并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應時間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復制的。
2022-11-14 15:34:19
2378 
新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業規格的認證，支持苛刻環境下的非易失性代碼存儲和數據記錄應用，包括航天和工業應用。
2021-04-01 11:10:543053 0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標準的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監視器和8k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS
2020-09-17 17:24:23
。時鐘精度（DIP模塊）DS1556保證在25攝氏度下每月保持1分鐘的時間精度。RTC由達拉斯半導體公司在工廠使用非易失性調諧元件進行校準，無需額外校準。因此，現場時鐘校準方法不可用，也不必要。電氣
2020-09-16 17:17:42
?在引導閃存之間選擇 ?設置ASIC配置/配置文件 ?服務器 ?網絡存儲 ?路由器 ?電信設備 ?PC外圍設備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失性SRAM（nv SRAM）結合了賽普拉斯行業領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規異步SRAM。nv SRAM執行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
數字電位器存儲類型標注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設當前已經調節好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態位置，不再是3.5kΩ這個位置了。“非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎
2024-11-21 07:15:57
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數的可變數字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
Maxim推出帶有用戶可編程非易失(NV)存儲器的質詢-響應安全認證IC DS28E10。采用經過業內認證的FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1),結合主控制器提供的可編程私鑰和隨機質詢的命令實現整個認
2010-08-14 15:12:2617 DS3070W是Dallas公司最新推出的單片、內含實時時鐘的非易失性靜態存儲器。該器件內部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、實時時鐘和一個鋰錳（ML）可充電電池。介紹了DS3070W的性能
2010-12-06 15:31:4622 DS4301非易失、32抽頭數字電位器
DS4301是一款單32抽頭線性數字電位器，具有200kΩ端到端電阻?；瑒佣宋恢么鎯υ贓EPROM中，因此DS4301上電時就處于最近
2008-10-01 23:49:531158 
DS1804 非易失調節電位器
DS1804 NV微調電位器是非易失數字電位器，具有100個抽頭位置。為CPU控制或手動控制輸入的低成本電路調節應用提供了一個理
2008-10-02 00:00:572415 
新一代NV SRAM技術
第一代NV SRAM模塊問世近20年來，NV SRAM技術不斷更新，以保持與各種應用同步發展，同時滿足新的封裝技術不斷增長的需求。
發展與現狀
2008-11-26 08:24:531237 
摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設計原則，首先需要知道電池備份存儲器的開發歷史。 開發NV SRAM的目的是生產一種類似于IC的混合存儲器產品，利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-23 10:17:05688 摘要：為了理解Maxim的單芯片模塊設計原則，首先需要知道電池備份存儲器的開發歷史。 開發NV SRAM的目的是生產一種類似于IC的混合存儲器產品，利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-24 09:13:42635 該DS1557是一個全功能實時時鐘/日歷(RTC的同一個RTC報警，看門狗定時器，上電復位，電池監控)，以及512K的× 8非易失性靜態RAM。用戶訪問DS1557內部所有寄存器完成了一個字節寬
2010-09-15 09:51:321001 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數據資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:421307 
DS1554是一個全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實時時鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時器/日歷(RTC)上電復位，電池監控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081867 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 該DS9034PCX PowerCap的設計是一個在達拉斯半導體非易失時鐘RAM的鋰動力源的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。經過PowerCap模塊板焊接已經到位并清洗，DS9034PCX PowerCap是放置在PCM
2010-10-21 08:58:121494 
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態NV SRAM，
2010-10-21 09:01:271211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:591214 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321445 DS1647為512k x 8非易失性靜態RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節寬的格式訪問靜態RAM。非易失性RAM是計時功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:041281 
DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51992 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:521000 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271689 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:531078 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:281161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:312112 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:021215 
DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個EEPROM查詢表，和一個數字式溫度傳感器組成。兩個DAC可以編程為任意的溫度系數，這意味著無需任何外部器件，就可以修正任何系統的溫度影響。
2011-01-22 09:29:11735 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘(RTC)、CPU監控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應用提供篡改保護
2011-04-27 10:23:371200 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關的模擬到數字轉換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
DS1500為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節內置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個32.768kHz頻率的輸出
2011-12-19 11:08:182147 
DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘
2011-12-19 11:15:392071 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:41:501101 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:49:181560 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態非易失性內存 。
2012-01-04 10:53:261584 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 DS1323設計靈活的非易失控制器帶有鋰電池監測器，采用CMOS電路設計，用于解決CMOS SRAM轉換成非易失存儲器的實際應用問題。
2012-04-16 12:11:022664 DS1314非易失控制器，帶有電池監視器是一個CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。
2012-07-19 14:21:121865 
DS1312電池監視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1218非易失控制器芯片供應電路要求提供標準CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。
2012-07-19 14:30:074121 
DS1855雙路非易失性（NV）數字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864 
使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 The nonvolatile timekeeping family of real-time clock （RTC） products provide battery-backed NV SRAM
2017-04-07 09:57:023 為適應底層存儲架構的變化，上層數據庫系統已經經歷了多輪的演化與變革．在大數據環境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節尋址等為特征的新型非易失存儲器件（NVM）的出現，勢必對數據庫系統帶來重大
2018-01-02 19:04:400 事實上，除了這些傳統要求，在前兩代非易失FPGA產品的經驗基礎上，萊迪思半導體（Lattice Semiconductor）公司還認識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現場邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 。本文存儲芯片供應商宇芯電子先帶大家認識一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡介 在現代計算機系統中，存在大量內存。其中大多數是名稱不合時宜的隨機存取存儲器（RAM）。這個名稱意義不大，因為當今所有內存都是隨機訪問的。當工程
2020-09-11 16:09:322230 NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲數據，而且在封裝技術方面也很有競爭力。這些器件適用于需要安全數據存儲以及幾乎不需要現場維護的場合。 因此將比較它需要多長時間來擦除64Kb數據及寫入新數據
2020-10-27 14:22:51772 電子發燒友網站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細講解.pdf》資料免費下載
2020-11-25 11:12:0026 NV-SRAM具有以下優點，可以滿足理想SRAM器件的要求，該器件適用于游戲應用中的非易失性緩存實施。 快速訪問：系統性能與所使用的高速緩存的訪問速度直接相關。如果管理不當，則連接到快速控制器的慢速
2020-12-18 14:44:281216 
賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍
2020-12-22 15:18:33851 一種由普通SRAM、后備電池以及相應控制電路集成的新型存儲器：非易失性SRAM（NVSRAM）。 為解決SRAM的數據保存問題，國外著名半導體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產品，國內也有同類產品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產品，廣大用戶如何選擇質優價廉的產品呢？建議用戶根據以
2021-01-11 16:44:202306 NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨立的非易失性存儲器，業界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時立即捕獲 SRAM 數據的副本并將其保存到非易失性存儲器中，并
2022-06-10 15:23:011441 電子發燒友網站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載
2022-07-12 10:20:410 STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發性，保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關技術支持。
2022-11-29 15:57:582187 達拉斯半導體非易失性（NV）SRAM由內部電池備份。市場上的其他一些NV存儲器，如NOVRAM，使用內部EEPROM備份數據。本應用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:592053 
作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發送）。
2023-01-12 11:30:521731 
DS1213 SmartSocket產品已達到使用壽命，可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產品進行更換。使用該替換模塊產品，客戶將安裝完整的一體式內存解決方案。
2023-01-12 16:11:591871 
結果表明，非易失性（NV）SRAM是用于存儲安全數據的最安全的存儲器。通過使用 DES 或三重 DES 加密內存，可以建立加密邊界，使安全信息不被黑客滲透。通過使用防篡改反應傳感器，可以進一步保護
2023-03-01 16:16:281570 
其數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續航特性，它適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39882 電子發燒友網站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲.zip》資料免費下載
2023-06-15 14:35:410 賽普拉斯的NV-SRAM將標準快速SRAM單元（訪問時間高達20 ns）與基于硅氧化物和亞硝酸鹽，氧化物硅（SONOS）的非易失性存儲元件相結合，可提供快速的異步讀寫訪問速度，并在其整個工作范圍內具有20年的數據保留。
2024-01-09 10:54:281370 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09952 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54825 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC
2025-02-27 10:10:50933 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。
2025-02-27 15:38:41750 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。
2025-02-27 15:44:58892 
DS9034PCX PowerCap作為非易失性計時RAM的鋰電源，采用Dallas Semiconductor的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。PowerCap模塊板焊接到位并清潔
2025-02-28 10:07:12806 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節NV用戶存儲器。DS4550采用數字編程替代硬件跳線和機械開關，實現對數
2025-05-26 09:50:50684 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節NV用戶存貯器。與用來控制數字邏輯節點的硬件跳線和機械開關相比，DS4520為用戶提供了數字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
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