安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術(shù)，降低了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，并進(jìn)而顯著降低了其 Qg，RDS(ON) 也降至 1mOhm 以下。
2024-06-29 10:23:43
1396 
（Lateral Double-Diffused MOSFET）、垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Planar MOSFET），溝槽型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Trench MOSFET），超結(jié)結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Super Junction MOSFET），浮島結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管等。
2023-06-05 15:12:102367 
當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:0719900 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管 LDMOS （ L ateral Double-Diffused MOSFET ）、 垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ P lanar MOSFET ）， 溝槽型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ T rench MOSFET ），超結(jié)結(jié)構(gòu) 場(chǎng)
2023-06-28 08:39:355550 
繼上一篇超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。
2024-12-27 14:52:095179 
的Trench MOSFET。 ? SGT MOSFET全稱Shielded Gate Trench MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET。SGT MOSFET基于傳統(tǒng)溝槽MOSFET，通過結(jié)構(gòu)的改進(jìn)從而
2025-07-12 00:15:003191 MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動(dòng)方式
2021-03-29 07:29:27
柵極電壓來控制漏極電流，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，需要的驅(qū)動(dòng)功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 2.功率MOSFET的結(jié)構(gòu)
2019-06-14 00:37:57
MOS柵結(jié)構(gòu)是MOSFET的重要組成部分，一個(gè)典型的N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示。其中柵極、源極和漏極位于同一個(gè)平面內(nèi)，半導(dǎo)體的另一個(gè)平面可以稱為體端，所以在一些書籍和資料中，也將MOSFET
2024-06-13 10:07:47
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
橫向?qū)щ姷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET，如下圖所示，這個(gè)結(jié)構(gòu)及其工作原理以前的文章介紹過：功率MOSFET的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)，其由三個(gè)電極：G柵極、D漏極和S源極組成。圖1：平面橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET灰色Gate柵極的寬度
2017-01-06 14:46:20
加持：優(yōu)化開關(guān)性能與可靠性
HGK075N10L 采用的 SGT（屏蔽柵溝槽）工藝是對(duì)傳統(tǒng)溝槽 MOSFET 的改良技術(shù)，其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)直接強(qiáng)化了器件的核心性能，具體優(yōu)勢(shì)如下：
降低開關(guān)損耗：SGT 工藝在
2025-11-17 14:04:46
專門的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個(gè)凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導(dǎo)通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
;Reliability (可靠性) " ，始終堅(jiān)持“品質(zhì)第一”SiC元器有三個(gè)最重要的特性：第一個(gè)高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對(duì)應(yīng)
2020-07-16 14:55:31
，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)。這個(gè)時(shí)候，有心急的網(wǎng)友就該問了，超級(jí)結(jié)究竟是何種技術(shù)，區(qū)別于平面技術(shù)，它的優(yōu)勢(shì)在哪里？各位客官莫急，看完這篇文章你就懂了！平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了
2017-08-09 17:45:55
是MOS管柵極存在的寄生電容。一般為了加快MOS管導(dǎo)通和截止的速度，降低其導(dǎo)通和截止過程中的產(chǎn)生損耗，柵極上的等效電阻是應(yīng)該越小越好，最好為0。
但我們卻經(jīng)常會(huì)看到關(guān)于MOSFET的電路中，柵極前串聯(lián)著一
2025-12-02 06:00:31
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
化。但是，像碳化硅這樣的寬帶隙（WBG）器件也給應(yīng)用研發(fā)帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，因而業(yè)界對(duì)于碳化硅 MOSFET平面柵和溝槽柵的選擇和權(quán)衡以及其浪涌電流、短路能力、柵極可靠性等仍心存疑慮。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58:06
大家好，問個(gè)在網(wǎng)上經(jīng)常碰到的問題，但我想再問得深入些。 關(guān)于MOSFET，就說NMOS管吧，平時(shí)說到柵極，大家都習(xí)慣性的串接一個(gè)柵極電阻大小從10歐--100歐不等。 而且有人說為了提高開通速度甚至
2013-02-08 15:28:29
生長(zhǎng)。 3 溝槽雙擴(kuò)散型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 從圖2的結(jié)構(gòu)知道，對(duì)于單位面積的硅片，如果要減小功率MOSFET的導(dǎo)通電阻，就要提高晶胞單位密度，也就是要減小每個(gè)晶胞單元的尺寸，即要減小柵極的所占用的面積。如果采用圖
2016-10-10 10:58:30
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請(qǐng)你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
，低功耗系列也提供耗盡型。耗盡型 MOSFET 不適合在 SMPS中使用，因?yàn)樗鼈冊(cè)诹?b class="flag-6" style="color: red">柵極電壓下完全導(dǎo)通;因此，在電源打開時(shí)，它們會(huì)出現(xiàn)短路。 關(guān)于漏電流，柵極的阻抗必須保持足夠低，以防止寄生導(dǎo)
2023-02-20 16:40:52
結(jié)構(gòu) 引言 功率MOSFET以其開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小和功耗低等優(yōu)點(diǎn)在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)時(shí)，同一橋臂上的兩個(gè)功率器件在轉(zhuǎn)換過程中，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)
2018-08-27 16:00:08
也是基于電容的特性，下面將從結(jié)構(gòu)上介紹這些寄生電容，然后理解這些參數(shù)在功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的定義，以及它們的定義條件。1、功率MOSFET數(shù)據(jù)表的寄生電容溝槽型功率MOSFET的寄生電容的結(jié)構(gòu)如圖
2016-12-23 14:34:52
描述PCB加提羅用于制作 aeg 氣槍的 mosfet 柵極的 PCB。
2022-09-12 06:46:37
平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對(duì)更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低
2018-10-17 16:43:26
電機(jī)控制
銳駿Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品采用屏蔽柵深溝槽技術(shù)，全面提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，同時(shí)降低了器件的特征導(dǎo)通電阻（Rsp）和柵極電荷（Qg）， 配合先進(jìn)的封裝技術(shù)
2024-09-23 17:07:50
驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)通，并允許電流在其漏極和源極引腳之間
2018-10-25 10:22:56
是什么，為何需要柵極驅(qū)動(dòng)器，以及如何定義其基本參數(shù)，如時(shí)序、驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度和隔離度。需要柵極驅(qū)動(dòng)器IGBT/功率MOSFET的結(jié)構(gòu)使得柵極和源極/發(fā)射極之間形成一個(gè)非線性電容。給柵極電容充電會(huì)使功率器件導(dǎo)
2018-11-01 11:35:35
高速MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
2019-03-08 22:39:53
溝槽柵低壓功率MOSFET的發(fā)展-減小漏源通態(tài)電阻Rds(on):近些年來，采用各種不同的溝槽柵結(jié)構(gòu)使低壓MOSFET 功率開關(guān)的性能迅速提高。本文對(duì)該方面的新發(fā)展進(jìn)行了論述。本文上篇著
2009-12-13 20:02:04
11 功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)電路
2009-04-02 23:36:182475 
全新高密度溝槽MOSFET（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ
2009-11-02 09:16:321221 本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40～300V)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。
2011-03-30 16:44:242528 
世界首家！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，導(dǎo)通電阻大大降低，有助于工業(yè)設(shè)備等大功率設(shè)備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:462565 關(guān)鍵詞：LED , MOSFET , PowerTrench , 高比率升壓DC-DC , 中電壓屏蔽柵極 側(cè)光式LED背光單元(BLU)功率要求 由于功耗較低、使用壽命較長(zhǎng)，發(fā)光二極管(LED
2019-03-22 16:33:01852 
數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET，其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm，這個(gè)半導(dǎo)體工藝尺寸是MOSFET柵極（溝槽）寬度。早期MOSFET使用平面結(jié)構(gòu)，溝槽寬度越小，漏極到源極距離越小，載流子流動(dòng)跨越
2022-08-20 15:03:215817 本文介紹了三個(gè)驅(qū)動(dòng)MOSFET工作時(shí)的功率計(jì)算 以及通過實(shí)例進(jìn)行計(jì)算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算和驅(qū)動(dòng)功耗計(jì)算
2022-11-11 17:33:0352 使用安森美半導(dǎo)體 40 V 和 80 V 汽車電源模塊的可靠開關(guān)性能建議（使用屏蔽柵極 MOSFET）
2022-11-15 20:20:220 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH950UPE
2023-02-07 18:54:170 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH850UPE
2023-02-07 18:54:360 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH550UPE
2023-02-07 18:54:520 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH550UNE
2023-02-07 18:55:510 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH400UNE
2023-02-07 18:56:270 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMH260UNE
2023-02-07 18:56:450 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMH1200UPE
2023-02-07 18:57:040 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKH
2023-02-07 18:57:170 50 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX5008NBKH
2023-02-07 18:57:350 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKH
2023-02-07 18:57:470 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKH
2023-02-07 18:57:590 20 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMV50XPA
2023-02-07 19:08:130 近年來超級(jí)結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:191306 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213059 
從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說。
2023-02-08 13:43:231302 
在上一篇文章中，對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說。
2023-02-08 13:43:23780 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:231106 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105634 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是，溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度，沒有JFET效應(yīng)，寄生電容更小，開關(guān)速度快，開關(guān)損耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:013341 
100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PMV240SP
2023-02-17 19:41:560 40 V N 溝道溝槽 MOSFET-PMV30ENEA
2023-02-20 20:04:350 40 V N 溝道溝槽 MOSFET-PMN30ENEA
2023-02-20 20:04:550 70 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PMT200EPE
2023-02-23 18:51:161 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門極信號(hào)（VG）時(shí)序。
2023-02-27 13:41:582279 
20 V，互補(bǔ)溝槽 MOSFET-PMCPB5530X
2023-03-02 22:47:460 100 V N 溝道溝槽 MOSFET-PMT560ENEA
2023-03-03 19:36:010 100 V N 溝道溝槽 MOSFET-PMT280ENEA
2023-03-03 19:36:110 60 V N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB40SNA
2023-03-03 20:08:232 100 V N 溝道溝槽 MOSFET-PMT760EN
2023-03-03 20:14:340 100 V N 溝道溝槽 MOSFET-PMT200CN
2023-03-03 20:14:490 SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:173263 溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進(jìn)的技術(shù)，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029391 
兩者因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">柵極都是在外延表面生長(zhǎng)出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系溃瑥膫?cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。
2023-08-28 10:10:3913856 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN040-100QS N溝道標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 11:45:140 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN028-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 11:11:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN020-100QS N溝道、標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 11:01:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN012-100QS N溝道、標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 11:05:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN012-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 10:57:380 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN011-100QS N溝道、標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 10:59:231 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PXN011-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 10:54:290 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:43:170 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK4D50-30P P溝道溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 11:35:370 MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:123845 SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171189 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:402429 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-13 09:40:4516 MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗 MOSFET驅(qū)動(dòng)器的功耗包含三部分： 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器交越導(dǎo)通（穿通
2024-10-29 10:45:212503 
特別之處，只是在傳統(tǒng)溝槽MOSFET的工藝基礎(chǔ)上做結(jié)構(gòu)改進(jìn)，提升了元器件愛你的穩(wěn)定性、低損耗等性能而已。具體一點(diǎn)就是提升了器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性，降低了器件的特征導(dǎo)通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg
2024-11-08 10:36:3412782 
上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝，使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能；采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結(jié)構(gòu)，使得器件
2025-01-03 10:19:162056 
MOSFET（U-MOSFET）作為新一代功率器件，近年來備受關(guān)注。本文將詳細(xì)解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及其技術(shù)挑戰(zhàn)。
2025-02-02 13:49:001996
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論