三星電子 30 日宣布，已開始正式量產(chǎn)全球首款 32GB 容量、適用于小型雙列直插式存儲器模組（SoDIMM）規(guī)格的電競筆電 DDR4 存儲器。而新的 SoDIMM 存儲器模組是以 10 納米制程技術打造，可以用戶享受豐富的電競游戲之外，并具有更大的容量與更快的速度，而且傭有更低的耗能表現(xiàn)。

三星指出，透過使用新的存儲器解決方案，個人電腦制造商可以設計速度更快，針對頂級游戲的電競筆電產(chǎn)品。其電池續(xù)航時間可以較過往產(chǎn)品更長，甚至超越傳統(tǒng)的移動工作站的效能，卻同時保持現(xiàn)有的筆電的輕巧配置。三星電子存儲器市場高級副總裁 Sewon Chun 指出，三星的 32GB DDR4 DRAM 存儲器將會為筆記本電腦帶來前所未有的游戲體驗。而且，三星還將繼續(xù)為包括高接筆記本電腦，臺式機在內(nèi)的所有分眾市場提供最先進的 DRAM 產(chǎn)品組合，并提高其速度和容量。

新推出的 32GB DDR4 DRAM 存儲器模組，與三星本身在 2014 年推出，以 20 納米制程技術所生產(chǎn)的速度 8GB，容量為 16 Gb DDR4 SoDIMM 相比，新款 32GB 存儲器模組除了容量增加一倍之外，速度也提高了 11％，能效提高了約 39％。根據(jù)測試，配置有兩個 32GB DDR4 存儲器模組的 64GB 容量筆電，其在主動模式下，功耗不到 4．6 瓦（W），閑置時功耗更低于 1．4W。與目前配備 16GB 存儲器模組，針對電競市場的筆記本電腦相比，分別降低了大約 39％，以及降低超過 25％ 的用電量。

三星進一步指出，目前已經(jīng)開始積極擴展其 10 納米等級制成的 DRAM 陣容。其中，包括了 16Gb LPDDR4，16Gb GDDR5 和 16Gb DDR4 等產(chǎn)品。這對于未來在移動、圖形、個人電腦和服務器領域迎接速度 16Gb DRAM 的新時代，以及應用在包括高效能運算及汽車電子等領域將會有很大的性能提升助益。