2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研發及產業化的國內第三代半導體行業領軍企業基本半導體宣布完成數億元人民幣B輪融資，由聞泰科技領投，深圳市投控資本、民和資本、屹唐長厚、四海新材料等機構跟投，原股東力合資本追加投資。

據透露，本輪融資基于基本半導體發展戰略規劃，引入了對第三代半導體的研發、制造和市場環節具有重要價值的戰略投資方。所融資金將主要用于加強碳化硅器件的核心技術研發、重點市場拓展和制造基地建設，特別是車規級碳化硅功率模塊的研發和量產。

基本半導體成立于2016年，核心研發團隊成員包括來自清華大學、劍橋大學、瑞典皇家理工學院、中國科學院等國內外知名高校和研究機構的十多位博士，覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、晶圓制造、器件封測、驅動應用等產業鏈關鍵環節。公司當前核心產品包括碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET、車規級全碳化硅功率模塊、功率器件驅動器等，產品性能達到國際先進水平。

以碳化硅為代表的第三代半導體材料具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優異特性，備受行業關注，市場前景十分廣闊。據國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員介紹，國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃均已明確第三代半導體為重要發展方向。而國家“新基建”戰略覆蓋的5G基建、特高壓、城際高鐵和城際軌道交通、新能源汽車充電樁、大數據中心、工業互聯網都是碳化硅的重要應用領域。

雖然碳化硅產業發展前景可觀，但當前碳化硅產業仍處于發展初期，碳化硅技術還不夠成熟，發展之路面臨不少阻礙，比如碳化硅材料市場供不應求，晶圓的良率和成本、電氣性能和產品性能等存在一些問題。同時，全球新冠疫情和國際貿易沖突也給第三代半導體產業供應鏈帶來了巨大沖擊。

從國內市場來看，進口品牌憑借先發優勢，壟斷了國內碳化硅功率器件大部分市場。近些年國產品牌逐步崛起，基本半導體憑借技術優勢及產業布局，依靠持續的研發投入和產品迭代，不斷提升產品性能，其碳化硅功率器件技術在國內處于領先地位。

基本半導體碳化硅MOSFET在國內率先通過工業級可靠性測試，量產時間已超兩年。2020年推出的第二代高性能碳化硅肖特基二極管芯片、DFN8*8封裝和內絕緣型碳化硅肖特基二極管產品，貼近市場應用需求，可幫助客戶縮短產品開發周期、提升系統效率、增強產品核心競爭力。

新能源汽車是碳化硅功率器件未來最為重要的市場之一。針對該領域，基本半導體推出多種封裝的1200V/3mΩ汽車級全碳化硅模塊及相應的驅動器。多款碳化硅功率器件已順利通過了國家新能源汽車技術創新中心“國產自主車規半導體測試認證”項目的吐魯番極限高溫測試及海拉爾極限低溫測試。

“產品的質量及可靠性一直是基本半導體重點關注的問題。”基本半導總經理和巍巍博士介紹到，目前公司碳化硅肖特基二極管產品已通過AEC-Q101汽車電子可靠性認證。其

全系碳化硅分立器件、模塊產品分別依據AEC-Q101、AQG-324標準進行可靠性測試，產品從設計到驗證遵循汽車行業標準，打造車規級質量水平。

通過不斷完善碳化硅芯片設計、晶圓制造、器件封測的產業鏈布局，基本半導體逐步形成國內、國外兩條完整產業鏈的雙循環模式，實現對關鍵環節的自主可控，有效降低生產成本、提高產品性能、保障供應鏈安全。公司主要面向B端用戶，直銷與經銷相結合，已在新能源汽車、新能源發電、高效電源、軌道交通等領域與眾多行業標桿客戶展開合作，產品銷量增長迅猛，市場份額持續提升。

2020年底，基本半導體位于深圳坪山的第三代半導體產業基地開工建設，預計2022年投產，是深圳市2020年重大項目之一；南京制造基地已于2020年3月開工建設，預計2021年投產，主要進行碳化硅外延片的工藝研發和制造；位于日本名古屋的車規級碳化硅功率模塊研發中心也已開始運營。

對于未來發展，和巍巍表示：基本半導體將繼續吸納優秀人才，加大研發投入，完善產品體系，加速產業鏈布局，推動國產碳化硅功率器件在各行業的廣泛應用。基本半導體將以更積極的發展戰略邁向新征程，全力打造行業領先的碳化硅IDM企業。