模組與智能手機客戶需求增強，部分客戶甚至接受了30%至35%的價格上漲。金士頓還表示，由于產品價格便宜，從8月起拒絕客戶降價，并會重建部分NAND庫存。

摩根士丹利在最新報告中指出，由于NAND價格已觸底，閃存廠商群聯目前已看到來自大陸的模組與智能手機客戶需求增強，部分客戶甚至已接受了30%至35%的價格上漲。

此外，知名分析師分析師郭明錤日前發文稱，緊跟三星8月的漲價步伐，美光9月起已開始著手調漲NAND Flash晶圓合約價，漲幅在10%左右。其認為，此舉將有助于改善美光下半年獲利。

郭明錤補充，DRAM方面，美光有望最快自2023年Q4-2024年Q1起受益于三項趨勢：英特爾新平臺Meteor Lake推動DDR5滲透率加速增長，AI服務器強勁需求推升HBM出貨，品牌與處理器廠在設備上推廣大模型、有利于DDR/LPDDR規格升級。

在此之前，三星已下令暫停第六代V-NAND成熟型制程產品報價，低于1.6美元者全面停止出貨。已有兩大廠商私下證實，并表示“先前該產品1.45-1.48的美元低價位，未來不會再出現了”。

市場研究機構TrendForce日前報告也指出，近期NAND Flash現貨市場顆粒報價受到晶圓合約價成功拉漲消息帶動，部分品項出現較積極詢價需求。

8月下旬NAND Flash原廠進一步與部分中國指標模組廠議定新一筆晶圓訂單，并成功拉抬512Gb晶圓合約價，漲幅約10%，其他原廠亦跟進將同級產品價格提升，顯現原廠不愿再低價成交，從而帶動晶圓現貨市場近期出現短期漲勢。

由于NAND Flash晶圓漲價、帶來成本提升壓力，模組廠近期也紛紛釋出調漲終端產品的意向，主要體現在SSD產品方面，金士頓、Phison等模組廠近期亦回歸官方價格來進行交易，不再開放客戶另議以低價成交。

金士頓還表示，由于產品價格便宜，從8月起拒絕客戶降價，并會重建部分NAND庫存。

▌一線存儲廠相繼減產 NAND Flash調整周期尾聲將至

存儲行業寒風呼嘯已久，推進庫存去化、供需平衡，都離不開供應商對產能的控制。三星、SK海力士、美光均計劃減產NAND Flash。

其中，三星已制定生產計劃，目標年底NAND庫存正常化（6-8周水平）。今年年初，三星NAND庫存水位超過20周，最高一度飆升至28周，但最近已降至18周。據悉，三星下半年的晶圓投入量將較上半年減少10%，目前公司減產的主要目標是128層第6代V-NAND（V6），該產品庫存較多。

TrendForce數據則顯示，三星最初減產幅度為25%，第四季可能擴大到35%，代表目前市況供過于求壓力仍大。原廠若不積極應對，即便下半年需求會溫和復蘇，NAND Flash相關產品價格要落底反彈也有困難。因此，目前一線NAND Flash原廠均積極減產控制供給，力求止跌，避免價格持續破底。

展望2024年，TrendForce預期2024年存儲器原廠對于DRAM與NAND Flash的減產策略仍將延續，尤其以虧損嚴重的NAND Flash更為明確。預估2024上半年，消費電子市場需求能見度仍不明朗，通用型服務器的資本支出仍受到AI服務器排擠、顯得相對需求疲弱，有鑒于2023年基期已低，加上部分存儲器產品價格已來到相對低點，預估DRAM及NAND Flash需求位元同比增幅分別有13.0%及16.0%。

方正證券指出，供給端加速收縮、限制低價供應，進一步鞏固NAND Flash晶圓價格上漲趨勢。分析師預計，隨著2023年下半年國內手機品牌陸續推出新品、PC需求復蘇以及iPhone15即將發布，原廠出貨壓力將逐步緩解，NAND Flash調整周期尾聲將至。

編輯：黃飛

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