賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速 (QDR) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產品是其65-nm SRAM 系列產品中的最新成員。這些新的存儲器件完善了業界最寬的65-nm同步SRAM產品線，最高容量可達144Mbit，速度最快可達550MHz。賽普拉斯擁有專利的工藝技術最多可將90-nmSRAM的功耗降低50%，引領了“綠色”網絡架構應用的新潮流。

　　這些新器件可從外形、功能等方面向下兼容已被廣泛采用的90-nmQDRII/QDRII+ SRAM(估計采用量遠超6000萬片)，并且他們完全符合QDR聯合會的標準。如此的兼容性允許現有產品的設計者無需改變板卡設計即可很方便地升級系統性能。65-nm SRAM是網絡應用(包括骨干和邊緣路由器、固定和模塊化以太網交換機、3G基站和安全路由器)的理想選擇。他們還能改善醫用成像設備和軍用信號處理系統的性能。QDRII+ 和 DDRII+器件具有片內終結器(ODT)，因其省去了外部終結電阻，所以能夠改善信號完整性、降低系統成本并節省板級空間。

　　賽普拉斯負責同步SRAM產品的副總裁Dave Kranzler說：“作為SRAM領域的領導者，我們一直致力于提供最完整的高性能SRAM產品線，提升客戶產品的性價比，使之在市場上更具競爭力。賽普拉斯已經向全球超過150個客戶發運了超過100萬片65-nm SRAM，從而奠定了我們在高性能SRAM領域的領導地位。”

　　賽普拉斯的SRAM產品線包括有鉛和無鉛封裝，分商業級、工業級和軍用級，并且具有多種接口配置和性能范圍可供選擇。賽普拉斯還可與客戶共同開發針對特定應用需求的解決方案。

　　36-Mbit CY712xxKV18 和 18-Mbit CY7C11xxKV18目前已量產，可通過賽普拉斯及其分銷合作伙伴購買。每個器件均可根據I/O寬度(x18或x36)、突發長度(B4或B2)以及延遲(1.5-ns, 2.0-ns 或 2.5-ns)有不同的選擇。