安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術(shù)，降低了開關(guān)損耗和導通損耗，并進而顯著降低了其 Qg，RDS(ON) 也降至 1mOhm 以下。
2024-06-29 10:23:43
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飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 經(jīng)擴大了其 P 通道 PowerTrench? MOSFET 產(chǎn)品線 。
2012-08-10 09:58:121959 更高系統(tǒng)效率和功率密度，是現(xiàn)今數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)設(shè)計的首要目標。為達此一目的，半導體開發(fā)商研發(fā)出采用柵極屏蔽結(jié)構(gòu)的新一代溝槽式金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），可顯著降低全負載及輕負載
2014-03-25 11:07:154848 
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復雜。
2022-08-22 14:15:072180 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>
2023-08-03 11:09:572592 
`描述此高功率升壓直流/直流轉(zhuǎn)換器采用具有低柵極電荷外部 MOSFET 的控制器，針對來自 24V 電源的高達 250W 的負載提供 48V 輸出。特性帶有集成低側(cè)柵極驅(qū)動器的 TPS40210
2015-05-11 14:16:01
DC-DC升壓芯片,輸入電壓0.65v/1.5v/1.8v/2v/2.5v/2.7v/3v/3.3v/3.6v/5v/12v/24v航譽微HUB628是一款超小封裝高效率、直流升壓穩(wěn)壓電路。輸入電壓
2020-12-27 11:25:18
（Fairchild典型的開關(guān)控制器），電感的一端是連接到DC輸出電壓。另一端通過開關(guān)頻率切換連接到輸入電壓或GND。在狀態(tài)1過程中，電感會通過（高邊“high-side”）MOSFET連接到輸入電壓。在狀態(tài)
2015-05-17 18:25:47
描述DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器DC to DC轉(zhuǎn)換器在電子發(fā)燒友中頗受歡迎，并在業(yè)界廣泛使用。非隔離式直流到直流轉(zhuǎn)換器主要分為三種類型：降壓型、升壓型和降壓-升壓型。在本文/視頻中，我使用了著名
2022-07-26 07:56:08
我使用DC-DC直流升壓模塊，將DC4V供電升壓為DC12V，為用電設(shè)備供電。
當單獨提供DC4V，為升壓模塊供電時（不接用電設(shè)備），電壓4V，平均電流1mA，24小時平均功耗約為22.9mAH
2023-09-14 15:40:24
大家好，我在一個項目中需要將低電壓（如5V或3.7V）升壓至3KV及以上，系統(tǒng)功率大約為1W。由于我對DC-DC直流升壓模塊的選型及實施不太熟悉，特此請教各位高手，希望能得到以下方面的建議：
直流
2024-11-29 11:05:28
我們都知道電感的電流突變，會產(chǎn)生高的電壓，DC/DC輸出端口的電感呢？會不會產(chǎn)生高的電壓？會的話那豈不是會燒壞后面的芯片？不會的話，為什么呢？
2018-12-25 08:32:51
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 編輯
N溝道MOSFET PowerTrench??[N-Channel PowerTrench?? MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23:44
2.92A后，MOSFET的傳導損耗更大。不過，圖4中的直流傳導損耗比較不適用于大部分應(yīng)用。同時，圖5中顯示了傳導損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac
2018-08-27 20:50:45
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點，因此被廣泛的應(yīng)用于開關(guān)電源、電機控制、電動工具等
2025-05-06 17:13:58
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動方式
2021-03-29 07:29:27
（1）Vth是指當源極與漏極之間有指定電流時，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負溫度系數(shù)，選擇參數(shù)時需要考慮。
（3）不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動
2025-12-16 06:02:32
應(yīng)用。同時，圖5中顯示了傳導損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400 Vdc直流輸出電壓的工作模式下的比較曲線。圖中，MOSFET-IGBT的曲線
2021-06-16 09:21:55
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導通。可能有
2019-05-02 09:41:04
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
用于產(chǎn)生高直流輸出電壓，降壓/升壓轉(zhuǎn)換器則用于產(chǎn)生小于、大于或等于輸入電壓的輸出電壓。本文將重點介紹如何成功應(yīng)用降壓/升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。降壓和升壓轉(zhuǎn)換器已在2011年6月和9月的《模擬對話》中單獨介紹
2018-11-01 11:34:48
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
具有較低導通電阻和非常高的關(guān)斷電阻，驅(qū)動電路中的功耗大大降低。為在柵極轉(zhuǎn)換期間控制邊沿速率，Q1 的漏極和Q2的柵極之間外加一個小電阻。使用MOSFET的另一個優(yōu)點是其易于在裸片上制作，而制作電阻則相對
2021-07-09 07:00:00
負電壓柵極驅(qū)動器中的負電壓處理是指承受輸入和輸出端負電壓的能力。這些不必要的電壓可能是由于開關(guān)轉(zhuǎn)換、泄漏或布局不良引起的。柵極驅(qū)動器的負電壓承受能力對于穩(wěn)健可靠的解決方案至關(guān)重要。圖1顯示了TI柵極
2019-04-15 06:20:07
`AON7544 N溝道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技術(shù)，具有極低的RDS（on），低柵極電壓和高電流能力，非常適合應(yīng)用在DC/DC電路中
2020-05-29 08:39:05
。在隔離型1/16thbrickDC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中，Power33MOSFET的最大RDS(ON)僅為1.3mΩ，與具有同等占位面積的競爭解決方案相比減小了25%。此外，該器件減小了傳導損耗，從而
2012-04-28 10:21:32
和卓越的電壓調(diào)節(jié)。 據(jù)了解，Linear的LT3840集成的降壓-升壓型穩(wěn)壓器可產(chǎn)生7.5V MOSFET柵極驅(qū)動，以保持在2.5V至60V輸入電壓范圍內(nèi)提供高效率柵極驅(qū)動，抵御高壓瞬態(tài)并在汽車冷車
2018-09-27 15:19:03
的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應(yīng)用中，對MOSFET進行柵控的是可以提供令人滿意的RDS(on)的電壓。額外的柵極電壓會因?C x Vgs x Vgs x f產(chǎn)生功耗，其中柵極
2018-03-03 13:58:23
`羅姆低門驅(qū)動電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅(qū)動類型。 這種廣泛的驅(qū)動器類型范圍支持從小信號到高功率的各種應(yīng)用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小
2021-02-02 09:55:16
SLM6240CB-13GTR一款固定頻率、電流模式控制的PWM升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器，集成內(nèi)部功率MOSFET。其輸入電壓范圍覆蓋2.7V至5.5V，可提供高達24V的輸出電壓和4A的峰值開關(guān)電流
2025-09-10 08:21:16
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時間短于IGTB的短路耐受時間，也可以通過集成在柵極驅(qū)動器IC中的去飽和功能來保護SiC
2019-07-30 15:15:17
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關(guān)系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，該信息也非常有用。“柵極誤導通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊
2018-11-30 11:31:17
異步DC-DC轉(zhuǎn)換器中箝位二極管的正向壓降通常會產(chǎn)生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類似異步升壓型LED驅(qū)動器更高的輸出電流，特別是在低輸入電壓時。為了改善低輸入電壓時的工作性能，通過配置一
2019-09-25 13:58:43
，MOSFET的傳導損耗更大。不過，圖4中的直流傳導損耗比較不適用于大部分應(yīng)用。同時，圖5中顯示了傳導損耗在CCM (連續(xù)電流模式)、升壓PFC電路，125℃的結(jié)溫以及85V的交流輸入電壓Vac和400
2019-03-06 06:30:00
`AP8105 低功耗 PFM DC-DC 升壓芯片概述AP8105 系列產(chǎn)品是一種效率高、低紋波、工作頻率高的 PFM 升壓 DC-DC 變換器。AP8105 系列產(chǎn)品僅需要四個外圍元器件，就可
2021-07-06 11:29:18
。
再進一步講，為什么電阻是100Ω呢？
我在網(wǎng)上看到一個仿真試驗，實驗在MOSFET電路中的柵極串聯(lián)電阻R3，分別對它取1歐姆，10歐姆，50歐姆進行仿真實驗：
當R3為1歐姆時，輸出電壓Vds上
2025-12-02 06:00:31
隨著電力電子技術(shù)的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機型。高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器在以電信相關(guān)和工業(yè)設(shè)備為首的應(yīng)用中、最近在使用電池組的應(yīng)用中使用量增加，因此其需求日益高漲。然而，現(xiàn)狀是可供應(yīng)具有60V以上耐壓的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
產(chǎn)品陣容中也是最高耐壓的機型。高耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器在以電信相關(guān)和工業(yè)設(shè)備為首的應(yīng)用中、最近在使用電池組的應(yīng)用中使用量增加，因此其需求日益高漲。然而，現(xiàn)狀是可供應(yīng)具有60V以上耐壓的DC/DC轉(zhuǎn)換器
2018-12-04 10:10:43
電壓、輸出電壓都是直流電壓，而且輸入電壓比輸出電壓低，基本拓撲結(jié)構(gòu)如圖對于剛剛開始接觸和學習電路設(shè)計的新人來說，扎實的了解和掌握DC-DC變換器的運行情況，是非常有必要的。在平時的工作中，升壓式
2020-11-22 01:00:00
電壓、輸出電壓都是直流電壓，而且輸入電壓比輸出電壓低，基本拓撲結(jié)構(gòu)如圖對于剛剛開始接觸和學習電路設(shè)計的新人來說，扎實的了解和掌握DC-DC變換器的運行情況，是非常有必要的。在平時的工作中，升壓式
2021-01-02 09:00:00
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動的功率小，而且開關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴散型
2016-10-10 10:58:30
異步DC-DC轉(zhuǎn)換器中箝位二極管的正向壓降通常會產(chǎn)生的損耗。這一效率提升使LT3762能夠提供比類似異步升壓型LED驅(qū)動器更高的輸出電流，特別是在低輸入電壓時。為了改善低輸入電壓時的工作性能，通過配置一
2019-03-30 09:36:59
。 啟動時，LTC3786 在 4.5V 至 38V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，啟動后直至 2.5V 都保持工作，并可調(diào)節(jié)高達 60V 的輸出電壓。強大的 1.2Ω 內(nèi)置 N 溝道 MOSFET柵極驅(qū)動器能快速
2021-04-19 07:05:41
LT3762 是一款同步升壓型LED控制器，旨在減少高功率升壓型LED驅(qū)動器系統(tǒng)中常見的效率損耗源。該器件的同步運行可最大限度地減少異步DC-DC轉(zhuǎn)換器中箝位二極管的正向壓降通常會產(chǎn)生的損耗。這一
2019-08-02 08:14:26
低Qgd/Qgs(th)比率和高閾值電壓的MOSFET也可降低dv/dt電感誤導通的可能性。欲了解更多信息，請查閱四開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動器設(shè)計注意事項。
2019-07-16 06:44:27
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
，能夠在 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內(nèi)操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅(qū)動器，可輕松用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET以及標準
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
瞬態(tài)操作。圖1所示為硬開關(guān)關(guān)斷瞬態(tài)下，理想MOSFET的工作波形和工作順序。 圖1 升壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET的典型關(guān)斷瞬態(tài)波形 當驅(qū)動器發(fā)出關(guān)斷信號后，即開始階段1 [t=t1]操作，柵極與源極之間
2018-10-08 15:19:33
`AP8106 高效低功耗 PFM DC-DC 同步升壓芯片概述AP8106 系列產(chǎn)品是一種低功耗、效率高、低紋波、工作頻率高的 PFM 同步升壓 DC-DC 變換器。AP8106 系列產(chǎn)品僅需要
2021-07-08 11:22:03
通；P溝道MOSFET通過施加給定的負的柵-源極電壓導通。MOSFET的柵控決定了它們在SMPS轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用。例如，N溝道MOSFET更適用于以地為參考的低側(cè)開關(guān)，特別是用于升壓、SEPIC、正向和隔離
2021-04-09 09:20:10
開關(guān)MOS管與線性MOS管的區(qū)別，1.是不是開關(guān)MOS管的只有“開”與“關(guān)”2種狀態(tài)？2.是不是線性MOS管可以利用柵極的電壓大小來控制導通的比率?3.開關(guān)的MOS管是使用數(shù)字信號控制。而線性的MOS管使用模擬信號控制？
2023-03-15 11:51:44
和 –4V 輸出電壓以及 1W(...)主要特色用于在半橋配置中驅(qū)動 SiC MOSFET 的緊湊型雙通道柵極驅(qū)動器解決方案4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅(qū)動能力，適用于驅(qū)動 SiC
2018-10-16 17:15:55
可用作 K=16/1 的升壓轉(zhuǎn)換器。固定比率轉(zhuǎn)換器的工作原理與變壓器極為相似，但它執(zhí)行的不是 AC-AC 轉(zhuǎn)換，而是 DC-DC 轉(zhuǎn)換，輸出電壓為固定比例的 DC 輸入電壓。與變壓器一樣，這種轉(zhuǎn)換器
2022-10-25 08:00:00
描述 此高功率升壓直流/直流轉(zhuǎn)換器采用具有低柵極電荷外部 MOSFET 的控制器，針對來自 24V 電源的高達 250W 的負載提供 48V 輸出。特性帶有集成低側(cè)柵極驅(qū)動器的 TPS40210
2022-09-27 07:52:40
非常重要的。下一篇文章將對準諧振方式進行介紹。關(guān)鍵要點:?在使用電源IC的設(shè)計中，要使用SiC-MOSFET需要專用的電源IC。?SiC-MOSFET和Si-MOSFET的柵極驅(qū)動電壓VGS不同。?設(shè)計中使用了SiC-MOSFET驅(qū)動用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC：BD7682FJ-LB。
2018-11-27 16:54:24
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是內(nèi)置80V高耐壓MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC。80V的耐壓是非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC的業(yè)界頂級水平，在ROHM的目前產(chǎn)品陣容中，也是耐壓最高
2018-12-03 14:44:01
低Qgd/Qgs(th)比率和高閾值電壓的MOSFET也可降低dv/dt電感誤導通的可能性。欲了解更多信息，請查閱四開關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動器設(shè)計注意事項。
2018-10-30 09:05:44
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個開關(guān)周期開始時，驅(qū)動器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
新年伊始，設(shè)計師們似乎在永遠不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動器如何幫助系統(tǒng)實現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動器可以實現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
為了減小輸出電容和電感的尺寸以節(jié)省印刷電路板（PCB）空間，越來越多的高輸入電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器在更高的開關(guān)頻率下工作。然而，隨著輸出電壓降至5V和更低，設(shè)計更快的開關(guān)高輸入電壓降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
2019-07-16 23:54:06
本文主要介紹的是高功率便攜式DC-DC中MOSFET功耗的計算。
2009-04-21 11:54:56
16 本文討論了屏蔽柵極MOSFET在中等電壓MOSFET(40～300V)應(yīng)用中的優(yōu)勢。
2011-03-30 16:44:242528 
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出N溝道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，該器件經(jīng)專門設(shè)計以最大限度地減小傳導損耗和開關(guān)節(jié)點振鈴，并提升DC-DC轉(zhuǎn)換器的整體效率
2011-05-18 09:09:072362 快捷半導體擴大PowerTrench? MOSFET系列產(chǎn)品陣容
提供更高的功率密度與提升開關(guān)電源的效率
中電壓MOSFET元件采用高性能矽片減低優(yōu)化系數(shù)，提高同步整流應(yīng)用的可靠性
2012-08-17 08:52:521234 眾所周知，超級結(jié)MOSFET的高開關(guān)速度自然有利于減少開關(guān)損耗，但它也帶來了負面影響，例如增加了EMI、柵極振蕩、高峰值漏源電壓。在柵極驅(qū)動設(shè)計中，一個關(guān)鍵的控制參數(shù)就是外部串聯(lián)柵電阻（Rg）。這會抑制峰值漏-源電壓，并防止由功率MOSFET的引線電感和寄生電容引起的柵極振鈴。
2013-02-25 09:01:443842 
全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應(yīng)商Fairchild （NASDAQ： FCS） 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power MOSFET旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? MOSFET。
2016-03-22 11:44:063657 一個降壓升壓型DC / DC轉(zhuǎn)換器提供一個調(diào)節(jié)輸出電壓，即使當輸入電壓低于或高于所要求的負載。降壓-升壓轉(zhuǎn)換器充分滿足了電池供電的消費設(shè)備的需要
2017-06-19 11:34:4912 高端冰箱電源的全面解決方案。通過結(jié)合一流的屏蔽柵極Trench Power MOSFET技術(shù)和電荷平衡高電壓MOSFET技術(shù)，已設(shè)計出輕負載時效率超過90%的開關(guān)電源。
2018-06-12 09:08:001257 
用于高效率降壓型或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器具有強大的柵極驅(qū)動
2021-03-19 07:15:032 中，我們將對相應(yīng)的對策進行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明。
2021-06-12 17:12:003578 
DC-DC是英語直流變直流的縮寫，所以DC-DC電路是某直流電源轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌?b class="flag-6" style="color: red">電壓值的電路。DC-DC變換器的基本電路有升壓變換器、降壓變換器、升降壓變換器三種。在同一電路中會有升壓反向、降壓升壓等功能
2021-11-09 19:51:00107 為滿足低壓應(yīng)用中的某些特定的較高電壓需求，升壓DC-DC穩(wěn)壓器將低輸入電壓轉(zhuǎn)換為高輸出電壓，典型電路組成包括：電感器、功率MOSFET、整流二極管、控制IC、輸入和輸出電容器。
2022-04-19 15:12:192215 MOSFET驅(qū)動器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動器，可利用一個同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達100V的電源電壓來驅(qū)動兩個N溝道MOSFET。強大的驅(qū)動能力降低了具高柵極電容MOSFET中的開關(guān)損耗。針對
2022-10-25 09:19:342413 
使用安森美半導體 40 V 和 80 V 汽車電源模塊的可靠開關(guān)性能建議（使用屏蔽柵極 MOSFET）
2022-11-15 20:20:220 MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，當VGS電壓達到MOSFET的開啟電壓時，MOSFET導通等同開關(guān)導通，有IDS通過，實現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:051549 從本文開始，我們將進入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22878 
上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOSFET在LS導通時的動作情況。
2023-02-08 13:43:231107 
本文的關(guān)鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:161830 
在 MOSFET 中設(shè)計以實現(xiàn)安全可靠的柵極驅(qū)動操作-AN90001
2023-03-01 18:38:549 本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:022133 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:123845 SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:171189 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:402429 HRF系列DC-DC升壓變換器，寬電壓輸入，高電壓穩(wěn)定輸出
2024-10-31 16:06:291221 
在EMC中，MOSFET 柵極驅(qū)動電路常見類型
2025-04-14 16:48:121016 
在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及新能源領(lǐng)域，MOSFET的導通損耗與動態(tài)響應(yīng)直接影響系統(tǒng)能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結(jié)合屏蔽柵技術(shù)，突破傳統(tǒng)性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導通電阻與300A持續(xù)電流能力，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。
2025-06-11 09:37:31754 
一、MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用開關(guān)功能DC-DC變換器的核心工作原理是通過高頻開關(guān)操作將輸入直流電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出直流電壓。MOSFET作為開關(guān)元件，在此過程中起著至關(guān)重要的作用
2025-07-02 10:04:00560 
在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET以其高開關(guān)速度和低導通損耗而被廣泛應(yīng)用于電源管理、馬達驅(qū)動及DC-DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域。然而，F(xiàn)AE在現(xiàn)場調(diào)試和失效分析中發(fā)現(xiàn)，柵極電壓異常或失控是造成MOSFET失效的常見
2025-10-23 09:54:26656 
在電子工程領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，其性能直接影響著各類電源和電路的效率與穩(wěn)定性。今天，我們就來深入了解一款由 onsemi 推出的 N 溝道屏蔽柵 PowerTrench MOSFET——NTMFS7D5N15MC，看看它在實際應(yīng)用中能為我們帶來哪些驚喜。
2025-12-02 14:31:27327 
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