隨著移動設備、物聯網應用的興起，對于節能的數據儲存與內存技術需求日益增加。 目前的內存技術以DRAM與NAND閃存為主流，但DRAM的讀寫速度快無法長時間儲存數據；NAND Flash能保存數據， 但讀寫速度不佳。

同時兼具運算、儲存能力的下世代內存，如磁阻式內存(MRAM)、電阻式內存(RRAM)、3D XPoint技術與高潛力的自旋電子磁性內存(STT-MRAM)等，就成為下世代內存技術的新寵兒。

MRAM的技術在學理上訪問速度將超越DRAM達到接近SRAM，且斷電后數據不流失，早期由Everspin公司開發，被視為下世代內存技術的重要的競爭者。 2017年是MRAM技術爆發的一年，當年在日本舉辦的大規模集成電路技術日本舉辦的大規模集成電路技術、系統和應用國際研討會，格羅方德與 Everspin公司共同發布有抗熱消磁eMRAN技術，具能夠讓數據在攝氏150度下保存數據， 可長達十數年的22奈米制程的制程技術，預計2017年底、2018年投產。

而曾經投入內存研發生產，但卻不敵成本高昂而退出內存市場的臺積電，在2017年臺積電技術論壇中，揭露已具備22奈米制程嵌入式磁阻式內存(eMRAM)的生產技術， 預定2018年試產。

RRAM其優點是消耗電力較NAND低，且寫入信息速度比NAND閃存快1萬倍，主要投入研究的廠商有美光、Sony、三星。

臺積電也已宣布具備生產22奈米eRRAM技術。 3D XPoint技術的主要廠商為英特爾與美光，采用多層線路構成的三維結構，并采用柵狀電線電阻來表示0和1，原理類似RRAM。

為儲存裝置的良好的替代品，具有比NAND閃存快了近1,000倍，也可用于指令周期要求低的計算應用。

STT-MRAM是運用量子力學的電子自旋角動量的技術應用，具有DRAM和SRAM的高性能且低功耗，并兼容現有的CMOS制造技術與制程。

目前主要投入廠商有IBM與三星、SK海力士和東芝，其中IBM和三星在IEEE發布研究論文表示，已成功實現10奈秒的傳輸速度和超省電架構。

盡管下世代內存未來有望取代部分DRAM與NAND閃存的市場，甚至取代舊有技術。 但是筆者認為，隨著人工智能、物聯網裝置與更多的數據收集與感測需求，下世代的內存技術首先將著眼于以新應用的需求為主，如臺積電鎖定的嵌入式內存，并充分發揮運算與儲存二合一的優勢，進一步微縮大小，達到組件更高的市場滲透率。

但是若從廠商動態來看，22奈米的eMRAM技術將于2018年年后逐漸成熟，并開始有大量的市場應用。