閾值電壓：根據(jù)器件的傳輸特性、漏極電流 (ld) 與柵極電壓 (Vg) 曲線(xiàn)。在測(cè)試碳化硅 (SiC) MOSFET時(shí)，正向柵極電壓掃描和反向柵極電壓掃描都表現(xiàn)出滯后效應(yīng)。這種效應(yīng)主要是由于陷阱引起的，并導(dǎo)致閾值電壓的偏移。這種閾值電壓的差異會(huì)影響一些器件參數(shù)，如漏電流和導(dǎo)通電阻。
2025-11-08 09:32:38
7048 
極電流保持比例的關(guān)系，漏極電流恒定，因此柵極電壓也保持恒定，這樣柵極電壓不變，柵源極間的電容不再流過(guò)電流，驅(qū)動(dòng)的電流全部流過(guò)米勒電容。過(guò)了米勒平臺(tái)后，MOSFET完全導(dǎo)通，柵極電壓和漏極電流不再受轉(zhuǎn)移特性的約束，就繼續(xù)地增大，直到等于驅(qū)動(dòng)電路的電源的電壓。
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2025-02-26 14:41:53
防止兩個(gè)MOSFET管直通，通常串接一個(gè)0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。這兩種電路特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。 功率MOSFET 屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加
2019-06-14 00:37:57
如圖2b、c和d所示。在實(shí)際應(yīng)用中，一般不特指時(shí)的MOSFET都是增強(qiáng)型MOSFET，即在柵極不控制時(shí)，漏極-源極之間可以承受正偏置電壓。
在圖1中，點(diǎn)劃線(xiàn)框內(nèi)就是典型的MOS結(jié)構(gòu)，或者稱(chēng)為MOS柵
2024-06-13 10:07:47
(引起不必要的低邊FET導(dǎo)通)，使低邊(或同步)FET出現(xiàn)柵極尖峰電壓。實(shí)際上，當(dāng)Q2的漏源極的電壓升高時(shí)，電流就會(huì)經(jīng)由柵漏電容CGD 流入總柵極電阻RG ，如圖3(a)所示。因此，它會(huì)導(dǎo)致同步FET Q2
2019-05-13 14:11:31
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導(dǎo)通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說(shuō)，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導(dǎo)通。可能有
2019-05-02 09:41:04
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過(guò)的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
導(dǎo)通電阻方面的課題，如前所述通過(guò)采用SJ-MOSFET結(jié)構(gòu)來(lái)改善導(dǎo)通電阻。IGBT在導(dǎo)通電阻和耐壓方面表現(xiàn)優(yōu)異，但存在開(kāi)關(guān)速度方面的課題。SiC-DMOS在耐壓、導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)速度方面表現(xiàn)都很優(yōu)異
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導(dǎo)通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開(kāi)關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開(kāi)關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開(kāi)啟電壓，所以
2019-04-09 04:58:00
確認(rèn)現(xiàn)在的產(chǎn)品情況，請(qǐng)點(diǎn)擊這里聯(lián)系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對(duì)SiC上形成的柵極氧化膜，通過(guò)工藝開(kāi)發(fā)和元器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來(lái)比較各產(chǎn)品效率的演示機(jī)
2018-11-27 16:38:39
尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中，選擇緩沖吸收電路參數(shù)時(shí)，為防止 SiC-MOSFET開(kāi)關(guān)在開(kāi)通瞬間由于吸收電容器上能量過(guò)多、需通過(guò)自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命，需要對(duì) RC 緩沖吸收
2025-04-23 11:25:54
）可能會(huì)嚴(yán)重影響全局開(kāi)關(guān)損耗。針對(duì)此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護(hù)功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當(dāng)電源開(kāi)關(guān)關(guān)閉時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將會(huì)工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應(yīng)導(dǎo)通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開(kāi)啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開(kāi)啟電壓由肖特基勢(shì)壘的勢(shì)壘高度決定，通常如果將勢(shì)壘高度
2019-03-14 06:20:14
拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)，其中 SiC MOSFET 用于高頻開(kāi)關(guān)，Si IGBT 用于低頻開(kāi)關(guān)。隔離式柵極驅(qū)動(dòng) 器必須能夠驅(qū)動(dòng)不同要求的開(kāi)關(guān)，其中較多的是并聯(lián)且采用硅 IGBT/SiC MOS 混合式多電平配置。客戶(hù)
2018-10-30 11:48:08
采用IGBT這種雙極型器件結(jié)構(gòu)（導(dǎo)通電阻變低，則開(kāi)關(guān)速度變慢），就可以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、高耐壓、快速開(kāi)關(guān)等各優(yōu)點(diǎn)兼?zhèn)涞钠骷?. VD - ID特性SiC-MOSFET與IGBT不同，不存在開(kāi)啟電壓，所以
2019-05-07 06:21:55
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開(kāi)關(guān)）時(shí)高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動(dòng)作的現(xiàn)象。通過(guò)下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為
2021-07-09 07:00:00
結(jié)構(gòu) 引言 功率MOSFET以其開(kāi)關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)功率小和功耗低等優(yōu)點(diǎn)在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)時(shí)，同一橋臂上的兩個(gè)功率器件在轉(zhuǎn)換過(guò)程中，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)
2018-08-27 16:00:08
SOT-23/SC-59 marking/標(biāo)記 SA 快速開(kāi)關(guān)/邏輯電平兼容 最大源漏極電壓Vds Drain-Source Voltage100V最大柵源極電壓Vgs(±) Gate-Source
2019-11-13 11:00:58
的應(yīng)用中，門(mén)極最好有負(fù)壓偏置，加快關(guān)斷速度的同時(shí)提高抗干擾能力。c, 關(guān)于SiC MOSFET，與傳統(tǒng)Si MOSFET相比，SiC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的要求就比較高了，下圖是SCT30N120的跨導(dǎo)
2016-11-28 13:38:47
MOS管的開(kāi)關(guān)電路中柵極電阻R5和柵源極級(jí)間電阻R6是怎么計(jì)算的？在這個(gè)電路中有什么用。已知道VDD=3.7V，在可變電阻狀態(tài)中，作為開(kāi)關(guān)電路是怎么計(jì)算R5和R6？
2021-04-19 00:07:09
電荷和開(kāi)關(guān)頻率在確定MOSFET技術(shù)的最終工作點(diǎn)和選用方面起著重要作用。MOSFET既可工作在第一象限，也可工作在第三象限。沒(méi)有施加?xùn)?源極電壓時(shí)，寄生體二極管導(dǎo)通。當(dāng)柵極沒(méi)有電壓時(shí)，流入漏極的電流
2018-03-03 13:58:23
有助于在應(yīng)用程序中節(jié)省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開(kāi)關(guān)和低導(dǎo)通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅(qū)動(dòng)；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通，進(jìn)一步降低了開(kāi)關(guān)損耗。
當(dāng) VCC 低于規(guī)定的閾值電壓時(shí)，UVLO 電路工作，可有效防止芯片的誤動(dòng)作。設(shè)計(jì)中 的 EN 引腳可以使芯片進(jìn)入低靜態(tài)電流狀態(tài)， 并獲得較長(zhǎng)的電池壽命
2025-03-07 09:27:56
更低（對(duì)于IGBT來(lái)說(shuō)是集電極電流、集電極-發(fā)射極間電壓）。不言而喻，Vd-Id特性也是導(dǎo)通電阻特性。根據(jù)歐姆定律，相對(duì)Id，Vd越低導(dǎo)通電阻越小，特性曲線(xiàn)的斜率越陡，導(dǎo)通電阻越低。IGBT的低Vd（或
2018-12-03 14:29:26
，以及源漏電壓進(jìn)行采集，由于使用的非隔離示波器，就在單管上進(jìn)行了對(duì)兩個(gè)波形進(jìn)行了記錄：綠色：柵極源極間電壓；黃色：源極漏極間電壓；由于Mosfet使用的SiC材料，通過(guò)分析以上兩者電壓的導(dǎo)通時(shí)間可以判斷出
2020-06-07 15:46:23
導(dǎo)電溝道越大，則導(dǎo)通電阻越小；但是柵極驅(qū)動(dòng)電壓太大的話(huà)，很容易將柵極和漏極之間絕緣層擊穿，造成Mosfet管的永久失效；3.為了增加開(kāi)關(guān)管的速度，減少開(kāi)關(guān)管的關(guān)斷時(shí)間是有必要的；且為了提高Mosfet管
2020-07-16 14:55:31
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
逆變器中驅(qū)動(dòng) SiC，尤其是在功率級(jí)別&amp;gt;100kW和使用800V電壓母線(xiàn)的情況下，系統(tǒng)需要一款具有可靠隔離技術(shù)、高驅(qū)動(dòng)能力以及故障監(jiān)控和保護(hù)功能的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器。牽引
2022-11-03 07:38:51
、SOURCE引腳的狀態(tài)，將二極管電橋的整流電壓轉(zhuǎn)換為所需的穩(wěn)定DC電壓。通過(guò)FB引腳和SOURCE引腳來(lái)控制開(kāi)關(guān)SiC MOSFET的ON寬度（關(guān)斷），通過(guò)ZT引腳來(lái)控制其OFF寬度（導(dǎo)通）。如欲了解更詳細(xì)
2022-07-27 11:00:52
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
柵極（Gate），漏極（Drain）和源極（Source）。功率MOSFET為電壓型控制器件，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，驅(qū)動(dòng)的功率小，而且開(kāi)關(guān)速度快，具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有橫向雙擴(kuò)散型
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
，導(dǎo)致Cp上的電壓降低。反激開(kāi)關(guān)MOSFET 源極流出的電流（Is）波形的轉(zhuǎn)折點(diǎn)的分析。 很多工程師在電源開(kāi)發(fā)調(diào)試過(guò)程中，測(cè)的的波形的一些關(guān)鍵點(diǎn)不是很清楚，下面針對(duì)反激電源實(shí)測(cè)波形來(lái)分析一下。問(wèn)題一
2018-10-10 20:44:59
IGBT和SiC MOSFET的電壓源驅(qū)動(dòng)和電流源驅(qū)動(dòng)的dv/dt比較。VSD中的柵極電阻表示為Rg，控制CSD柵極電流的等效電阻表示為R奧特雷夫。 從圖中可以明顯看出，在較慢的開(kāi)關(guān)速度（dv/dt
2023-02-21 16:36:47
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因?yàn)轶w二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開(kāi)關(guān)性能、極小
2022-04-19 08:00:00
驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過(guò)低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)通過(guò)快速開(kāi)關(guān)時(shí)間降低開(kāi)關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
MOSFET柵極充電所需的高電流。在此，柵極驅(qū)動(dòng)器以差分方式驅(qū)動(dòng)脈沖變壓器的原邊，兩個(gè)副邊繞組驅(qū)動(dòng)半橋的各個(gè)柵極。在這種應(yīng)用中，脈沖變壓器具有顯著優(yōu)勢(shì)，不需要用隔離式電源來(lái)驅(qū)動(dòng)副邊MOSFET. 圖3.
2018-09-26 09:57:10
1、結(jié)構(gòu) 第一個(gè)功率MOSFET - 與小信號(hào)MOSFET不同 -出現(xiàn)在1978年左右上市，主要供應(yīng)商是Siliconix。它們是所謂的V-MOS設(shè)備。MOSFET的特點(diǎn)是源極和漏極之間的表面
2023-02-20 16:40:52
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中，ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiCMOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測(cè)量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測(cè)試（圖
2023-02-22 16:34:53
小型化。然而，必須首先解決一個(gè)問(wèn)題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導(dǎo)通會(huì)造成導(dǎo)通電阻性能下降。將肖特基勢(shì)壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結(jié)構(gòu)，但發(fā)現(xiàn)用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
MOSFET的柵極電荷特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程
2021-04-14 06:52:09
輸入動(dòng)作禁止功能）、過(guò)流保護(hù)、二次側(cè)電壓過(guò)壓保護(hù)等。在高耐壓應(yīng)用中，與Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET具有開(kāi)關(guān)損耗及傳導(dǎo)損耗少、溫度帶來(lái)的特性波動(dòng)小的優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)有利于解決近年來(lái)的重要課題
2018-11-27 16:54:24
Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流。■負(fù)載開(kāi)關(guān)等效電路圖關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)ON時(shí)的浪涌電流應(yīng)對(duì)
2019-07-23 01:13:34
N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開(kāi)關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱(chēng)為導(dǎo)通電阻RDS（ON）。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是
2011-08-17 14:18:59
） MOSFET很難在圖騰柱PFC拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下工作，因?yàn)轶w二極管的反向恢復(fù)特性很差。碳化硅（SiC） MOSFET采用全新的技術(shù)，比Si MOSFET具有更勝一籌的開(kāi)關(guān)性能、極小
2022-05-30 10:01:52
防止兩個(gè)MOSFET管直通，通常串接一個(gè)0.5～1Ω小電阻用于限流，該電路適用于不要求隔離的中功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。這兩種電路特 點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。 功率MOSFET屬于電壓型控制器件，只要柵極和源極之間施加
2023-02-27 11:52:38
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
引腳，并僅使用體二極管換流工作的電路。Figure 6 是導(dǎo)通時(shí)的漏極 - 源極間電壓 VDS 和漏極電流 ID 的波形。這是驅(qū)動(dòng)條件為 RG_EXT＝10Ω、VDS＝800V，ID 約為 50A
2020-11-10 06:00:00
所示的電路圖進(jìn)行了雙脈沖測(cè)試，在測(cè)試中，使低邊（LS）的MOSFET執(zhí)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作。高邊（HS）MOSFET則通過(guò)RG_EXT連接柵極引腳和源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并且僅用于體二極管的換流工作。在電路圖
2022-06-17 16:06:12
。
圖中的波形從上往下依次為柵極電壓Vgs、漏源電壓Vds和漏源電流Ids。在測(cè)試過(guò)程中，SiC MOSFET 具有極快的開(kāi)關(guān)速度，可在十幾納秒內(nèi)完成開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。然而，由于高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的電磁干擾（EMI
2025-04-08 16:00:57
由于SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度較快，使得橋式電路中串?dāng)_問(wèn)題更加嚴(yán)重，這樣不僅限制了SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度的提升，也會(huì)降低電力電子裝置的可靠性。針對(duì)SiC MOSFET的非開(kāi)爾文結(jié)構(gòu)封裝
2018-01-10 15:41:22
3 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用 SiC MOSFET 時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式 boost 電路。該電路中使用的 SiC MOSFET 的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止 HS 和 LS
2020-12-07 22:44:0028 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供功率MOSFET，為什么要在柵極和源極間并聯(lián)一個(gè)電阻?資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶(hù)指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-03-29 16:49:3720 中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明。
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線(xiàn)電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。 在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442954 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的行為不同。
2022-07-06 12:30:422229 SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開(kāi)啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過(guò)，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:051549 本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開(kāi)關(guān)動(dòng)作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
2022-12-05 09:52:551552 從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線(xiàn)路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過(guò)的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說(shuō)。
2023-02-08 13:43:231302 
在上一篇文章中，對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說(shuō)。
2023-02-08 13:43:23780 
上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231163 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過(guò)采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來(lái)防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒(méi)有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過(guò)米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過(guò)增加誤導(dǎo)通抑制電容器來(lái)處理。
2023-02-09 10:19:151943 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:161830 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2023-02-09 10:19:20963 
通過(guò)驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開(kāi)關(guān)損耗本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝產(chǎn)品相比，SiC MOSFET的柵-源電壓的...
2023-02-09 10:19:20997 
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊（HS）和低邊（LS）是交替導(dǎo)通的，為了防止HS和LS同時(shí)導(dǎo)通，設(shè)置了兩個(gè)SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時(shí)間。右下方的波形表示其門(mén)極信號(hào)（VG）時(shí)序。
2023-02-27 13:41:582279 
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路，LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的變化帶來(lái)的各處的柵極電流（綠色線(xiàn)）。
2023-02-27 13:43:311436 
當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)變化（下述波形示意圖T1）。此時(shí)LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動(dòng)，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的極性產(chǎn)生公式（1
2023-02-28 11:32:321031 
下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號(hào)。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一樣的。
2023-02-28 11:35:52745 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線(xiàn)電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。
2023-02-28 11:36:501615 
SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-04-06 09:11:461833 
布局注意事項(xiàng)。 橋式結(jié)構(gòu)SiC MOSFET的柵極信號(hào)，由于工作時(shí)MOSFET之間的動(dòng)作相互關(guān)聯(lián)，因此導(dǎo)致SiC MOSFET的柵－源電壓中會(huì)產(chǎn)生意外的電壓浪涌。這種浪涌的抑制方法除了增加抑制電路外，電路板的版圖布局也很重要。希望您根據(jù)具體情況，參考本系列文章中介紹的
2023-04-13 12:20:022133 SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介
2023-05-08 11:23:141571 是兩個(gè)重要的參數(shù)，它們對(duì)電流的影響非常顯著。 首先，我們來(lái)討論MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響。在MOSFET中，柵極電路的電壓控制著源極和漏極之間的電流流動(dòng)。當(dāng)柵極電路的電壓為零時(shí)，MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，即沒(méi)有電流通過(guò)MOSFET。當(dāng)柵極電路的電壓為正時(shí)，會(huì)形成一
2023-10-22 15:18:123845 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 14:46:221105 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 16:35:571015 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171189 
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電路和Turn-on/Turn-off動(dòng)作
2023-12-07 15:52:381285 
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:261150 與工作原理 功率MOSFET主要由四層結(jié)構(gòu)組成：柵極（Gate）、漏極（Drain）、源極（Source）和氧化層（Oxide）。柵極與源極之間有一層絕緣的氧化層，漏極與源極之間有一層導(dǎo)電溝道。當(dāng)柵極施加正向電壓時(shí)，會(huì)在氧化層下方形成一個(gè)導(dǎo)電通道，使漏極和
2024-01-17 17:24:362890 
阻和快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。它由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個(gè)部分組成。柵極通過(guò)控制柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。 MOS驅(qū)動(dòng)芯片
2024-07-14 10:56:431858 的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個(gè)部分組成。柵極與襯底之間有一層絕緣的氧化物層，稱(chēng)為柵氧化物。當(dāng)柵極電壓（Vg）高于閾值電壓（Vth）時(shí)，柵氧化物下方的襯底表面形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)源極和漏極之間的導(dǎo)通。
2024-08-01 09:19:552997 柵極驅(qū)動(dòng)IC（Gate Driver IC）和源極（Source）是兩個(gè)在電子和電力電子領(lǐng)域中常見(jiàn)的概念，它們?cè)诠δ芎蛻?yīng)用上有著明顯的區(qū)別。 柵極驅(qū)動(dòng)IC（Gate Driver IC） 定義與功能
2024-09-18 09:45:162601 柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類(lèi)似于“開(kāi)關(guān)”，通過(guò)施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會(huì)在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202750 
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