據集邦咨詢最新報告，全球DRAM內存與NAND閃存市場正迎來前所未有的繁榮期。受市場需求強勁增長、供需結構持續(xù)優(yōu)化、價格顯著上揚以及HBM（高帶寬內存）技術興起的共同驅動，兩大存儲芯片行業(yè)預計在2024年將實現爆炸性增長。

具體而言，DRAM內存行業(yè)預計在2024年將實現75%的驚人收入增長，而NAND閃存行業(yè)也不甘落后，預計增幅將達到77%。盡管2025年增速有所放緩，但DRAM內存仍有望保持51%的增長勢頭，NAND閃存也將實現29%的穩(wěn)健增長。

價格方面，DRAM內存芯片的平均售價預計將在2024年飆升53%，并在2025年繼續(xù)攀升35%，進一步鞏固了市場的繁榮態(tài)勢。這一連串積極信號直接推動了DRAM內存行業(yè)的營收規(guī)模迅速擴大，預計2024年將突破907億美元大關，而到了2025年，這一數字將躍升至1365億美元，創(chuàng)下近十年來的歷史新高。

總體而言，DRAM與NAND閃存市場的強勁表現不僅反映了全球科技產業(yè)對高性能存儲解決方案的迫切需求，也預示著未來幾年內，存儲芯片行業(yè)將持續(xù)成為推動科技進步和經濟增長的重要力量。