12 月 11 日訊，近日，三星電子閃存芯片項目二期第二階段 80 億美元投資正式啟動。據悉，三星電子一期投資 108 億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目；二期項目總投資 150 億美元，主要制造閃存芯片。

其中，第一階段投資約 70 億美元，明年 3 月竣工投產；第二階段投資 80 億美元，2021 年下半年竣工。二期項目建成后將新增產能每月 13 萬片，新增產值 300 億元，解決上千人就業，并帶動一批配套電子信息企業落戶，使西安成為全球水平最高、規模最大的閃存芯片制造基地。

2012 年，西安高新區成功引進三星電子存儲芯片項目，成為了三星海外投資歷史上投資規模最大的項目，項目一期于 2014 年 5 月竣工投產，項目二期于 2018 年 3 月正式開工建設，其中第一階段投資 70 億美元。按照“三年之約”，三星必須在明年 8 月前完成投資，還要全面運營西安二工廠的生產線。據了解，三星西安二工廠的新生產線設備已安裝完畢并已經開始試運行，預計明年 2 月可以實現量產。二期項目建成后將新增產能每月 13 萬片，新增產值 300 億元，解決上千人就業，并帶動一批配套電子信息企業落戶，使西安成為全球水平最高、規模最大的閃存芯片制造基地。隨著我市營商環境不斷改善，近期還有施耐德電氣、世邦魏理仕、第一太平戴維斯等世界 500 強企業在西安擴大投資或落戶。

此外，據消息人士透露，三星電子計劃在明年將內存芯片設施的資本支出增加至 65 億美元（合 462 億元人民幣），預計增加的部分資金將用于其位于西安的第二家半導體工廠。此外，三星電子將在年底宣布這項投資計劃。

業內人士認為，三星電子的額外投資計劃將為當前供過于求的 NAND 閃存市場帶來更多不確定性，并且可能成為競爭加劇的 NAND 市場的差異化戰略。

與 DRAM 不同，NAND 閃存市場正在逐漸顯示出復蘇的跡象。DRAMeXchange 的數據顯示，上個月底，128Gb 多級單元（MLC）NAND 閃存產品的價格為 4.11 美元（4，918 韓元），與上個月相比變化不大。該數字在 7 月底兩年來首次上升，8 月也增長了 2％以上。

報道指出，目前在 NAND 閃存市場上，三星電子、東芝、西部數據、美光、SK 海力士和英特爾之間競爭激烈，但盡管三星電子的加碼投資和擴張生產不會對市場產生太大影響，一方面由于其他公司正在減產，三星電子也可以因此獲得更多的市場份額。