dram知識

• SRAM與DRAM的結(jié)構(gòu)差異和特性區(qū)別

  在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天，SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件

  2025-12-02 標(biāo)簽： DRAM sram 461 0

• DRAM動態(tài)隨機存取器的解決方案特點

  在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計算機外設(shè)、通信及消費電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機存取存儲器作

  2025-12-01 標(biāo)簽： DRAM 120 0

• DRAM和SRAM、SDRAM相比有什么特點？

  DRAM利用電容存儲數(shù)據(jù)，由于電容存在漏電現(xiàn)象，必須通過周期性刷新來維持?jǐn)?shù)據(jù)。此外，DRAM采用行列地址復(fù)用設(shè)計，提高了

  2025-11-18 標(biāo)簽： DRAM SDRAM 存儲器 310 0

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  存儲芯片（煥發(fā)生機）

  01產(chǎn)業(yè)鏈全景圖02存儲芯片定義存儲芯片也叫半導(dǎo)體存儲器，是電子設(shè)備里負(fù)責(zé)存數(shù)據(jù)、讀數(shù)據(jù)的關(guān)鍵零件。半導(dǎo)體產(chǎn)品主要有四大

  2025-11-17 標(biāo)簽： DRAM 存儲芯片 2259 0

• PSRAM融合SRAM與DRAM優(yōu)勢的存儲解決方案

  PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控

  2025-11-11 標(biāo)簽： DRAM 存儲 sram 402 0

• 瀾起科技推出支持9200 MT/s速率的DDR5時鐘驅(qū)動器(CKD)芯片

  瀾起科技今日正式推出新一代DDR5時鐘驅(qū)動器(CKD)芯片，該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，可有效優(yōu)化客

  2025-11-10 標(biāo)簽： DRAM 瀾起科技 時鐘驅(qū)動器 67841 0

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  內(nèi)存價格漲幅超過黃金！ 怎么搞的？

  近期內(nèi)存市場的漲勢令人震驚。行業(yè)分析報告顯示，2025年第三季度DRAM合約價格同比上漲高達171.8%，這一數(shù)字甚至超

  2025-11-06 標(biāo)簽： 嵌入式 DRAM 內(nèi)存 2515 0

• 多家存儲封測廠商開始計劃漲價 DRAM最高上調(diào)30%，NAND上調(diào)5%-10%

  AI來勢兇猛，整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與之共振，對存儲需求呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性上漲特征，我們看到存儲上市企業(yè)正陸續(xù)發(fā)布2025年第三季度財報

  2025-11-04 標(biāo)簽： DRAM NAND 存儲 2702 0

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  AI時代，如何用服務(wù)器存儲如何升級？

  相對于HBM、GDDR和DRAM，企業(yè)級SSD優(yōu)勢在于彌補了數(shù)據(jù)供給速度與計算速度之間的巨大鴻溝，特別是全新的CPU、G

  2025-11-03 標(biāo)簽： DRAM 固態(tài)硬盤 HBM 1402 0

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  ?CDC2536 鎖相環(huán)時鐘驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)?

  CDC2536是一款高性能、低偏斜、低抖動的時鐘驅(qū)動器。它使用鎖相環(huán) （PLL） 將時鐘輸出信號在頻率和相位上精確對齊到

  2025-09-24 標(biāo)簽： 鎖相環(huán) DRAM pll 580 0

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