有新聞報道，復旦大學設計出了一種新型態基于原子級薄度的半導體設計出一種內存，透過二維過度金屬材料創造出一種原子級薄度的半導體，不需要電力輔助用光線就能消除儲存數據。

近日有研究團隊基于原子級薄度的半導體設計出一種內存，除了具有良好的性能，也可以在完全不需要電力輔助的情況下，用光線就能消除儲存數據，團隊認為這種新的內存在系統整合型面板（System on Panel）上， 具有十分大的應用潛力。

復旦大學和中國科學院微電子研究所的 Long-Fei He 及相關研究人員最近在新的應用物理學快報（AIP）期刊上發表了一個關于新型態內存的論文。

由于大多數現有的內存技術都太過笨重，無法整合應用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設計和材料，試圖制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設備。

在這項新的研究中，研究人員透過二維過度金屬材料「二硫化鉬」（MoS2）的應用，創造出一種原子級薄度的半導體，它的電導率（conductivity）可以被精細的調整，進而形成具有高開關電流比的內存基礎組件。

除此之外，團隊也在測試中證實，這類型內存具有運行速度快、大容量的內存空間和優異的保存性，研究人員估計，即使處在 85°C（185°F）的高溫下 10 年，儲存空間仍可以保存原有的 60% 左右，對于實際應用來說仍然足夠。

過去已有研究證實二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質可以運用光來控制，為了了解實際應用情況，團隊也實際進行了相關實驗，結果他們發現，當光線照射到已編程的存儲設備上時，儲存數據被完全消除， 但同時運用電壓抹除信息的方式也仍然可以使用。

合著人 Hao Zhu 表示，團隊目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長和時間，來大規模整合這種儲存組件。 研究人員相信未來這種儲存設備，將會在系統整合型面板的應用上扮演重要角色。