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保證100萬億讀/寫周期的FRAM

FRAM 是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統的非易失性存儲器 （如EEPROM、閃存）相比，FRAM不需要備用電池來保留數據，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快的寫入速度操作和更低的功耗。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體推出了具有并行接口的新型8Mbit FRAMMB85R8M2TA，這是富士通FRAM產品系列中第一款保證100萬億讀/寫周期的產品。評估樣品目前可用。

MB85R8M2TA 封裝

與富士通的傳統產品相比，新產品既實現了高速運行——訪問速度提高了約30%，又實現了低功耗——工作電流降低了10%。這種存儲器IC是需要高速運行的工業機器中SRAM的理想替代品。

FRAM 使用示例

新品細節

FRAM是一種非易失性存儲器產品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點，已經量產了20多年。

富士通自2018年6月開始提供具有并行接口的8Mbit FRAM MB85R8M2T。在推廣產品的同時，公司聽到了客戶的聲音，例如保證寫入壽命超過10萬億次，運行速度與SRAM相同，TSOP封裝與SRAM兼容。富士通現在很高興推出滿足這些要求的新 8Mbit FRAM 產品，并繼續保持 FRAM 的低功耗的獨特特性。

MB85R8M2TA 具有與 SRAM 兼容的并行接口，可在 1.8V 至 3.6V 的寬電源電壓范圍內運行。它是富士通 FRAM 產品系列中第一款保證 100 萬億讀/寫循環時間的產品。

在快速頁面模式下，新的FRAM能夠運行到25ns，在連續數據傳輸時，其訪問速度與SRAM一樣高。與富士通的傳統FRAM產品相比，它不僅實現了更高的運行速度，而且降低了功耗。該FRAM的最大寫入電流為18mA，比目前的產品低10%，最大待機電流為150μA，低50%。該產品采用44針TSOP封裝，與富士通4Mbit FRAM的封裝相同，此外還有48針FBGA封裝。

電流比較

新的8Mbit FRAM給客戶帶來的好處是，在某些情況下可以省去SRAM所需的數據備份電池。富士通的FRAM產品可以解決因用非易失性存儲器取代SRAM而產生的以下問題：

01

問題：更改接口設計和 PCB 設計的額外工作

解決方案：使用與 SRAM 接口和 SRAM 封裝兼容的 FRAM

02

問題：難以用寫入速度非常慢的非易失性存儲器替代

解決方案：使用具有快速寫入操作的 FRAM，頁面模式下最大 25ns

03

問題：寫入壽命高達10萬億次導致設計限制

解決方案：使用寫入壽命高達100萬億次的FRAM

使用非易失性存儲器替換 SRAM 時的問題和解決方案

主要規格

富士通半導體致力于在開發高性能產品的同時為可持續發展的社會做出貢獻。例如，該公司繼續致力于開發低功耗的FRAM產品。隨著功耗的降低，它的目標是減少二氧化碳排放，以減少溫室氣體。

富士通將繼續滿足市場和客戶的需求和要求，同時開發環保型內存產品。

關于富士通半導體

富士通的半導體業務始于 1956 年，當時第一個用于日本電報電話公共公司(現為NTT)中繼器的硅晶體管商業化。1970年代后期，開始了全面的對外銷售業務，并開始批量生產半導體。在富士通半導體集團，富士通半導體存儲器解決方案有限公司是一家專門從事系統存儲器業務(FRAM等)的公司，提供高性能和高質量的非易失性存儲 LSI。更多詳情請訪問：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/cn/products/fram/。

關于加賀富儀艾電子（上海）有限公司

加賀富儀艾電子（上海）有限公司原為富士通電子，其業務自2020年12月并入加賀集團，旨在為客戶提供更好的優質產品和服務。在深圳、大連等地均設有分公司，負責統籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業務。加賀富儀艾電子（上海）有限公司的主要銷售產品包括Custom SoCs (ASICs), 代工服務，專用標準產品(ASSPs)，鐵電隨機存儲器，繼電器，GaN（氮化鎵），MCU和電源功率器件，它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應用于高性能光通信網絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業控制、家電、穿戴式設備、醫療電子、電力電表、安防等領域。更多詳情請訪問：https://www.kagafei.com/cn。

原文標題：保證高達100萬億讀寫周期的8Mbit FRAM

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審核編輯：湯梓紅