季提前備貨，帶動(dòng)DRAM供應(yīng)商第三季的銷售位元出貨量(sales bit)大增，連帶推升DRAM總產(chǎn)值成長(zhǎng)4%，結(jié)束連續(xù)三季下滑。展望第四季，盡管第三季基期已高，三大DRAM原廠仍預(yù)期在服務(wù)器及手機(jī)需求的帶動(dòng)下，出貨量有望維持成長(zhǎng)。 觀察各廠第三季營(yíng)收表現(xiàn)，三星受惠于中
2019-11-24 03:04:00
3327 明顯優(yōu)于2019年。 威剛董事長(zhǎng)陳立白就指出，估計(jì)2020下半年起存儲(chǔ)新增供應(yīng)不足，產(chǎn)能排擠效益將更為明顯，產(chǎn)業(yè)景氣伺機(jī)向上態(tài)勢(shì)已大致底定。 受惠于DRAM及NAND Flash價(jià)格回升，威剛2019年第四季合并營(yíng)收季增9.5％達(dá)71.10億元（新臺(tái)幣，下同），與2018年同期相較成長(zhǎng)4.2％，
2020-01-15 09:36:015552 美超微推出一款基于高容量服務(wù)器全面拓展存儲(chǔ)解決方案。該服務(wù)器支持HDD熱拔插，采用創(chuàng)新型4U解決方案，可使類似容量提升50%，功耗降低60%，提供多達(dá)288TB存儲(chǔ)容量。
2013-05-13 11:50:111969 在移動(dòng)裝置的帶動(dòng)之下，閃存市場(chǎng)成長(zhǎng)快速，根據(jù)IHS iSuppli研究指出，由于手機(jī)、游戲控制面板和混合存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品市場(chǎng)擴(kuò)大，NAND Flash在經(jīng)過2012上半年的挑戰(zhàn)后，今年將會(huì)有兩位數(shù)
2013-07-12 09:43:171042 NAND Flash存儲(chǔ)器在移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用市場(chǎng)的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計(jì)資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲(chǔ)存服務(wù)影響，第三季智能手機(jī)與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲(chǔ)器的需求已開始減少。
2013-11-26 11:16:171709 
根據(jù)IHS公司表示，受惠于智能手機(jī)與平板電腦等移動(dòng)裝置銷售強(qiáng)勁的帶動(dòng)，2013年全球處理器出貨量將較2012年大幅成長(zhǎng)24%，達(dá)到15億片的市場(chǎng)規(guī)模。
2013-12-04 10:15:361151 
受惠于全球智能手機(jī)的持續(xù)熱銷，DRAM產(chǎn)業(yè)在過去的一年獲利頗豐，TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange預(yù)估 2015年的DRAM總產(chǎn)值將達(dá)512億美元規(guī)模，年成長(zhǎng)為12%，為市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng)獲利的一年。
2015-06-17 09:54:252135 受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:129182 
根據(jù)CINNO Research從存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈業(yè)者所掌握到的消息，除了DRAM供給端產(chǎn)出成長(zhǎng)持續(xù)有限外，主要受惠于第二季智能型手機(jī)備貨需求開始增溫以及服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心建置持續(xù)暢旺。
2018-05-05 09:48:445495 
71.1億元，較前一季成長(zhǎng)9.51%；全年?duì)I收達(dá)255.82億元，年減18.65%。 展望第1季，威剛表示，在上游庫(kù)存壓力減弱、市場(chǎng)需求提前布局下，第1季NAND Flash價(jià)格穩(wěn)健向上態(tài)勢(shì)不變，DRAM
2020-01-08 08:08:003453 據(jù)MoneyDJ報(bào)道，存儲(chǔ)器大廠美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，今年DRAM產(chǎn)業(yè)將受惠5G帶動(dòng)相關(guān)應(yīng)用，加上車用快速回溫，DRAM將供不應(yīng)求，目前部分DRAM產(chǎn)品價(jià)格已上漲，市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求程度將有增無減，供需緊張的情況將延續(xù)好幾年。
2021-01-29 09:08:552335 針對(duì)“美光近日中國(guó)區(qū)業(yè)務(wù)調(diào)整”一事，美光正式回應(yīng)CFM閃存市場(chǎng)： 鑒于移動(dòng) NAND 產(chǎn)品在市場(chǎng)持續(xù)疲軟的財(cái)務(wù)表現(xiàn)，以及相較于其他 NAND 機(jī)會(huì)增長(zhǎng)放緩，我們將在全球范圍內(nèi)停止未來移動(dòng) NAND
2025-08-12 13:39:302945 器（Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器），不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
理，相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。 DRAM存儲(chǔ)原理 DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來實(shí)現(xiàn)
2020-12-10 15:49:11
`這幾年以來，國(guó)內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動(dòng)DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點(diǎn)。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴(kuò)張
2018-10-12 14:46:09
的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場(chǎng)的大部分。NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于
2020-11-19 09:09:58
景。
內(nèi)存卡在近年來的發(fā)展主要集中在提高容量和讀寫速度上。例如，現(xiàn)在市場(chǎng)上已經(jīng)出現(xiàn)了容量達(dá)到1TB的MicroSD卡，讀寫速度也不斷提高，以滿足用戶對(duì)存儲(chǔ)容量和速度的需求。
同時(shí)，一些新型內(nèi)存卡如
2024-05-21 17:13:18
技術(shù)的日趨成熟,存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)回穩(wěn).然而就DRAM市場(chǎng)來說,誰也不知道DRAM的供貨何時(shí)才會(huì)穩(wěn)定下來.再來看市場(chǎng)需求狀況,雖然有些存儲(chǔ)器市場(chǎng)分段的市場(chǎng)需求正在增長(zhǎng),但是這些分段的增長(zhǎng)幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側(cè).
2019-07-16 08:50:19
作為一個(gè)技術(shù)支持工程師，每天遇到客戶不同的技術(shù)問題，其中有些客戶測(cè)量高容量MLCC時(shí)，往往未能獲得規(guī)格書上列明的標(biāo)稱電容量，直覺是壞料或是買錯(cuò)貨。再三仔細(xì)查問他們的測(cè)量過程時(shí)，原來忽略了這些……
2019-08-12 08:28:25
，主要有兩種存儲(chǔ)芯片：NOR Flash和NAND Flash。對(duì)于大容量需求，通常會(huì)選擇NAND Flash。然而，使用NAND Flash會(huì)引發(fā)一些問題：
NAND Flash存在壞塊，需要壞塊
2024-01-24 18:30:00
。電信市場(chǎng)也可望出現(xiàn)年復(fù)合成長(zhǎng)率9%的大幅成長(zhǎng)，并于2022年達(dá)到34%的占有率。 2014年亞太地區(qū)的FPGA市場(chǎng)估值已超過20億美元，主要受惠于印度、中國(guó)、日本和韓國(guó)的消費(fèi)電子、工業(yè)和汽車領(lǐng)域
2017-06-13 09:50:26
價(jià)格迅速下跌。IC Insights預(yù)測(cè)，隨著更多的產(chǎn)能上線，供應(yīng)限制開始緩解，DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)將會(huì)降溫。值得一提的是，據(jù)報(bào)道，三星和SK海力士已推遲了部分?jǐn)U張計(jì)劃，原因是預(yù)計(jì)客戶需求將出現(xiàn)疲軟，更有
2018-10-18 17:05:17
了《“十四五”機(jī)器人產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，規(guī)劃明確指出，到2025年我國(guó)將成為全球機(jī)器人技術(shù)創(chuàng)新策源地、高端制造集聚地和集成應(yīng)用新高地。作為工業(yè)機(jī)器人核心控制器件，MCU等控制芯片必將受惠于工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)
2023-02-16 14:11:04
們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時(shí)間，數(shù)據(jù)會(huì)丟失，因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。具體的工作過程是這樣的：一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0
2015-11-04 10:09:56
以下原因：WiFi無線局域網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)數(shù)量持續(xù)攀升，進(jìn)而帶動(dòng)在現(xiàn)有WLAN網(wǎng)絡(luò)中建設(shè)語音功能的需求。WiFi手機(jī)市場(chǎng)的成長(zhǎng)將具有爆發(fā)性和敏感，有可能深刻地影響到現(xiàn)在還在營(yíng)運(yùn)的固話及移動(dòng)通信公司的業(yè)務(wù)。而
2019-07-16 08:20:44
的第二代的Z-NAND技術(shù)，兼具低延遲和高性能優(yōu)勢(shì)，而且降低了成本，給不同細(xì)分市場(chǎng)、不同容量需求的應(yīng)用領(lǐng)域提供SSD解決方案，在移動(dòng)存儲(chǔ)方面，裵容徹先生預(yù)計(jì)在2019年UFS將會(huì)占到整個(gè)市場(chǎng)20%以上
2018-09-20 17:57:05
。隨著帶有控制器功能的存儲(chǔ)器需求不斷擴(kuò)大，東芝已經(jīng)采取行動(dòng)使其在這個(gè)不斷擴(kuò)大的市場(chǎng)上占領(lǐng)領(lǐng)先地位，東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
2008-08-14 11:31:20
與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲(chǔ)的高性價(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲(chǔ)裝置。
2019-09-03 07:22:10
容量選擇：目前量產(chǎn)的SD NAND容量有128MB、512MB，未來還將推出更高容量的產(chǎn)品，如4GB甚至32GB，滿足不同需求。
-成本優(yōu)勢(shì)：與傳統(tǒng)大容量eMMC/TF卡相比，SD NAND具有更優(yōu)
2024-12-06 11:22:41
、引導(dǎo)代碼、操作系統(tǒng)（在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、汽車電子、工控設(shè)備中），需要直接執(zhí)行代碼的場(chǎng)景。不是大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)主力。
4. 關(guān)鍵特性對(duì)比表
特性
DRAM
SRAM
NAND Flash
NOR
2025-06-24 09:09:39
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
` 本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-21 16:58 編輯
觀點(diǎn)：雖然固態(tài)硬盤(SSD)受市場(chǎng)疲軟的影響，導(dǎo)致價(jià)格在一定程度上有所下降，但價(jià)格的下滑也帶動(dòng)消費(fèi)者的需求，因而SSD市場(chǎng)
2012-09-21 16:56:59
再度風(fēng)生水起、漲勢(shì)不斷，然而好景象并沒有如期延續(xù)，各家大廠競(jìng)相強(qiáng)化投資規(guī)模，3DNAND Flash新增產(chǎn)能支持，市場(chǎng)需求卻成長(zhǎng)平緩，這也加速了2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌。 受到
2021-07-13 06:38:27
NAND Flash驅(qū)動(dòng)，但是應(yīng)用又需要更大容量的存儲(chǔ)1Gb，2Gb，4Gb，8Gb等。 高速小容量存儲(chǔ)芯片，且要自帶壞塊管理，能適用于各種單片機(jī)的SDIO接口，滿足更多客戶的需求。 這個(gè)時(shí)候我們
2019-09-25 15:46:34
隨著移動(dòng)電話向著具有豐富媒體功能的無線平臺(tái)發(fā)展，對(duì)功率預(yù)算的控制是開發(fā)的重點(diǎn)。降低存儲(chǔ)器的功耗可以顯著延長(zhǎng)移動(dòng)電話的電池壽命。為了降低存儲(chǔ)器的功耗，業(yè)界使用了兩種不同的基于DRAM的存儲(chǔ)器架構(gòu)：本地
2009-10-08 15:53:49
程轉(zhuǎn)換不易，服務(wù)器等需求依然暢旺，Mobile DRAM的裝載量持續(xù)擴(kuò)大，都給2018年DRAM的商機(jī)帶來足夠的支撐。3D NAND的多層化，既是進(jìn)入障礙也是商機(jī)的來源，但非存儲(chǔ)器的商機(jī)仍然占了半導(dǎo)體市場(chǎng)
2018-12-24 14:28:00
3D NAND的制程轉(zhuǎn)換及新產(chǎn)能布建，在DRAM的投資則全數(shù)集中在1X奈米的制程微縮，并無任何新產(chǎn)能。也因此，雖然第二季是傳統(tǒng)淡季，但因DRAM制程由20奈米微縮到1X奈米時(shí)遇到瓶頸，市場(chǎng)供給仍有吃緊
2017-06-13 15:03:01
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
高容量功率繼電器
2009-11-20 17:38:09
19 DRAM市場(chǎng)觸底，Q3出貨成長(zhǎng)有望超過30%
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research 指出，2008年下半在全球金融海嘯沖擊下，終端消費(fèi)市場(chǎng)需求快速萎縮，造成DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)報(bào)價(jià)在這半年
2009-08-17 09:47:14521 智能存儲(chǔ)控制芯片—新一代高容量SIM 卡的“芯”
一、 社會(huì)信息化發(fā)展對(duì)智能存儲(chǔ)產(chǎn)品的需求 隨著移動(dòng)通信技術(shù)的飛速發(fā)展，
2009-12-21 08:57:441492 移動(dòng)硬盤的存儲(chǔ)容量 移動(dòng)硬盤以硬盤為存儲(chǔ)介制，因此其存儲(chǔ)容量就是其內(nèi)部硬盤的存儲(chǔ)容量。移動(dòng)硬盤存
2010-01-09 14:38:561786 亞洲芯片廠商將受益于外包需求增長(zhǎng)
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由于全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇推動(dòng)需求增長(zhǎng)，而許多芯片公司由于價(jià)格壓力和投資障礙無法建設(shè)單獨(dú)的芯片工廠，亞洲外
2010-02-24 10:27:52759 美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量閃存產(chǎn)品組合，其將在未來延長(zhǎng)數(shù)年NAND產(chǎn)品的生命周期。通過在
2010-12-08 09:34:13876 SDHC是“High Capacity SD Memory Card”的縮寫，即“高容量SD存儲(chǔ)卡”,在其中規(guī)定SDHC是符合新的規(guī)范、且容量大于2GB小于等于32GB的SD卡。
2011-02-17 11:59:581876 2013年之后，存儲(chǔ)器與邏輯芯片的支出將趨于一致，2014年可望有顯著成長(zhǎng)，2015年亦將有持平或微幅成長(zhǎng)之表現(xiàn)。而受惠于移動(dòng)裝置市場(chǎng)的蓬勃，2012年邏輯芯片的支出系資本投資唯一呈正
2012-12-24 08:14:24733 TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，受惠于智能型手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，2016年第三季NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%，營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。
2016-12-08 11:31:15829 
TrendForce 旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告顯示，由于市況供過于求，第二季 DRAM 的平均銷售單價(jià)持續(xù)下滑，整體均價(jià)季跌幅超過 5%。然而，受惠于美光 20 納米
2017-01-04 16:41:11651 在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash內(nèi)存平均銷售價(jià)格（ASP）正穩(wěn)健走揚(yáng)，研究機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，此將有助推升2017年內(nèi)存市場(chǎng)銷售規(guī)模，預(yù)估整體產(chǎn)值可達(dá)853億美元新高紀(jì)錄，較2016年成長(zhǎng)10%；2020年更可望首度攀至千億美元大關(guān)。
2017-01-06 10:35:122157 
中國(guó)，2017年9月11日-存儲(chǔ)解決方案提供商-西部數(shù)據(jù)公司（NASDAQ： WDC） 日前宣布推出400GB閃迪至尊高速移動(dòng)?microSDXC? UHS-I卡，為高容量移動(dòng)設(shè)備專用
2017-09-11 19:26:521533 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 性能以外，還需要更高容量的儲(chǔ)存，才足以支持5G、人工智能(AI)、擴(kuò)增實(shí)境(AR)、高解析視訊等以數(shù)據(jù)為導(dǎo)向的新一代應(yīng)用。以往容量僅16GB、32GB的智能手機(jī)已無法滿足當(dāng)前的移動(dòng)應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲(chǔ)器(flash)的進(jìn)展鋪路。
2018-06-07 07:44:001021 
隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起，對(duì)于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加。 目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無法長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；NAND Flash能保存數(shù)據(jù)， 但讀寫速度不佳。
2018-06-22 11:40:0012610 隨物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代來臨，數(shù)據(jù)中心、高速傳輸?shù)?G受重視，研調(diào)單位指出，協(xié)助運(yùn)算處理的DRAM與資訊儲(chǔ)存的NAND Flash等需求也持續(xù)增溫，南亞科（2408）日前表示，今年DRAM市場(chǎng)仍供不應(yīng)求，帶動(dòng)存儲(chǔ)器族群行情向上，旺宏（2337）在權(quán)證市場(chǎng)同受關(guān)注，昨（29）日登上成交金額之首。
2018-06-22 15:45:001644 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:001193 NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5123827 存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 臺(tái)系LED廠光磊受惠穿戴、汽車等利基市場(chǎng)需求成長(zhǎng)帶動(dòng)，帶動(dòng)今年感測(cè)元件產(chǎn)能滿載，預(yù)計(jì)今年將擴(kuò)產(chǎn)兩成，以支應(yīng)訂單需求，第3季新產(chǎn)能可望加入生產(chǎn)行列，挹注下半年業(yè)績(jī)動(dòng)能。
2018-06-01 17:57:001903 隨著上游NAND Flash原廠的64層3D NAND產(chǎn)能持續(xù)開出，且被大量應(yīng)用在SSD產(chǎn)品線，今年以來高容量SSD價(jià)格持續(xù)下滑，6月中旬主流的240GB TLC SSD現(xiàn)貨價(jià)已降至40～43美元
2018-06-26 15:39:494535 
下游需求結(jié)構(gòu)來看，手機(jī)、服務(wù)器、PC三大應(yīng)用消耗了絕大部分存儲(chǔ)器芯片。主流存儲(chǔ)器市場(chǎng)以DRAM及NANDFlash為主，立基型存儲(chǔ)器則以EEPROM、小容量DRAM、NorFlash、SLCNAND
2018-07-27 17:17:372948 東芝宣布已經(jīng)進(jìn)行開發(fā)擁有當(dāng)前最高容量的閃存芯片原型，單顆芯片就能有著 1.33Tb（或 166GB）的容量??這是利用他們的 96 層 QLC 3D NAND 技術(shù)，對(duì)比現(xiàn)在主流的 TLC 只有
2018-08-13 17:27:004269 2017年Q4成長(zhǎng)14%，SanDisk是該市場(chǎng)市占率最大者，Strontium與三星電子（Samsung Electronics）緊追在后；CMR表示，盡管內(nèi)建存儲(chǔ)器的智能型手機(jī)銷售也大漲，但Micro SD存儲(chǔ)卡仍有大幅成長(zhǎng)。
2018-08-22 16:49:011122 Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代，帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí)，加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車追趕國(guó)際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:267373 據(jù)日媒指出，三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814 韓國(guó)存儲(chǔ)器廠 SK 海力士受惠于 DRAM 價(jià)格大漲，以及市況持續(xù)暢旺，去年第四季凈利幾乎翻兩倍。
2018-12-28 14:40:541160 
三星在手機(jī)市場(chǎng)遭遇一定挫折，不過由于全球手機(jī)的出貨量成長(zhǎng)以及對(duì)更大容量的內(nèi)存和存儲(chǔ)的需求卻讓它在NAND Flash市場(chǎng)成為大贏家，據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營(yíng)收同比增長(zhǎng)20.6%，市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。
2018-12-29 14:47:391184 與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲(chǔ)的高性價(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲(chǔ)裝置。
2019-04-28 08:48:401034 
將年減29.3%，整體NAND Flash業(yè)績(jī)則將較去年下滑27.3%，不過，兩者均將在明年恢復(fù)正成長(zhǎng)。
展望存儲(chǔ)器后市，吳雅婷表示，今年無論DRAM、NAND Flash均供過于求，導(dǎo)致價(jià)格
2019-06-06 16:36:373382 作為非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，Macronix推出了一系列eMMC存儲(chǔ)器，以滿足高容量存儲(chǔ)和高可靠性應(yīng)用的需求。通過將閃存設(shè)計(jì)和管理方面的多年經(jīng)驗(yàn)與先進(jìn)的內(nèi)部NAND閃存制造技術(shù)相結(jié)合
2020-06-30 10:13:03666 
受惠DRAM及NAND Flash合約價(jià)在7月底與8月底分別落底反彈，存儲(chǔ)器模組廠威剛科技營(yíng)運(yùn)持續(xù)升溫，8月合并營(yíng)收較7月成長(zhǎng)14.04%，達(dá)新臺(tái)幣23.52億元。
2019-09-06 14:43:103146 為了應(yīng)對(duì)QLC和SMR這兩種高容量存儲(chǔ)盤面臨的寫入限制挑戰(zhàn)，不能停留在介質(zhì)本身，而是要看整個(gè)數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)架構(gòu)，因此西部數(shù)據(jù)提出了一個(gè)開源的標(biāo)準(zhǔn)化的分區(qū)存儲(chǔ)技術(shù)。
2019-09-26 17:10:011110 IC Insights 表示，2020 年預(yù)測(cè)成長(zhǎng)最快 IC 產(chǎn)品中，NAND flash 排第一、DRAM 排第三。 今年這兩項(xiàng)商品的市場(chǎng)崩盤，2019 年 NAND flash 銷售重挫 27
2019-12-06 10:36:40799 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-20 15:18:463856 12 月 22 日訊，據(jù)韓媒報(bào)道，市場(chǎng)研究公司預(yù)測(cè)，基于固態(tài)硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2019-12-23 14:13:44976 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111，是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:194475 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:192373 DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2552915 
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:085421 
將從下滑中復(fù)蘇，并且有可能實(shí)現(xiàn)小幅增長(zhǎng)。 根據(jù)集邦咨詢的最新調(diào)查，與 NAND 閃存市場(chǎng)相比，DRAM 市場(chǎng)表現(xiàn)出更健康、更平衡的供求關(guān)系。 今年上半年，由于受到新冠疫情影響，全球?qū)?DRAM 的需求有所增加。由于需求增加，DRAM 價(jià)格在今年上半年也有所反彈。然而，今年 11 月初，研究機(jī)構(gòu)預(yù)
2020-12-11 11:55:061531 咨詢的最新調(diào)查，與 NAND 閃存市場(chǎng)相比，DRAM 市場(chǎng)表現(xiàn)出更健康、更平衡的供求關(guān)系。 今年上半年，由于受到新冠疫情影響，全球?qū)?DRAM 的需求有所增加。由于需求增加，DRAM 價(jià)格在今年上半年也有所反彈。然而，今年 11 月初，研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，今年下半年，DRAM 價(jià)格小幅下
2020-12-11 13:37:191906 最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:461607 集微網(wǎng)消息，據(jù)MoneyDJ報(bào)道，存儲(chǔ)器大廠美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana表示，今年DRAM產(chǎn)業(yè)將受惠5G帶動(dòng)相關(guān)應(yīng)用，加上車用快速回溫，DRAM將供不應(yīng)求，目前部分DRAM
2021-01-28 15:54:452392 上周，美光科技調(diào)升了公司二季度營(yíng)收和利潤(rùn)的預(yù)期。而高盛分析師注意到，可以從調(diào)研分析預(yù)測(cè)當(dāng)前和未來幾個(gè)季度的NAND和DRAM市場(chǎng)狀況。
2021-03-08 14:50:173503 今年第一季度，對(duì)服務(wù)器的需求推動(dòng)了三星電子的DRAM和NAND閃存銷售增長(zhǎng)。三星存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商的服務(wù)器用DRAM銷售額在2022年第一季度創(chuàng)下歷史新高，盡管一些客戶的庫(kù)存有所調(diào)整，但三星用于服務(wù)器的NAND閃存銷售額繼續(xù)穩(wěn)定增長(zhǎng)。
2022-05-07 16:00:124062 
除了算力芯片卡脖子，全球汽車市場(chǎng)對(duì)DRAM和NAND解決方案的需求不斷提升。如最近遇到的問題一樣，在汽車產(chǎn)業(yè)平穩(wěn)發(fā)展中，存儲(chǔ)領(lǐng)域需要用到多少芯片，如果沒有可靠的供應(yīng)，這事怎么辦？
2022-10-18 14:18:251466 美光表示：“最近，人們對(duì)2023年的市場(chǎng)前景有所減弱。”并指出，預(yù)計(jì)DRAM bit的供應(yīng)同比將有所收縮，NAND bit的供應(yīng)增長(zhǎng)也將顯著低于此前預(yù)期。
2022-11-17 14:41:22419 不同于一季度的疲軟，可以看到在 二季度存儲(chǔ)市場(chǎng)明顯有所回暖，打破自2022年二季度以來的連續(xù)下滑，重新恢復(fù)增長(zhǎng)。 據(jù)CFM閃存市場(chǎng)分析， 2023年二季度全球NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模環(huán)比增長(zhǎng)5
2023-09-05 16:13:32906 
據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營(yíng)造有利的市場(chǎng)氛圍。存儲(chǔ)器模塊制造企業(yè)正在密切關(guān)注dram價(jià)格反彈的時(shí)間。
2023-09-20 10:19:501370 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563 dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:0011547 AI成了存儲(chǔ)市場(chǎng)的最大增量。開源證券表示，搭載容量方面，隨著AI在各類領(lǐng)域的應(yīng)用延伸，手機(jī)、服務(wù)器、PC中DRAM和NAND單機(jī)平均搭載容量均有增長(zhǎng)，其中，服務(wù)器領(lǐng)域增長(zhǎng)幅度最高，ServerDRAM和Enterprise SSD單機(jī)平均容量預(yù)估分別年增17.3%/13.2%。
2024-03-06 11:41:381067 羅徹斯特電子與Intelligent Memory攜手合作，確保為工業(yè)應(yīng)用和嵌入式應(yīng)用提供傳統(tǒng)和成熟的DRAM和NAND存儲(chǔ)解決方案。
2024-03-27 09:59:311000 據(jù)集邦咨詢最新報(bào)告，全球DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)正迎來前所未有的繁榮期。受市場(chǎng)需求強(qiáng)勁增長(zhǎng)、供需結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化、價(jià)格顯著上揚(yáng)以及HBM（高帶寬內(nèi)存）技術(shù)興起的共同驅(qū)動(dòng)，兩大存儲(chǔ)芯片行業(yè)預(yù)計(jì)在2024年將實(shí)現(xiàn)爆炸性增長(zhǎng)。
2024-08-01 17:45:581290 近期，DRAM和NAND存儲(chǔ)行業(yè)再次遭遇消費(fèi)者需求下滑的沖擊，導(dǎo)致存儲(chǔ)合約價(jià)格在短短一個(gè)月內(nèi)出現(xiàn)大幅下跌。據(jù)分析公司DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，DRAM價(jià)格尤其受到重創(chuàng)，近一個(gè)月內(nèi)下跌近20%。
2024-10-09 17:08:431189 近日，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告指出，DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn)出低迷的走勢(shì)。 特別是在DRAM市場(chǎng)方面，春節(jié)長(zhǎng)假過后，消費(fèi)者對(duì)于DRAM的需求并未如預(yù)期
2025-02-06 14:47:47933 。這一趨勢(shì)直接導(dǎo)致了DDR4現(xiàn)貨價(jià)格的下跌，給相關(guān)供應(yīng)商帶來了不小的壓力。盡管業(yè)界普遍期待隨著市場(chǎng)需求的逐步恢復(fù)，DRAM價(jià)格能夠有所反彈，但目前來看，這一期望似乎還需要一段時(shí)間才能實(shí)現(xiàn)。 與此同時(shí)，NAND閃存市場(chǎng)也面臨著交易低迷的困境。盡管供應(yīng)商已經(jīng)
2025-02-07 17:08:291018 在存儲(chǔ)芯片（DRAM/NAND）制造中，晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個(gè)芯片（Die）的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變薄（尤其對(duì)于高容量3DNAND），傳統(tǒng)劃片工藝帶來
2025-08-08 15:38:061028 
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