柵極驅(qū)動器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動電壓的影響以及驅(qū)動電源的要求。
2025-05-06 15:54:46
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。與客戶的看法形成鮮明對比的是，這些故障通常不是SiC MOSFET技術(shù)的固有弱點(diǎn)，而是圍繞柵極環(huán)路的設(shè)計(jì)選擇。特別是，對高端設(shè)備和低端設(shè)備之間的導(dǎo)通交互作用缺乏關(guān)注會導(dǎo)致因錯誤的電路選擇而引發(fā)的災(zāi)難性故障。在本文中，我們表明，在柵極電路環(huán)路中使用柵極源電容器進(jìn)行經(jīng)典的阻尼工作
2021-03-11 11:38:033365 MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點(diǎn)以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-03 11:09:572587 
柵極驅(qū)動器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計(jì)、驅(qū)動電阻選擇、死區(qū)時間等注意事項(xiàng)。
2025-04-24 17:00:432035 
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動方式
2021-03-29 07:29:27
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅(qū)動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時，還需要探討柵極驅(qū)動器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別：內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內(nèi)部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結(jié)構(gòu)，不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計(jì)劃后續(xù)進(jìn)行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
專門的溝槽式柵極結(jié)構(gòu)（即柵極是在芯片表面構(gòu)建的一個凹槽的側(cè)壁上成形的），與平面式SiC MOSFET產(chǎn)品相比，輸入電容減小了35%，導(dǎo)通電阻減小了50%，性能更優(yōu)異。圖4 SCT3030KL的內(nèi)部電路
2019-07-09 04:20:19
，基于 Si-IGBT 設(shè)計(jì)的緩沖吸收電路參數(shù)并不適用于 SiC-MOSFET 的應(yīng)用場合。為了使本研究不失一般性，本文從基于半橋結(jié)構(gòu)的 SiC-MOSFET 電路出發(fā)，推導(dǎo)出關(guān)斷尖峰電壓和系統(tǒng)寄生參數(shù)以及緩沖
2025-04-23 11:25:54
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實(shí)現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實(shí)現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項(xiàng)，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，該信息也非常有用。“柵極誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
所示，可以看出改進(jìn)后的電路很好地解決了柵極驅(qū)動信號的振蕩問題。 圖4 改進(jìn)前驅(qū)動信號波形 圖5 改進(jìn)后驅(qū)動信號波形 結(jié)論 橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)功率MOSFET在開關(guān)轉(zhuǎn)換過程中發(fā)生的直通現(xiàn)象是由于結(jié)電容
2018-08-27 16:00:08
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
項(xiàng)目名稱：基于
Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃：申請理由本人在電力電子領(lǐng)域（數(shù)字電源）有五年多的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，熟悉BUCK、BOOST、移相全
橋、LLC和全
橋逆變等
電路拓?fù)洹Ｎ?/div>
2020-04-24 18:08:05
。碳化硅有優(yōu)點(diǎn)相當(dāng)突出。是半導(dǎo)體公司兵家必爭之地。應(yīng)用場景;評估板采用常見的半橋電路配置，并配有驅(qū)動電路、驅(qū)動電源、過電流保護(hù)電路及柵極信號保護(hù)電路等評估板的主要特點(diǎn)如下：? 可評估 TO-247-4L
2020-07-26 23:24:05
TO-247-4L封裝的SCT3040KR，TO-247-3L封裝的SCT3040KL 1200V 40A插件驅(qū)動板Sic Mosfet驅(qū)動電路要求1. 對于驅(qū)動電路來講，最重要的參數(shù)是門極電荷
2020-07-16 14:55:31
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
°C 時典型值的兩倍。采用正確封裝時，SiC MOSFET 可獲得 200°C 甚至更高的額定溫度。SiC MOSFET 的超高工作溫度也簡化了熱管理，從而減小了印刷電路板的外形尺寸，并提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性
2017-12-18 13:58:36
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅(qū)動器的HEV/EV牽引逆變器設(shè)計(jì)指南
2022-11-02 12:07:56
SiC-MOSFET關(guān)斷時導(dǎo)通該MOSFET，強(qiáng)制使Vgs接近0V，從而避免柵極電位升高。評估電路中的確認(rèn)使用評估電路來確認(rèn)柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅(qū)動電路示例，柵極驅(qū)動L為負(fù)電壓驅(qū)動。CN1
2018-11-27 16:41:26
。準(zhǔn)諧振控制軟開關(guān)的低EMI工作，突發(fā)模式下的輕負(fù)載時低消耗電流工作，具備各種保護(hù)功能的最尖端功能組成，且搭載為SiC-MOSFET驅(qū)動而優(yōu)化的柵極箝位電路。另外，是工業(yè)設(shè)備用的產(chǎn)品，因此支持長期供應(yīng)
2018-12-04 10:11:25
來設(shè)置單極或雙極 PWM 柵極驅(qū)動器延遲時間短，上升和下降時間短提供用于驅(qū)動半橋的信號和電源反激式恒定導(dǎo)通時間，無需環(huán)路補(bǔ)償可以在 24V±20% 范圍內(nèi)寬松調(diào)節(jié)輸入此電路設(shè)計(jì)經(jīng)過測試并包含測試結(jié)果
2018-12-21 11:39:19
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
MOSFET一般工作在橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)模式下，如圖1所示。由于下橋MOSFET驅(qū)動電壓的參考點(diǎn)為地，較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動電路，而上橋的驅(qū)動電壓是跟隨相線電壓浮動的，因此如何很好地驅(qū)動上橋MOSFET成了設(shè)...
2021-07-27 06:44:41
闡述這些設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器(如圖1所示)以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅(qū)動器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動器的功能是驅(qū)動上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時通過快速開關(guān)時間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動器（如圖1所示）以極性相反的信號來驅(qū)動高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來控制
2018-09-26 09:57:10
作為應(yīng)用全SiC模塊的應(yīng)用要點(diǎn)，本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎(chǔ)上，介紹使用專用柵極驅(qū)動器對開關(guān)特性的改善情況。全SiC模塊的驅(qū)動模式與基本結(jié)構(gòu)這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
怎么實(shí)現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)？
2021-10-11 07:18:56
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiCMOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
柵極處獲得 20V，以便在最小 RDSon 時導(dǎo)通。 當(dāng)以0V關(guān)閉SiC MOSFET時，必須考慮一種效應(yīng)，即Si MOSFET中已知的米勒效應(yīng)。當(dāng)器件用于橋式配置時，這種影響可能會出現(xiàn)問題，尤其是
2023-02-24 15:03:59
與Si-MOSFET的柵極驅(qū)動的不同之處。主要的不同點(diǎn)是SiC-MOSFET在驅(qū)動時的VGS稍高，內(nèi)部柵極電阻較高，因此外置柵極電阻Rg需要采用小阻值。Rg是外置電阻，屬于電路設(shè)計(jì)的范疇。但是，柵極驅(qū)動電壓
2018-11-27 16:54:24
通道的器件，此規(guī)格的表述方式相同，但被稱為通道間偏斜。傳播延遲偏斜通常不能在控制電路中予以補(bǔ)償。圖6顯示了ADuM4121柵極驅(qū)動器的典型設(shè)置，其結(jié)合功率MOSFET使用，采用半橋配置，適合電源和電機(jī)
2018-10-25 10:22:56
隔離式柵極驅(qū)動器時，轉(zhuǎn)換時間大大縮短；當(dāng)驅(qū)動同一功率MOSFET時，該驅(qū)動器相比微控制器I/O引腳能夠提供高得多的驅(qū)動電流。很多情況下，由于數(shù)字電路可能會透支電流，直接用微控制器驅(qū)動較大功率MOSFET
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強(qiáng)大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計(jì)、節(jié)省了空間，并增強(qiáng)了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
高速MOSFET柵極驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
2019-03-08 22:39:53
功率MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動電路
2009-04-02 23:36:182475 
本文將詳細(xì)闡述實(shí)現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2012-12-17 15:12:468873 
本參考設(shè)計(jì)為 UPS 驅(qū)動功率級、逆變器、服務(wù)器和電信應(yīng)用中使用的半橋隔離式柵極驅(qū)動器。本參考設(shè)計(jì)基于 UCC21520 增強(qiáng)型隔離式柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動 MOSFET 和 SiC-FET。該
2015-11-16 13:46:00
34 MOSFET憑開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)在開關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能，就必須設(shè)計(jì)一個適合應(yīng)用的最優(yōu)驅(qū)動電路和參數(shù)。在應(yīng)用中MOSFET一般工作在橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)模式下，如圖1所示。
2016-10-09 19:03:5567845 
由于SiC MOSFET開關(guān)速度較快，使得橋式電路中串?dāng)_問題更加嚴(yán)重，這樣不僅限制了SiC MOSFET開關(guān)速度的提升，也會降低電力電子裝置的可靠性。針對SiC MOSFET的非開爾文結(jié)構(gòu)封裝
2018-01-10 15:41:223 主要部件選型：MOSFET柵極驅(qū)動調(diào)整電路
2019-07-02 15:06:294273 CISSOID在論文中提出了一種新的柵極驅(qū)動板，其額定溫度為125°C（Ta），它還針對采用半橋式SiC MOSFET的62mm功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。
2019-08-05 17:07:555454 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用 SiC MOSFET 時最簡單的同步式 boost 電路。該電路中使用的 SiC MOSFET 的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止 HS 和 LS
2020-12-07 22:44:0028 為解決功率MOSFET因柵極驅(qū)動信號振蕩產(chǎn)生的過熱損壞問題，從MOSFET的模型入手，給出了考慮驅(qū)動電路各寄生參數(shù)的半橋逆變電路等效模型．深入分析了柵極振蕩的產(chǎn)生機(jī)理，推導(dǎo)了各參數(shù)與振蕩之間的關(guān)系
2021-05-10 10:05:3877 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動器。隔離式柵極驅(qū)動器通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，旨在滿足 SiC（碳化硅
2022-08-09 09:03:003179 
本文介紹了三個驅(qū)動MOSFET工作時的功率計(jì)算 以及通過實(shí)例進(jìn)行計(jì)算 輔助MOSFET電路的驅(qū)動設(shè)計(jì)中電流的計(jì)算 不是mosfet導(dǎo)通電流 是mosfet柵極驅(qū)動電流計(jì)算和驅(qū)動功耗計(jì)算
2022-11-11 17:33:0352 隔離式半橋柵極驅(qū)動器用于許多應(yīng)用，從需要高功率密度和效率的隔離式DC-DC電源模塊，到高隔離電壓和長期可靠性至關(guān)重要的太陽能逆變器。本文將詳細(xì)討論這些設(shè)計(jì)概念，探討隔離式半橋柵極驅(qū)動器解決方案提供高性能和小尺寸解決方案的能力。
2023-01-17 11:08:464711 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:213059 
從本文開始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進(jìn)行解說。
2023-02-08 13:43:231302 
在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進(jìn)行了解說。
2023-02-08 13:43:23780 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:231106 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，
2023-02-16 09:40:105634 
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是，溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度，沒有JFET效應(yīng)，寄生電容更小，開關(guān)速度快，開關(guān)損耗非常低；而且
2023-02-16 09:43:013341 
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:181170 
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路，LS開關(guān)導(dǎo)通時的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的變化帶來的各處的柵極電流（綠色線）。
2023-02-27 13:43:311436 
如何為SiC MOSFET選擇合適的驅(qū)動芯片？（英飛凌官方） 由于SiC產(chǎn)品與傳統(tǒng)硅IGBT或者MOSFET參數(shù)特性上有所不同，并且其通常工作在高頻應(yīng)用環(huán)境中， 為SiC MOSFET選擇合適的柵極
2023-02-27 14:42:0483 碳化硅 MOSFET 驅(qū)動電路保護(hù) SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶器件之一，可以在多個應(yīng)用場合替換 Si MOSFET、IGBT，發(fā)揮其高頻特性，實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率密度。然而被應(yīng)用于橋式電路
2023-02-27 14:43:029 SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復(fù)雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:173264 板布局注意事項(xiàng)。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號，由于工作時MOSFET之間的動作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:021535 
新品6.5A，2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板（配SiCMOSFET）EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路，用兩個柵極驅(qū)動IC1ED3142MU12F來驅(qū)動IGBT
2023-07-31 17:55:561666 
額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此，高端設(shè)計(jì)通常選擇專用的 SiC 核心驅(qū)動器，這會考慮到更快的開關(guān)、過壓條件以及噪聲和 EMI 等問題。他說：“你總是可以使用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器，但你必須用額外的電路來補(bǔ)充它，通常這就是權(quán)衡。”
2023-10-09 14:21:401509 
MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:123845 列文章的第二部分 SiC柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵要求 和 NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的基本功能 。 分立式 SiC 柵極驅(qū) 動 為了補(bǔ)
2023-11-02 19:10:011454 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:171189 
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
2023-12-07 15:52:381285 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 報(bào)告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57995 
SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高溫性能，因此被廣泛應(yīng)用于各種驅(qū)動電路中。SIC
2023-12-21 11:15:491695 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動工業(yè)應(yīng)用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET柵極驅(qū)動電路.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-13 09:40:4516 SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能，今日開始支持批量供貨。 在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護(hù)措施有，在柵極關(guān)閉時，對柵極施加負(fù)電壓。 對于部分SiC MO
2025-03-06 19:24:014005 
在EMC中，MOSFET 柵極驅(qū)動電路常見類型
2025-04-14 16:48:121013 
BASiC_62mm SiC MOSFET半橋模塊和驅(qū)動方案介紹
2025-09-01 15:23:110 用于SiC MOSFET的帶可配置浮動雙極性輔助電源的隔離柵極驅(qū)動IC 作為電子工程師，在功率電子設(shè)計(jì)中，碳化硅（SiC）MOSFET的應(yīng)用越來越廣泛。然而，要充分發(fā)揮其性能，合適的柵極驅(qū)動解決方案
2025-12-19 15:00:09147 深入解析ACPL - 355JC：10A IGBT和SiC MOSFET柵極驅(qū)動光耦合器 在電力電子領(lǐng)域，IGBT和SiC MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其可靠驅(qū)動至關(guān)重要。今天我們要詳細(xì)探討
2025-12-30 15:40:03325 
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