近日，有關臺積電放緩日本芯片制造設施投資的傳聞引發業界關注。據《華爾街日報》援引知情人士消息，臺積電因加快美國亞利桑那州 Fab 21 工廠建設，而放緩其在日本的芯片制造設施投資，此舉或為應對美國政府可能對中國臺灣地區生產芯片征收關稅的風險。然而，臺積電在回應 Tom's Hardware 詢問時明確表示，其在美國亞利桑那州的重大投資計劃，不會影響其在日本和德國的芯片制造工廠計劃。

臺積電發言人強調，公司不對市場傳聞發表評論，其全球制造擴張戰略基于客戶需求、商業機會、運營效率、政府支持程度以及成本經濟考量。此前有傳聞稱，臺積電將放緩其在日本熊本附近的 Fab 23 二期（JASM 二期）以及德國德累斯頓附近的 Fab 24 一期（ESMC 一期）的支出，以便優先將資金投入亞利桑那州的 Fab 21 工廠，并加快 Fab 21 二期的設備安裝進度。本周早些時候，亦有消息稱臺積電計劃在 2027 年提前數個季度啟用具備 N3 工藝能力的 Fab 21 二期，而德國和日本的項目則被推遲。

事實上，盡管計劃可能會發生變化，但這些變化并非總是相互關聯的，尤其是考慮到這些項目處于不同階段，以及臺積電龐大的資本支出預算（320 億至 420 億美元）和大規模產能擴張計劃。今年早些時候，臺積電已確認將加快臺積電亞利桑那州 Fab 21 二期的量產啟動時間，以滿足客戶需求，計劃將原定于 2028 年的量產啟動日期提前數個季度，預計可能在 2027 年。目前，Fab 21 工廠已達到 “封頂里程碑”，正在安裝各種機械、電氣、管道、空氣過濾、空調及其他系統，該項目的下一階段將是安裝實際的半導體生產設備，這是每個工廠項目中最具資本密集性（成本最高）的階段。臺積電首席執行官兼董事長魏哲家在 2025 年第一季度財報電話會議中表示：“我們第二個工廠的建設已經完成，該工廠將使用 3 納米工藝技術，我們正在加快量產進度，以滿足客戶對人工智能相關需求的強烈增長。” 此外，臺積電計劃在 2025 年晚些時候開始建設 Fab 21 三期和四期的廠房，并計劃在本十年后半葉投產。魏哲家表示：“我們的第三和第四個工廠將使用 N2 和 A16 工藝技術，預計在獲得所有必要許可后，將于今年晚些時候開始建設。”

反觀臺積電在日本的布局，其第一個工廠 ——Fab 23 一期已于 2024 年 12 月底開始大規模生產芯片。公司原計劃今年早些時候開始建設 Fab 23 二期，但由于當地基礎設施不足，進度推遲。魏哲家在與分析師和投資者的電話會議中表示：“我們第二個專業工廠的建設預計將于今年晚些時候開始，具體取決于當地基礎設施的準備情況。” 日本政府代表雖表示未收到臺積電直接以當地交通為由的溝通，并對該理由表示懷疑，但仍相信該工廠的生產時間表和產量目標將基本保持不變。因此，除非公司資金不足，否則沒有理由為了加快另一個項目而放慢這一階段的進度，而臺積電顯然不存在資金問題。

同樣的情況也適用于臺積電在德國的項目 —— 與博世、英飛凌和恩智浦合作的 Fab 24 項目，預計將于 2027 年底投產。到目前為止，公司尚未正式開始建造廠房，但建造工廠建筑的成本低于設備安裝成本，因此臺積電不太可能因在美國的大規模投資項目而推遲 Fab 24 的建設。臺積電始終強調，其工廠的上線時間是基于客戶需求的，美國項目的擴張不會影響其在其他國家的計劃。

來源：半導體芯科技

審核編輯 黃宇