存儲(chǔ)芯片庫(kù)存過(guò)剩、客戶削減訂單、產(chǎn)品價(jià)格暴跌，上千億美元的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正在經(jīng)歷艱難時(shí)刻。雖然消費(fèi)市場(chǎng)需求還未復(fù)蘇，其他應(yīng)用領(lǐng)域卻蘊(yùn)藏著機(jī)遇，比如數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及汽車應(yīng)用。

存儲(chǔ)芯片在汽車應(yīng)用中的機(jī)會(huì)

DRAM、NAND和NOR同樣適用于汽車電子系統(tǒng)，更高的汽車智能化將推動(dòng)對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求，芯查查認(rèn)為主要有幾個(gè)推動(dòng)力：

高容量存儲(chǔ)：車載電子設(shè)備增多，娛樂(lè)系統(tǒng)、導(dǎo)航系統(tǒng)、駕駛輔助系統(tǒng)等對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也越來(lái)越高。存儲(chǔ)芯片可以提供高容量存儲(chǔ)解決方案，滿足車輛中大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)需求。

數(shù)據(jù)記錄與分析：車輛裝備了各種傳感器和攝像頭，生成大量的行車數(shù)據(jù)和駕駛行為信息。存儲(chǔ)芯片可以記錄和存儲(chǔ)這些數(shù)據(jù)，為后續(xù)數(shù)據(jù)分析、車輛安全性評(píng)估和駕駛行為改善提供基礎(chǔ)。

軟件更新和固件升級(jí)：隨著車輛變得更加智能化，軟件在車輛中扮演著越來(lái)越重要的角色。存儲(chǔ)芯片可以用于存儲(chǔ)軟件代碼和固件，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程軟件更新和固件升級(jí)，提升車輛性能、功能和安全性。

自動(dòng)駕駛技術(shù)：自動(dòng)駕駛技術(shù)需要大量數(shù)據(jù)處理和存儲(chǔ)能力，包括圖像識(shí)別、傳感器數(shù)據(jù)融合、地圖數(shù)據(jù)等。存儲(chǔ)芯片可以提供高速、大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理能力，支持自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的實(shí)時(shí)運(yùn)算和環(huán)境感知。

互聯(lián)網(wǎng)連接和車聯(lián)網(wǎng)：存儲(chǔ)芯片支持車輛與互聯(lián)網(wǎng)的連接和數(shù)據(jù)交換。存儲(chǔ)芯片可以存儲(chǔ)和管理車輛的網(wǎng)絡(luò)連接配置、用戶個(gè)人化設(shè)置、車輛數(shù)據(jù)等信息，為車輛提供更豐富互聯(lián)網(wǎng)功能和服務(wù)。

圖注：智能座艙和駕駛輔助系統(tǒng)中的NAND

汽車應(yīng)用提升存儲(chǔ)芯片的使用數(shù)量，還推動(dòng)存儲(chǔ)芯片的升級(jí)換代。以自動(dòng)駕駛為例，L1-L2自動(dòng)駕駛汽車主要使用LPDDR3或LPDDR4，帶寬為25-50 GB/s。L3自動(dòng)駕駛的帶寬要求提高到200GB/s，L4的帶寬要求提高到300GB/s，L5的帶寬要求提高到500GB/s。因此，具有更高帶寬的LPDDR5和GDDR6可以簡(jiǎn)化高級(jí)自動(dòng)駕駛汽車的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，未來(lái)十年，單車的存儲(chǔ)容量將達(dá)到2TB~11TB，迎合不同自動(dòng)駕駛水平的要求。

存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的周期

長(zhǎng)期來(lái)看，汽車的智能化和自動(dòng)駕駛的普及應(yīng)用將推動(dòng)存儲(chǔ)芯片的發(fā)展。短期內(nèi)，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)從低谷走向復(fù)蘇的跡象。

芯查查APP顯示，三星第二季度將錄得3至4萬(wàn)億韓元的營(yíng)業(yè)虧損，盡管這將相比第一季度的4.58萬(wàn)億韓元營(yíng)業(yè)虧損有所下降。SK海力士預(yù)計(jì)將在第二季度連續(xù)第三個(gè)季度虧損，金額為2.86萬(wàn)億韓元，此前2022年第四季度虧損1.89萬(wàn)億韓元，上一季度虧損3.4萬(wàn)億韓元。美光即將公布3-5月的季報(bào)，市場(chǎng)預(yù)計(jì)虧損會(huì)達(dá)到18億美元，預(yù)計(jì)美光毛利率將在2023年下半年觸底。

主要存儲(chǔ)芯片廠商業(yè)績(jī)損失已經(jīng)縮小，預(yù)示產(chǎn)業(yè)可能進(jìn)入拐點(diǎn)。

資料顯示，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)具有較強(qiáng)的周期特性，以3-4年為周期，循環(huán)出現(xiàn)營(yíng)收高峰。例如在過(guò)去的15年中，DRAM營(yíng)收在2006年、2010年、2014年和2018年達(dá)到頂峰；NAND營(yíng)收在2007年、2011年、2015年和2018年達(dá)到頂峰。

下圖顯示主要存儲(chǔ)芯片廠商2016Q1至2022Q4之間的DRAM和NAND營(yíng)收。DRAM兩次峰值出現(xiàn)在2018年第三季度和2021年第四季度，NAND峰值出現(xiàn)在2018年第三季度和2022年第二季度。鑒于三家廠商在存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)占據(jù)較大份額，因此圖表也代表產(chǎn)業(yè)整體情況。

圖1：主要存儲(chǔ)芯片廠商的DRAM和NAND營(yíng)收（單位：百萬(wàn)美元，來(lái)源：theinformationnet.com）

按照這種周期特性，2022年是存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的景氣高峰。芯查查研究顯示，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)在2022年進(jìn)入周期峰值，以6月份為轉(zhuǎn)折點(diǎn)，下半年行情急轉(zhuǎn)直下。無(wú)論是電商價(jià)格還是市場(chǎng)價(jià)格，均在2022年Q3達(dá)到峰值，此后便一直下降。

圖注：芯查查企業(yè)SaaS顯示，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)在2022年6月達(dá)到周期高峰。

Q3價(jià)格反轉(zhuǎn)？

價(jià)格具體下降了多少？參考Yole Intelligence數(shù)據(jù)，DRAM價(jià)格自2021年Q3以來(lái)下跌了57%（2023年Q1為0.54至0.30美元），而NAND價(jià)格同期下跌了55%。當(dāng)價(jià)格下跌在2022年第三季度開(kāi)始加速時(shí)，供應(yīng)商修改2023年的支出計(jì)劃，減少2023年至2024年產(chǎn)量。倘若2023年下半年價(jià)格惡化，供應(yīng)商進(jìn)一步下調(diào)2023年生產(chǎn)計(jì)劃，最終幾乎所有存儲(chǔ)供應(yīng)商都削減投資、降低晶圓廠利用率，其結(jié)果是2023年存儲(chǔ)生產(chǎn)增長(zhǎng)史無(wú)前例地放緩，DRAM同比-9%（低于前7年的平均值~21%），NAND同比-5%（低于前7年的平均~36%）。

圖注：DRAM&NAND的價(jià)格按季度環(huán)比變化趨勢(shì)（來(lái)源：YOLE）

按照該機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格將在Q3止跌，這點(diǎn)可能符合實(shí)際情況。

供應(yīng)鏈消息指出，中國(guó)對(duì)三星內(nèi)存產(chǎn)品的需求正在增加，預(yù)計(jì)價(jià)格將上漲。三星存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格目前處于最低點(diǎn)。過(guò)去兩個(gè)月市場(chǎng)趨勢(shì)的分析表明，供應(yīng)商承受著巨大的壓力，供應(yīng)鏈也不愿意以更低低價(jià)出售產(chǎn)品。經(jīng)過(guò)多次調(diào)整，定價(jià)趨于穩(wěn)定，未來(lái)定價(jià)可能不會(huì)進(jìn)一步下跌。

雖然消費(fèi)市場(chǎng)需求沒(méi)有反彈，但企業(yè)市場(chǎng)狀況有所改善，或許能帶動(dòng)消費(fèi)市場(chǎng)，因?yàn)閮r(jià)格下跌的空間較小，下游正在利用價(jià)格低位緩慢地消耗市場(chǎng)存量。

根據(jù)Quiksol的報(bào)告，進(jìn)入到6月，存儲(chǔ)市場(chǎng)似乎處于供需博弈的階段，上游渠道期望拉升價(jià)格，終端及現(xiàn)貨商不愿妥協(xié)漲價(jià)，持觀望態(tài)度。存儲(chǔ)原廠計(jì)劃在Q3開(kāi)始提高價(jià)格，業(yè)內(nèi)人士均認(rèn)為當(dāng)下的低價(jià)已在安全界線，可以適當(dāng)建倉(cāng)備些庫(kù)存。消息稱最近部分工廠已有備貨動(dòng)作，期待已久的反轉(zhuǎn)是否會(huì)在Q3到來(lái)，重點(diǎn)關(guān)注需求端是否有起色。

庫(kù)存仍然是一個(gè)關(guān)鍵變量。

許多下游廠商已經(jīng)將庫(kù)存調(diào)整到正常水平，但供應(yīng)商試圖通過(guò)建立庫(kù)存，防止過(guò)去幾個(gè)季度的價(jià)格下跌，這些庫(kù)存現(xiàn)在像達(dá)摩克利斯之劍一樣籠罩著整個(gè)行業(yè)，但不太可能縮短價(jià)格反彈的時(shí)間。

芯查查獲悉，供應(yīng)商的大部分DRAM庫(kù)存是DDR4。對(duì)DDR4的需求正在迅速被對(duì)DDR5的需求所取代，DDR5需求庫(kù)存仍然相對(duì)較低。雖然DDR4庫(kù)存可能會(huì)持續(xù)到明年，但其他部分（例如DDR5，移動(dòng)DRAM和圖形DRAM）將緊張，價(jià)格將上漲。

NAND的生產(chǎn)削減比DRAM要大得多，將使NAND庫(kù)存更快地耗盡，從而使市場(chǎng)恢復(fù)平衡。內(nèi)存供應(yīng)商花了一年時(shí)間才達(dá)到合理制造水平，減產(chǎn)使供應(yīng)商在年底前達(dá)到某種平衡，價(jià)格或?qū)㈤_(kāi)始攀升，但供應(yīng)商不會(huì)立即增加支出和產(chǎn)量。

小結(jié)

從應(yīng)用端看，數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器引發(fā)存儲(chǔ)芯片的需求變化。從周期性來(lái)看，2023年下半年或?qū)?huì)實(shí)際看到存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)生一些變化，原廠減產(chǎn)產(chǎn)生的積極影響將顯現(xiàn)。

出于半導(dǎo)體制造的高固定投入/可變成本結(jié)構(gòu)、全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)變化、外匯匯率或國(guó)際貿(mào)易政策變化等因素影響，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的定價(jià)歷來(lái)波動(dòng)很大。目前從上游原廠和供應(yīng)鏈角度來(lái)看，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格已經(jīng)到達(dá)臨界點(diǎn)。

庫(kù)存的安全水平是一個(gè)動(dòng)態(tài)調(diào)整過(guò)程，還是遵循更廣泛的消費(fèi)者需求趨勢(shì)。基本規(guī)律是，需求提升，存儲(chǔ)芯片制造商可能會(huì)遇到更高的訂單并相應(yīng)地減少庫(kù)存；如果需求減弱，過(guò)剩的庫(kù)存可能會(huì)導(dǎo)致價(jià)格下跌。

審核編輯 黃宇