS065J004C3，正是這樣一款面向未來需求的碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC SBD），它憑借優異的性能，在工業電源、太陽能逆變器、電動汽車充電樁等多個關鍵領域展現出強大的應用潛力。 核心參數解析：構建穩定高效的基礎 SDS065J004C3的
2025-11-12 16:01:56240 SB10100L TO-277肖特基二極管，電流：10A 100V
2025-11-01 17:42:35
0 SS5200F SMAF肖特基二極管，電流：5A 200V
2025-11-01 17:12:010 SS56F SMAF肖特基二極管，電流：5A 60V
2025-11-01 16:32:030 SS54F SMAF肖特基二極管，電流：5A 40V
2025-11-01 16:25:040 SS3200F SMAF肖特基二極管，電流：3A 200V
2025-11-01 16:24:220 SS3150F SMAF肖特基二極管，電流：3A 150V
2025-11-01 16:23:460 SS310F SMAF肖特基二極管，電流：3A 100V
2025-11-01 16:22:410 SS36F SMAF肖特基二極管，電流：3A 60V
2025-11-01 16:18:170 SS34F SMAF肖特基二極管，電流：3A 40V
2025-11-01 16:17:420 SS310FL SMAF正向低壓降肖特基二極管，電流：3A 100V
2025-11-01 16:17:040 SS36FL SMAF正向低壓降肖特基二極管，電流：3A 60V
2025-11-01 16:16:340 SS34FL SMAF正向低壓降肖特基二極管，電流：3A 40V
2025-11-01 16:15:320 SS210F SMAF肖特基二極管，電流：2A 100V
2025-10-31 17:36:361 SS16F SMAF肖特基二極管，電流：1A 60V
2025-10-31 15:36:470 SS14F SMAF肖特基二極管，電流：1A 40V
2025-10-30 18:07:040 SS12F SMAF肖特基二極管，電流：1A 20V
2025-10-30 17:55:030 SS310L SMA正向低壓降肖特基二極管，電流：3A 100V
2025-10-30 16:22:150 SS36L SMA正向低壓降肖特基二極管，電流：3A 60V
2025-10-30 16:14:220 SS34L SMA正向低壓降肖特基二極管，電流：3A 40V
2025-10-29 18:09:360 SS5150 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 150V
2025-10-29 16:47:550 SS54 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 40V
2025-10-28 17:52:220 SS52 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：5A 20V
2025-10-28 17:49:040 SS3200 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 200V
2025-10-28 17:22:260 SS3150 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 150V
2025-10-28 16:51:540 SS36 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 60V
2025-10-28 16:46:280 SS310 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 100V
2025-10-28 16:44:420 SS34 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：3A 40V
2025-10-28 16:43:510 SS32 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 20V
2025-10-28 16:41:370 SS2150 SMA/DO-214AC肖特基二極管，電流：2A 150V
2025-10-24 18:21:440 二極管。盡管如此，設計人員仍需要進一步提升器件效率。 利用碳化硅器件實現這一目標有兩種途徑：一是降低漏電流，二是減少因熱阻引起的損耗。盡管實現這些目標具有挑戰性，但合并引腳肖特基 (MPS) 二極管提供了一種解決方案。MPS 器件還能提高肖特基二極管的浪涌電流性能。 本文將介紹 S
2025-10-01 15:18:301748 
： 在普通PN結二極管中，電流導通需要克服P區和N區接觸形成的內建電勢差（勢壘）。硅材料PN結的這個勢壘高度通常在0.7V左右，因此需要大約0.7V的電壓才能讓二極管開始顯著導通（開啟電壓）。 肖特基二極管是金屬（如鉬、鈦、鉑）與N型半導體直接接
2025-09-22 16:40:132422 
肖特基二極管憑借低正向導通壓降（V_F）與短反向恢復時間（t_rr），成為降低電路功耗的關鍵器件。 星海SSxx系列肖特基二極管技術解析：四大封裝的參數特性與場景適配。 該系列采用N型外延硅襯底與高
2025-09-17 14:21:332325 由此可知，肖特基二極管和整流二極管是互補的二極管。肖特基憑借其超低正向壓降和超快開關速度在低壓、高頻、高效率領域占據主導地位。整流二極管則憑借其高反向電壓、低反向漏電流和低成本在高壓和工頻整流應用中
2025-08-22 17:14:101540 
等。
PFR20200CT 封裝：TO-220AB
PFR20200CTF 封裝：TO-220F
PFR20200CTI 封裝：TO-262
PFR20200CTB 封裝 ：T0-263
PFR20200CTF肖特基二極管TO-220F封裝200V20A 產品供應
2025-08-20 14:53:50
第三代半導體碳化硅功率器件領軍企業森國科推出的碳化硅二極管 KS10065（650V/10A），針對不同場景的散熱、空間及絕緣要求，提供7種封裝形態，靈活覆蓋車規、工業電源、消費電子三大領域。通過
2025-08-16 15:55:442377 
新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二極管1200VCoolSiC1200V肖特基二極管采用TO-247-2封裝，可實現高效緊湊設計，具有增強的魯棒性和可靠性。該產品通過了雪崩測試驗證，電流等級高達
2025-08-07 17:06:13833 
新品EconoDUAL3IGBT71700V900A半橋模塊帶EC8二極管通過EconoDUAL3TRENCHSTOPIGBT71700V半橋模塊實現可再生能源轉換效率最大化，助力脫碳進程產品型號
2025-08-04 18:10:291907 在功率電子領域，碳化硅(SiC)技術正逐步取代傳統硅基器件。作為寬禁帶半導體的代表，SiC二極管憑借其物理特性在多方面實現了性能突破。寬禁帶半導體材料碳禁帶寬度(SiC：3.2eVvsSi
2025-07-21 09:57:571245 
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2025-07-18 18:34:21
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2025-07-17 18:32:15
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2025-07-17 18:31:22
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2025-07-17 18:30:54
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2025-07-17 18:29:59
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2025-07-15 18:32:18
近日，知名半導體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產品的推出旨在滿足日益增長的工業電源應用需求，特別是在超低功率損耗整流方面。這一創新不僅將
2025-07-15 09:58:39918 
電子發燒友網為你提供()硅無光束肖特基二極管 - 成對和四成對相關產品參數、數據手冊，更有硅無光束肖特基二極管 - 成對和四成對的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，硅無光束肖特基二極管
2025-07-14 18:33:30
電子發燒友網為你提供()零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管相關產品參數、數據手冊，更有零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管真值表，零偏置硅肖特基勢壘探測器二極管管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-14 18:33:02
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布，在其持續壯大的功率電子器件產品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J
2025-07-11 17:06:07912 Wolfspeed 推出新型頂部散熱（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優化熱管理并節約能耗 Wolfspeed 正在擴展其行業領先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立
2025-07-09 10:50:321361 
肖特基二極管
結構：金屬和半導體的“夾心餅干”
肖特基二極管的結構超級簡單，就兩層：
金屬層：比如用金、銀、鋁等（常用的是鉑或鎢）。
半導體層（N型）：比如硅，里面摻了雜質，多出一堆自由電子。
這倆
2025-06-12 14:15:12
碳化硅逆變焊機輸出整流應用的革新之選：國內首發400V SiC肖特基二極管B3D120040HC深度解析 引言：碳化硅技術引領焊機高效化浪潮 隨著電力電子技術向高頻化、高效化邁進，碳化硅（SiC
2025-05-23 06:07:53539 
、工業控制等領域。作為國內分立器件的領軍企業，合科泰電子通過材料創新與工藝優化，將肖特基二極管的性能推向新高度。
2025-05-20 10:48:571085 Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產品組合，推出五款高性能、低品質因數 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
2025-05-12 16:06:34897 PI的超快速Qspeed H系列二極管現可達到650V以及高達30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業界最低的硅二極管反向恢復電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品，可提供與其相當的效率和電壓降額性能，同時具有硅二極管的價格優勢和供應保證。
2025-03-27 13:46:55862 
新品CoolSiC肖特基二極管G510-80A2000V，TO-247-2封裝CoolSiC肖特基二極管10-80A2000VG5系列現在也采用TO-247-2封裝。在高達1500V的高直流母線系統
2025-03-25 17:04:241009 使用反向并聯的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進展。SiC
2025-03-20 11:16:591046 
、開關二極管、快速恢復二極管等；接構類型來分，又可分為半導體結型二極管，金屬半導體接觸二極管等；按照封裝形式則可分為常規封裝二極管、特殊封裝二極管等。下面以用途為例，介紹不同種類二極管的特性。
2025-03-08 16:39:09
的封裝首先我們的清楚二極管的類型有一下幾種1、普通二極管2、快恢復二極管3、超快恢復二極管4、肖特基二極管優缺點:1、普通二極管的特性都是單一導通，是一個用 P
2025-03-04 14:02:490 P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過了 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行等特性，正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04899 
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO-220I - 2 封裝。通過 AEC - Q101認證，具備超快速開關、零反向恢復電流、可高頻運行、正向電壓正溫度系數、高
2025-02-28 17:52:15811 
SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 通過 AEC-Q101 認證 TO-220-2 封裝 超快速開關 零反向恢復電流 高頻運行 正向
2025-02-28 17:21:08850 
碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 通過 AEC-Q101 認證 超快速開關 TO-252-2 封裝 零反向恢復電流 高頻運行 正向電壓具有正溫度系數 高浪涌電
2025-02-28 17:12:48792 
器件能力的企業之所以面臨被淘汰的風險，主要源于以下多維度原因： ? ? 1. 碳化硅二極管技術門檻低導致市場同質化與價格戰 碳化硅二極管（如肖特基二極管）技術相對成熟，結構簡單，進入門檻較低。國內眾多企業涌入這一領域，導致產能過剩
2025-02-28 10:34:31752 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 通過 AEC-Q101 認證 超快速開關 TO-263-2 封裝 零反向恢復電流 高頻運行 正向電壓具有正溫度系
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標準。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06713 
/DC轉換器等，滿足多種電子設備的電源轉換需求。 *附件：SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度
2025-02-27 17:32:44805 
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf
2025-02-27 17:11:28674 
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性
2025-02-26 18:01:16854 
開關、零反向恢復電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、100% 經過 UIS測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性
2025-02-26 17:40:46774 
、正向電壓正溫度系數、高浪涌電流、全隔離封裝便于直接散熱以及 100% UIS 測試等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合
2025-02-26 17:25:48806 
的電源轉換需求。 *附件：SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流
2025-02-26 17:07:13727 
SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻
2025-02-26 16:54:52783 
：SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻操作 正向電壓
2025-02-25 18:13:42813 
：SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特性 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻操作
2025-02-25 17:44:07772 
SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數據手冊.pdf 特點 符合 AEC-Q101 標準 超快開關速度 零反向恢復電流 適用于高頻操作 正向電壓具有正
2025-02-25 17:03:23871 
P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101、RoHS標準，無鹵。具備超快速開關、零反向恢復電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30888 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標準，無鹵且符合RoHS標準。產品具備超快速開關、零反向恢復
2025-02-25 15:44:15791 
在電力電子和開關電源設計中，快恢復二極管和肖特基二極管是兩類高頻應用中的核心器件。盡管兩者均用于整流和開關場景，但其工作原理、性能特點及適用場景存在顯著差異。一、結構差異快恢復二極管（FRD）結構
2025-02-24 15:37:561812 
電子發燒友網站提供《PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應用.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:21:320 電子發燒友網站提供《PSC1065H-Q SiC肖特基二極管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 15:11:340 電子發燒友網站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-12 16:09:580 電子發燒友網站提供《RB751V45通用肖特基二極管規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-09 11:47:130 ?為什么BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管全面取代FRD快恢復二極管 在科技政策與法規的推動下，半導體行業正經歷一場深刻的變革。隨著對高效能、低能耗電子設備需求的不斷增長，BASiC基本公司
2025-02-06 11:51:051085 
肖特基二極管(Schottky diode)， 肖特基二極管的物理結構基于金屬- N 型半導體結，因而具有很低的正向壓降和極快的開關速度。
2025-01-24 15:54:441146 
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