12 月 22 日訊，據韓媒報道，市場研究公司預測，基于固態硬盤密度和性能提升，明年全球 NAND 閃存需求將增加，5G 通信、人工智能、深度學習和虛擬現實將引領明年全球 DRAM 和 NAND 閃存市場的增長。

目前存儲器合約價格不一定會出現急漲，但整體存儲器供應鏈庫存水位降低至尾聲，隨著需求穩健上揚，5G 及服務器應用在第 2 季成長力道轉強，預計 2020 年下半 DRAM 與 NAND Flash 將出現產能吃緊。

相較于 2018 年第 4 季，2019 年底 NAND Flash 及 DRAM 市場價格已大幅下跌 6 成，其中，有一半的跌幅都在 2019 年第 2 季發生，第 3 季起市場開始需求回升，根據近期系統廠商陸 2020 年訂單展望，預期 2020 年整體 ASP 價格將可望明顯優于 2019 年，預期價格回升將可達到 3 成，NANDFlash 的回漲速度將比 DRAM 價格更快反應。

IC Insights 預估，2019 年 NAND Flash 與 DRAM 市場分別衰退 27%和 37%，在 2020 年將分別迎來 19%與 12%的年成長表現，NAND Flash 預期將成為 2020 年 33 款 IC 產品類別中，增幅度最高的產品。

此前世界半導體貿易統計組織 （WSTS）預測，明年存儲芯片行業和全球半導體市場整體將分別增長 4.1%和 5.9%。樂觀的前景是基于 5G 服務對移動芯片的需求增加，以及英特爾下一代 Ice Lake 服務器芯片需求增加。

根據調研機構 DRAMeXchange 的數據，移動設備芯片需求占去年 DRAM 總需求的 32%，預計此比例今年將增長到 34%。隨著 5G iPhone 的發布以及華為在 5G 智慧型手機的發展。Kiwoom Securities 估計，到 2020 年，全球 5G 智慧型手機銷量將達到 1.77 億部，高端移動 DRAM 需求將增長 45%，整體行動 DRAM 需求增長 22％。

長江存儲預期武漢新廠至 2020 年底，單月晶圓產能可提升至 6 萬片，約占全球產能 5%；長鑫儲存預期投資 80 億美元興建的合肥廠，單月 DRAM 芯片產能可達 4 萬片晶圓，約占全球 DRAM 產能 3%。

全球 DRAM 年產能約達 140 萬片左右，目前合肥長鑫的規劃，一個廠房進入全產能的市占率僅約 3%，未來 3 個廠區全面投產的市占率約 9%，對于整體 DRAM 市場的供需影響及價格沖擊仍然很有限。

由于 2020 年 5G 帶動相關需求回升，國際大廠擴產保守，國內兩大新進廠商產能占全球比重仍低，預期存儲器報價維持穩中有升的格局。