電腦升級(jí)內(nèi)存混插

　　如果你無(wú)法忍受自己那臺(tái)老牛拉破車的電腦時(shí)，那就動(dòng)手來(lái)升級(jí)吧。升級(jí)的最簡(jiǎn)單方式不外乎多加一條內(nèi)存，電腦性能將由此獲得提升。不過(guò)當(dāng)你將新買的內(nèi)存加插在電腦上開(kāi)機(jī)時(shí)，可能意外地出現(xiàn)了藍(lán)屏，難道是新加內(nèi)存的問(wèn)題？

　　很多用戶在升級(jí)購(gòu)買內(nèi)存時(shí)，只看重了內(nèi)存的容量，并沒(méi)有太在意它的規(guī)格參數(shù)，甚至連品牌都沒(méi)有太在意，一味追求便宜的價(jià)格，因此有時(shí)就會(huì)出現(xiàn)新內(nèi)存和老內(nèi)存無(wú)法兼容的問(wèn)題。當(dāng)然，最妥當(dāng)?shù)霓k法是將電腦抱到電腦城去現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)，但不是所有用戶都愿意那樣當(dāng)“搬運(yùn)工”的，因此最好可以先把內(nèi)存參數(shù)了解一下再購(gòu)買，或者是將買回的內(nèi)存設(shè)置一下再使用。

　　在BIOS中調(diào)整內(nèi)存參數(shù)

　　通常新買的內(nèi)存規(guī)格參數(shù)都會(huì)比原來(lái)的老內(nèi)存高一些，例如老內(nèi)存規(guī)格為宇瞻DDR3 1333 2GB，延遲時(shí)序CL=9，而新買的內(nèi)存為雜牌DDR3 1600 2GB，CL=7。在目前的主流主板BIOS中都有針對(duì)內(nèi)存的超頻設(shè)置選項(xiàng)，我們可以利用它們來(lái)對(duì)內(nèi)存參數(shù)進(jìn)行設(shè)置，從而能讓它們和平相處，協(xié)同工作（如圖1）。

　　開(kāi)機(jī)后按下DEL鍵進(jìn)入主板BIOS的“OverDrive”界面，本例使用的是昂達(dá)A75T魔固主板，使用其他品牌型號(hào)主板的用戶需要自己找到相應(yīng)的界面。可以看到BIOS自動(dòng)識(shí)別了內(nèi)存，將“Memory boot Mode”選為“Easy Memory”，“Memory Frequency”內(nèi)存頻率選項(xiàng)和“Memory Performance Mode”內(nèi)存高級(jí)模式選項(xiàng)都被設(shè)為“Auto”自動(dòng)。一般來(lái)說(shuō)，如果和原有的1333MHz內(nèi)存一起使用的時(shí)候，1600MHz的內(nèi)存將被默認(rèn)降頻到1333MHz的主頻來(lái)運(yùn)行，不會(huì)對(duì)硬件造成任何影響，但是在高級(jí)參數(shù)中，一些雜牌內(nèi)存在混用時(shí)時(shí)序規(guī)格會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，因此需要將它們?cè)O(shè)置為和老內(nèi)存相同的數(shù)值。

　　取消“Memory Frequency”和“Memory Performance Mode”選項(xiàng)的“Auto”的設(shè)置，將前者設(shè)為“1333MHz” （如圖2），而這時(shí)在“Memory Performance Mode”下的“CAS Latency”、“RAS/CAS Delay”、“Row Precharge Time”、“Min Active RAS”變?yōu)榭烧{(diào)，將它們?cè)O(shè)為9-9-9-30。然后保存重新開(kāi)機(jī)，即可正常進(jìn)入系統(tǒng)了。雖然并沒(méi)有發(fā)揮出新內(nèi)存的原有性能，但至少可以和老內(nèi)存的參數(shù)匹配了，混用變得更為穩(wěn)定。

　　小提示：有的時(shí)候在兩條內(nèi)存混插后，開(kāi)機(jī)會(huì)出現(xiàn)點(diǎn)不亮的情況，這樣就進(jìn)不了BIOS進(jìn)行設(shè)置了。這個(gè)時(shí)候只有短接CMOS電池清除BIOS信息。在一些主板上會(huì)有一些貼心的設(shè)計(jì)，如本例這款主板上有一個(gè)Memory OK按鍵（如圖3），按下它后，就可以將內(nèi)存的頻率及參數(shù)下調(diào)到能正常開(kāi)機(jī)的水平，接著繼續(xù)進(jìn)入BIOS再對(duì)它進(jìn)行設(shè)置。

　　其實(shí)內(nèi)存的所有規(guī)格參數(shù)都是記錄在SPD芯片，在開(kāi)機(jī)電腦會(huì)根據(jù)其中的參數(shù)運(yùn)行內(nèi)存。對(duì)于一些在BIOS中沒(méi)有提供內(nèi)存參數(shù)調(diào)節(jié)選項(xiàng)的老主板，那么我們就只能用軟件來(lái)修改參數(shù)，也就是把參數(shù)寫入到SPD芯片中去，覆蓋掉原有的參數(shù)。

　　在這里使用SPD tool軟件，其修改內(nèi)存的參數(shù)比較多，但風(fēng)險(xiǎn)比較大，需要事先做好備份工作。首先只將新內(nèi)存插在電腦上，開(kāi)機(jī)打開(kāi)SPD tool，點(diǎn)擊菜單欄“File”→“Read”→“Module 0：Installed” （如圖4），讀取該內(nèi)存的SPD信息。當(dāng)讀取完后點(diǎn)擊“File”→“Save”，將它保存到電腦硬盤中，注意備份的文件名。

　　接著開(kāi)始手動(dòng)修改界面下方的各個(gè)選項(xiàng)，其中SDRAM Cycle time at Maximum Supported CAS Latency（內(nèi)存支持的最大CAS潛伏周期），這里的值是1.25ns（800MHz），改為1.50ns（666MHz）。接下來(lái)改Minimum Clock Cycle at CLX-1（最小CAS潛伏周期1）和Minimum Clock Cycle at CLX-2（最小CAS潛伏周期2），把1.50ns（666MHz）和1.67ns（592MHz）分別改為1.67ns（592MHz）和1.93ns（518MHz）。向下找到Minimum Row Precharge Time（tRP）和Minimum RAS to CAS delay（tRCD）都改為30ns。

　　如果感覺(jué)這樣的設(shè)置比較麻煩，那么可以將老內(nèi)存的SPD參數(shù)讀出來(lái)，將其直接寫入到新內(nèi)存中（如圖5）。點(diǎn)擊菜單欄“File”→“Write”→“Module 0：Installed”，在出現(xiàn)提示時(shí)點(diǎn)“是”，在寫入成功后重啟電腦。

　　當(dāng)然這還不能保證內(nèi)存刷新完全成功了，還需要使用MemTest軟件進(jìn)行測(cè)試，它的測(cè)試原理就是不停地對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀寫，從而發(fā)現(xiàn)內(nèi)存中存在錯(cuò)誤的區(qū)域。具體方法請(qǐng)看2012年第1期《電腦報(bào)》E6版《內(nèi)存問(wèn)題有木有 巧用閃存來(lái)測(cè)試》一文。與SPDtool功能類似的軟件還有Thaiphoon Burner等，大家可以舉一反三。在修改時(shí)建議電腦上只插一條內(nèi)存，這樣不容易出現(xiàn)誤操作。

　　內(nèi)存混插應(yīng)該注意什么

　　通過(guò)加大內(nèi)存可以更好地利用已有的內(nèi)存資源，提高計(jì)算機(jī)性能。但由于新舊內(nèi)存的型號(hào)、容量或品牌可能都不同，混插時(shí)就會(huì)出現(xiàn)各種問(wèn)題，因此在混插時(shí)要注意以下幾點(diǎn)：

　　就低原則。

　　一般情況下，應(yīng)該將低規(guī)范、低標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存插入內(nèi)存插槽中的第一位置DIMM l上，而將高標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存依次插入后面的內(nèi)存插槽中。

　　如果不同內(nèi)存混插造成不能正常開(kāi)機(jī)，可以這樣解決：第一，更換內(nèi)存條的位置，這是最簡(jiǎn)單且最常用的一種方法；第二，在基本能開(kāi)機(jī)的前提下，進(jìn)入BIOS設(shè)置，將內(nèi)存的相應(yīng)項(xiàng)（包括CAS等）設(shè)置為低規(guī)范的相應(yīng)值；第三，使用其中的一根內(nèi)存，將計(jì)算機(jī)啟動(dòng)，進(jìn)入BIOS設(shè)置，強(qiáng)行將內(nèi)存的相應(yīng)項(xiàng)設(shè)置為低規(guī)范的相應(yīng)值，經(jīng)確定無(wú)誤后，再關(guān)機(jī)插入第二根內(nèi)存。

　　不要混插不同類型的內(nèi)存。

　　一般來(lái)說(shuō)，不同類型的內(nèi)存之間，工作電壓、電氣接口都不相同，所以不能將不同類型的內(nèi)存進(jìn)行混插。即使主板上提供了兩種或兩種以上不同類型的內(nèi)存插槽，除非主板中擁有特殊設(shè)置項(xiàng)。如果將不同類型的內(nèi)存混插，由于電壓等多種因素的存在，可能會(huì)縮短內(nèi)存的使用壽命，甚至燒毀內(nèi)存。

　　不要混插同類型不同電壓的內(nèi)存。

　　即使是同類型的內(nèi)存，它們的工作電壓也有區(qū)別，如果不同電壓的內(nèi)存混插，不僅會(huì)造成計(jì)算機(jī)不穩(wěn)定現(xiàn)象的出現(xiàn)，而且也會(huì)加速低電壓內(nèi)存的老化甚至是燒毀。若一定要混插同類型不同電壓的內(nèi)存，要先看主板是否支持內(nèi)存電壓可調(diào)，如果支持，就在主板上或BIOS中強(qiáng)行設(shè)置內(nèi)存的電壓為所有混插內(nèi)存中的電壓最低值，盡量避免不同電壓的內(nèi)存混插造成內(nèi)存溫度過(guò)高，引起計(jì)算機(jī)運(yùn)行不穩(wěn)定。

　　注意內(nèi)存負(fù)載。

　　任何主板芯片組都對(duì)DIMM內(nèi)存插槽（或是其他形式的內(nèi)存插槽）進(jìn)行最大輸出功率的限制，這也就是同時(shí)使用多根雙面內(nèi)存將所有內(nèi)存插槽插滿，而內(nèi)存總?cè)萘坎](méi)有達(dá)到主板芯片組所支持的內(nèi)存上限時(shí)，計(jì)算機(jī)無(wú)法識(shí)別內(nèi)存總?cè)萘浚踔翢o(wú)法啟動(dòng)的一個(gè)重要原因。一般來(lái)說(shuō)，在進(jìn)行內(nèi)存混插時(shí)，如果將兩個(gè)以上的內(nèi)存插槽插滿，其中一根至少應(yīng)該使用單面內(nèi)存條。

　　升級(jí)后的計(jì)算機(jī)，最好也升級(jí)操作系統(tǒng)，因?yàn)樾碌牟僮飨到y(tǒng)具有更好的管理機(jī)制，能更好地用和調(diào)配不同型號(hào)的硬件，也能更好地避免出現(xiàn)硬件不兼容等問(wèn)題。