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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>富士通半導(dǎo)體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產(chǎn)品

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2013-04-24 10:08:512608

富士通半導(dǎo)體適用于各種變頻控制應(yīng)用的解決方案

說到變頻電機控制,就不得不說說富士通半導(dǎo)體的技術(shù)和產(chǎn)品富士通半導(dǎo)體開發(fā)的變頻方案采用了各種先進技術(shù)和算法,匹配過20多款壓縮機,具有可現(xiàn)場系統(tǒng)整合調(diào)試、功能驗證和性能優(yōu)化的優(yōu)勢,適用于各種變頻控制應(yīng)用。
2013-05-17 10:55:001793

富士通半導(dǎo)體發(fā)布84款FM4系列32位微控制器產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,推出首批基于ARM? Cortex?-M4處理器內(nèi)核的FM4系列32位RISC 微控制器。富士通半導(dǎo)體本次共推出84款MB9B560R/460R/360R/160R 系列產(chǎn)品,將于2013年7月底開始提供樣片。
2013-07-03 11:19:331132

富士通半導(dǎo)體獲得ARM big.LITTLE 和 Mali-T624授權(quán)

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,富士通半導(dǎo)體股份有限公司和ARM于今日簽署了一項授權(quán)協(xié)議:富士通半導(dǎo)體將充分利用ARM big.LITTLE?技術(shù)和ARM Mali-T624圖形處理器推出片上系統(tǒng)(SoC)解決方案。
2013-07-11 17:32:172006

富士通半導(dǎo)體推出頂尖定制化SoC創(chuàng)新設(shè)計方法

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,成功開發(fā)了專為先進的28 nm SoC器件量身打造的全新設(shè)計方法,不僅能實現(xiàn)更高的電路密度,同時也可有效縮短開發(fā)時間。
2014-01-15 17:00:51790

富士通半導(dǎo)體宣布與安森美半導(dǎo)體展開戰(zhàn)略級合作

兩家公司已經(jīng)達成: i)晶圓代工服務(wù)協(xié)議,富士通將為安森美半導(dǎo)體制造晶圓; ii) 安森美半導(dǎo)體將成為富士通日本福島縣會津若松市8英寸晶圓廠少數(shù)股東的最終協(xié)議
2014-08-01 09:08:231306

富士通半導(dǎo)體推出新版CGI Studio可支持OpenGL ES 3.0

2014年8月11日–富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,富士通半導(dǎo)體旗下嵌入式解決方案奧地利公司(簡稱FEAT)推出最新CGI Studio工具套件3.0版本。
2014-08-11 11:19:303426

富士通半導(dǎo)體成功推出擁有1 Mb內(nèi)存、業(yè)界最小尺寸的FRAM器件

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布,成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝(WL-CSP),使得其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm,一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
2015-07-08 15:03:571992

富士通推出數(shù)據(jù)傳輸速度高達每秒54 MB的4 Mbit QSPI FRAM

 上海,2016年3月1日–富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,成功開發(fā)具有4 Mbit記憶容量的、帶有高速Q(mào)SPI接口的全新FRAM(鐵電隨機存取內(nèi)存)產(chǎn)品MB85RQ4ML,此產(chǎn)品在同類競品中擁有最高密度和最快傳輸速度,并開始以樣品量供貨。
2016-03-01 11:20:584792

富士通推出具業(yè)界最佳運行功耗的64 Kbit FRAM

 上海,2016年4月15日–富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出具業(yè)界最低運行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。
2016-04-15 10:01:221171

富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

上海, 2016-11-08——富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體(注2)合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品
2017-03-24 18:03:201911

富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM,是穿戴式裝置與助聽器的絕佳選擇

富士通電子元器件(上海)有限公司推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1產(chǎn)品 MB85AS4MT。此產(chǎn)品富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體(注2)合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品
2017-03-24 18:48:431609

帶SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件誕生,它到底有多小?

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝(WL-CSP),使得其體積僅為3.09× 2.28 × 0.33 mm,一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
2017-03-28 17:52:293366

試過在網(wǎng)上專店買FRAM嗎?購買攻略拿去!

富士通半導(dǎo)體FRAM產(chǎn)品現(xiàn)在可以直接在網(wǎng)上專店(ESHOP)下單購買了,購買攻略馬上奉上。顏值很重要,先看我們的FRAM網(wǎng)上專店(ESHOP)長什么樣子?
2017-03-28 18:17:281312

富士通半導(dǎo)體是領(lǐng)先的Custom SoC(ASICs)供應(yīng)商,能夠幫助客戶為其創(chuàng)新型設(shè)計構(gòu)建出色的芯片解決方案

富士通半導(dǎo)體是領(lǐng)先的Custom SoC (ASICs)供應(yīng)商,能夠幫助客戶為其創(chuàng)新型設(shè)計構(gòu)建出色的芯片解決方案。在供應(yīng)量產(chǎn)定制型SoC產(chǎn)品方面,我們具有多年的成功經(jīng)驗。
2017-03-29 11:29:371604

富士通FRAM產(chǎn)品特性介紹(視頻)

本視頻主要內(nèi)容:介紹了富士通半導(dǎo)體FRAM產(chǎn)品特性:低功耗,快速讀寫,高讀寫次數(shù)和防輻射特性。
2017-03-29 11:34:271530

富士通FRAM拓展更多應(yīng)用空間

,到頗接地氣的無電池舒適智能家居設(shè)備,已處處可見這種先進非易失性嵌入式存儲技術(shù)的身影。除FRAM外,在本次展會上富士通還展示了繼電器Relay、設(shè)計可追溯管理工具SQTRACER等領(lǐng)先技術(shù)。 圖1:深圳電子展富士通展臺。 最具潛力的FRAM應(yīng)用
2017-10-15 12:11:312

富士通助力無線無電池應(yīng)用,FRAM RFID的創(chuàng)新無源解決方案

前不久,富士通半導(dǎo)體有限公司系統(tǒng)存儲設(shè)計開發(fā)部FRAM RFID高級工程師羅建在2018第十四屆RFID世界應(yīng)用創(chuàng)新大會上指出,基于FRAM RFID的創(chuàng)新無源解決方案讓產(chǎn)品實現(xiàn)自給能源,更加環(huán)保,更易于防水加工制造生產(chǎn),有著廣闊的應(yīng)用前景。
2018-08-27 16:32:535563

安森美半導(dǎo)體宣布富士通8英寸晶圓廠的遞增20%股權(quán)收購

美商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)與富士通半導(dǎo)體株式會社(Aizu Fujitsu Semiconductor Manufacturing Limited)于10月1日共同宣布
2018-10-08 15:00:004937

安森美半導(dǎo)體收購富士通8吋晶圓廠股權(quán)

,并于10月1日收盤后進行品牌轉(zhuǎn)名,因此,會津富士通半導(dǎo)體制造株式會社的公司名稱于已經(jīng)轉(zhuǎn)為安森美半導(dǎo)體會津株式會社。 其實雙方是在于
2018-10-08 14:26:02756

聯(lián)電購買聯(lián)電與日本富士通半導(dǎo)體所合資的12吋晶圓廠

聯(lián)電財務(wù)長劉啟東表示,聯(lián)電于2014年參與日本三重富士通半導(dǎo)體增資、并取得15.9%股權(quán)及1席董事,并由聯(lián)電授權(quán)40納米技術(shù)。不過,由于該投資的閉鎖期規(guī)定為2.5年,雙方在去年中開始密切接觸,最終決議聯(lián)電將百分百收購日本三重富士通半導(dǎo)體股權(quán),取得12吋晶圓廠產(chǎn)能。
2018-12-27 17:53:1610631

富士通在存儲器領(lǐng)域的另類崛起 用20年專注演繹叢林法則

FRAM的非易失性對于當(dāng)時業(yè)界可以說是顛覆性的,存儲器的非易失性指在沒有上電的狀態(tài)下依然可以保存所存儲信息的特性,這意味著電路中無須加入后備電池,仍可在偶發(fā)斷電時保存重要數(shù)據(jù),因此一經(jīng)推出即備受關(guān)注。而當(dāng)談及FRAM,往往無法避開這一家半導(dǎo)體廠商,它就是——富士通半導(dǎo)體
2019-02-21 11:32:395482

富士通推出了一款能在高達125攝氏度高溫下正常運作的FRAM產(chǎn)品

富士通電子在過去約20年量產(chǎn)各種FRAM非易失性內(nèi)存產(chǎn)品,具備比EEPROM及閃存更高的讀∕寫耐久性、高速寫入速度及超低功耗。近幾年來,這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于可穿戴裝置、工業(yè)機器人與無人機。
2019-11-01 08:38:313176

富士通開發(fā)的超小型封裝串行FRAM

富士通是一家通過不斷創(chuàng)新全球化信息通信技術(shù)的公司。眾多的標(biāo)志性成果和產(chǎn)品里程碑將富士通塑造成為現(xiàn)在這樣一家在ICT領(lǐng)域領(lǐng)先的公司。富士通為廣大用戶開發(fā)了眾多的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。還開發(fā)出業(yè)界中具有超小型封裝
2020-04-08 13:43:401145

富士通電子推出全新2Mbit FRAM產(chǎn)品,滿足汽車對低功耗電子器件的需求

2020年5月11日 – 富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型號為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM,可在125℃高溫度下正常運行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V,配有串行外設(shè)接口(SPI)。目前可為客戶提供評測版樣品,將在6月實現(xiàn)量產(chǎn)。
2020-05-11 15:30:272924

富士通FRAM存儲器內(nèi)置RFID LSI的產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體利用FRAM的高速寫入,高讀寫耐久性(多次讀寫次數(shù))特長, 提供RFID用LSI以及應(yīng)用于電子設(shè)備的FRAM內(nèi)置驗證IC產(chǎn)品富士通提供使用無限接口的FRAM內(nèi)置RFID用LSI。富士通產(chǎn)品
2020-05-21 14:01:031211

富士通新款4Mbit FRAM可穩(wěn)定在125℃高溫下運行

易失性內(nèi)存是苛刻環(huán)境下具備高可靠性的汽車和工業(yè)應(yīng)用的理想之選。 富士通去年發(fā)布的2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽車和工業(yè)設(shè)備中獲得廣泛應(yīng)用,而MB85RS4MTY將其容量提高至4M bit,滿足用戶對更高容量的需求,配有SPI接口,工作電壓為1.8V至3.6V。 富士通電子
2020-07-30 14:22:20882

關(guān)于富士通FRAM技術(shù)和工作原理的詳細(xì)講解

存儲設(shè)備(主要指存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體產(chǎn)品)通常分為兩種類型。一種是“易失性存儲器”——數(shù)據(jù)在斷電時消失,如DRAM。另一種類型則是“非易失性存儲器”——數(shù)據(jù)在斷電時不會消失,這意味著數(shù)據(jù)一旦被寫入,只要
2021-05-04 10:16:001119

富士通的非易失性鐵電存儲器FRAM有著廣泛的應(yīng)用

富士通半導(dǎo)體主要提供高質(zhì)量、高可靠性的非易失性鐵電存儲器FRAM富士通半導(dǎo)體早在1995年已開始研發(fā)FRAM存儲器,FRAM應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,以及醫(yī)療
2021-04-26 15:49:161154

富士通FRAM實現(xiàn)低成本通用智能表計的方案說明

經(jīng)過智能電表市場的長期驗證,富士通FRAM產(chǎn)品在不斷優(yōu)化性能與降低成本的同時也逐步轉(zhuǎn)向更廣泛的智能表計市場。富士通FRAM在近幾年也逐漸打入全球智能水和氣表的主流供應(yīng)鏈,成為準(zhǔn)確記錄和存儲智能水和氣
2021-05-08 15:41:37806

2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR的功能及特征

和橫跨傳統(tǒng)市場的業(yè)務(wù)覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴展溫度的2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR。
2021-05-13 14:35:022186

富士通FRAM主要具備的三大優(yōu)勢是什么

不進行擦除或重寫,數(shù)據(jù)就不會改變。FRAM是一種與Flash相同的非易失性存儲器。 經(jīng)過市場的長期廣泛驗證以及技術(shù)的不斷突破,富士通FRAM產(chǎn)品已成功應(yīng)用于智能卡及IC卡等卡片領(lǐng)域、電力儀表及產(chǎn)業(yè)設(shè)備等工業(yè)領(lǐng)域,醫(yī)療設(shè)備及醫(yī)療RFID標(biāo)
2021-06-08 16:51:17770

富士通半導(dǎo)體正在量產(chǎn)快速數(shù)據(jù)傳輸功能產(chǎn)品

富士通半導(dǎo)體正在量產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最高 108MHz 的工作頻率和帶有四個 I/O 引腳的 Quad SPI 接口下實現(xiàn)
2021-06-25 15:26:232161

富士通4Mbit Quad SPI FRAM助力實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸

富士通半導(dǎo)體一款具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最高108MHz的工作頻率和帶有四個I/O引腳的Quad SPI接口下實現(xiàn)每秒54MB
2021-07-26 18:05:541028

富士通新品8Mbit FRAM高達100萬億次的寫入耐久性

FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點,富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲芯片,這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:171147

富士通推出具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA

。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體推出了具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA,這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證100萬億讀/寫周期的產(chǎn)品。評估樣品目前可用。
2022-01-10 15:50:315157

使用非易失性FRAM替換SRAM時的問題和解決方案

? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億次
2022-01-12 15:12:201308

富士通新款4Mbit FRAM穩(wěn)定在125℃高溫下運行

鐵電隨機存儲器FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內(nèi)存,即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM主要結(jié)合了ROM和RAM的...
2022-01-26 18:43:450

富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX

是一款非易失性存儲器產(chǎn)品,與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,具有寫入速度快、讀/寫耐久性高、功耗低等優(yōu)點。 ? 近日富士通半導(dǎo)體推出配備Quad SPI接口的8Mbit?FRAM?MB85RQ8MLX,其
2022-02-17 15:33:242252

富士通推出12Mbit電阻式隨機存取存儲器MB85AS12MT

富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT,這是富士通ReRAM產(chǎn)品系列中密度最大的產(chǎn)品
2022-04-24 16:06:021789

具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML

加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工作頻率下實現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率,并具有四個 I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。
2022-08-26 15:35:441050

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片

MB89R118C|富士通嵌入FRAM的RFID LSI無線射頻識別芯片
2023-11-09 13:59:012363

富士通FRAM秒寫實時數(shù)據(jù)

富士通MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4Kbit工業(yè)級FRAM,150ns極速寫入、1萬億次擦寫、-40℃~+85℃寬溫,I2C接口低功耗,SOP-8小封裝,為PLC、電表、編碼器等邊緣節(jié)點提供高可靠非易失存儲。
2025-10-10 09:45:00319

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