電子發燒友網報道 近日消息，臺積電計劃在嘉義科學園區先進封裝二期和南部科學園區三期各建設兩座先進封裝廠。這4座新廠的建成，將顯著提升臺積電在先進封裝領域的產能，進一步鞏固其在全球半導體產業鏈中的核心地位。

臺積電在季度法人說明會上透露，先進封裝業務在2025年已貢獻約一成的企業營收，且未來增速預計將超過公司整體平均水平。在資本支出方面，先進封裝、掩膜制造及其他項目將合計占到臺積電今年整體資本開銷的10%至20%。考慮到臺積電下一代前端先進制程產能預計在2027年至2029年間大規模上線，此次提前擴充后端先進封裝產能，有助于實現前后端產能的協調與同步，保障企業在芯片制造產業鏈的高效運作。

隨著AI技術的迅猛發展，對芯片性能的要求日益嚴苛。傳統封裝技術已難以滿足AI芯片對高性能、低功耗和高集成度的需求。在此背景下，先進封裝技術應運而生，成為提升AI芯片性能的關鍵手段。

先進封裝技術通過2.5D封裝、3D封裝、扇出型封裝以及異質集成封裝等方式，實現了芯片內部組件的高密度集成和高效互連。這不僅顯著提升了AI芯片的性能和功耗比，還推動了AI芯片的小型化和集成化，為自動駕駛、智能家居、醫療健康等物聯網領域提供了強有力的支持。

以HBM（高帶寬內存）為例，其本質上是一種高度依賴3D堆疊與先進封裝工藝的產品。無論是TSV（硅通孔）、微凸點，還是與GPU、加速器的近距離互連，封裝環節都已從“成本中心”轉變為決定性能、良率與交付節奏的關鍵變量。

臺積電作為全球半導體制造的龍頭，在先進封裝領域擁有深厚的技術積淀和強大的產能掌控力。目前，臺積電已在CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）、SoIC（System on Integrated Chips）等先進封裝技術上取得了顯著進展。

CoWoS技術通過硅中介層實現芯片間的高速數據傳輸，顯著提高了芯片的集成度和性能。臺積電預計，到2026年底，每月的CoWoS晶圓產能將達到約12.5萬片，較2024年底的2.6-2.8萬片/月翻了一倍多。這一產能的擴張，將有效緩解當前AI芯片供應緊張的局面。

SoIC技術則專注于實現高密度的芯片垂直堆疊，進一步減小了芯片的形狀系數和互連電容，提高了功率效率。臺積電正在逐步增加SoIC的產能，預計到2026年底，每月的SoIC產能將達到約2萬片晶圓。此外，臺積電還在開發CoPoS（Chip-on-Package-on-Substrate）技術，旨在提升封裝面積利用率、生產效率并降低成本。

除了技術層面的突破，臺積電還在組織架構上進行了重大調整。公司計劃任命首位先進封裝“總廠廠長”，實現旗下所有先進封裝廠區的統籌管理。

臺積電投資建設4座先進封裝設施，是其應對AI時代挑戰、鞏固行業領先地位的重要舉措。