半導體景氣復甦，大廠紛紛加碼投資。三星明年將加碼10兆韓元用于擴大半導體制造能量，鎖定提升DRAM、NAND芯片與晶圓代工產能。市場解讀，三星布局，意在與SK海力士、美光、臺積電等同業的競爭。

依韓國媒體與三星消息，三星相關投資主要在平澤工廠，擴產后，三星DRAM月產能將增加3萬片、NAND增加6萬片、晶圓代工增加2萬片。

面對三星在晶圓代工領域緊追，臺積電一向不評論競爭對手的動態。三星近期擴大采購極紫外光（EUV）設備，更規劃在韓國華城、平澤以及美國德州奧斯丁等城市建立EUV產線，做7納米與5納米以下芯片生產基地。

韓聯社報道，三星集團今年前九月資本支出創下歷史新高，主因研發費用大增、在韓國雇用員工人數創新高。

三星在今年10月推出首款采用自家5納米技術量產的系統芯片，2021年看好全球需求復甦，將對多個領域展開投資；高速運算應用多元化、客戶采用先進制程也帶動三星晶圓代工成長。

三星資本支出集中半導體領域，全年資本支出估約35.2兆韓元，創新高，其中，半導體資本支出也創新高、達28.9兆韓元。今年1到9月半導體相關資本支出已達21.3兆韓元。

外媒報導，明年半導體資本支出不低于今年，還將額外加碼擴大半導體產能。

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