富士通半導體有限公司***分公司宣佈，成功透過硅基板氮化鎵（GaN）功率元件讓伺服器電源供應器達到2.5kW的高輸出功率，并擴大電源供應的增值應用，實現低碳能源社會。富士通半導體的GaN功率元件將于2013年下半年投入量產。

　　相較于傳統的硅功率元件，GaN功率元件擁有較低導通電阻的特性，可支援高頻率運作。這些特性有助于提高電源供應器的轉換效率，并可縮小體積。富士通半導體計畫將硅基板GaN功率元件商用化，藉由增加硅晶圓直徑達到低成本量產的目標。富士通半導體自2009年起已著手開發GaN功率元件之量產技術，并于2011年開始提供GaN功率元件樣品給特定的電源供應器合作伙伴。富士通半導體未來也將持續為應用于電源供應器中的GaN功率元件進行最佳化。
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　　富士通半導體近期與富士通研究所（Fujitsu Laboratories Limited）進行多項共同技術開發計畫，包括開發製程技術來增加硅基板上的高品質GaN晶體數量、開發元件技術（如：電極最佳化設計）來控制開關切換時上升的導通電阻，以及設計可支援GaN元件高速開關的電源供應器電路配置。這些技術讓富士通半導體在GaN功率元件的功率因數校正（power factor correction）電路中，成功達到高于傳統硅元件效能的轉換效率。富士通半導體還設計了一種具有上述功率因數校正電路的伺服器電源供應器樣品，輸出功率可達2.5kW。

　　富士通半導體成功開發這項全新技術后，有助于擴大其GaN功率元件在高壓、大電流時的應用範疇。

　　富士通半導體近期在會津若松 （Aizu-Wakamatsu） 廠區建造了6吋晶圓的量產生產線，而GaN功率元件也將在2013年下半年進入量產階段。富士通今后將提供滿足客戶需求的功率元件、以及電路設計技術支援服務，藉以支援用途廣泛的低損耗、高整合度的電源供應器。富士通半導體預計該GaN功率元件可在2015會計年度達到100億日元的銷售目標。

　　富士通半導體將于2012年11月14-16日在太平洋橫濱會展中心（Pacifico Yokohama）舉行的2012嵌入式技術展（Embedded Technology 2012）中展示GaN功率元件。
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　　有關氮化硅的（GaN）的介紹
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　　GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

　　GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。