并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應時間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復制的。
2022-11-14 15:34:19
2379 
0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數字電位器，能夠實現機械電位器的功能，用簡單的2線數字接口取代機械調節。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標準的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監視器和8k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS
2020-09-17 17:24:23
特征?集成NV SRAM、實時時鐘（RTC）、晶體、電源故障控制電路和鋰能源?時鐘寄存器與靜態RAM訪問相同；這些寄存器位于16個頂級RAM位置?世紀字節寄存器（即符合Y2K）?完全不易揮發，在斷電
2020-09-16 17:17:42
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結合了賽普拉斯行業領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規異步SRAM。nv SRAM執行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
數字電位器存儲類型標注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設當前已經調節好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態位置，不再是3.5kΩ這個位置了?！?b class="flag-6" style="color: red">非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎
2024-11-21 07:15:57
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數的可變數字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
DESCRIPTIONThe DS1746 is a full-function, year-2000-compliant (Y2KC), real-time clock/calendar (RTC
2008-08-10 10:39:53
16 Xicro公司生產的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫串行 RAM 具有功耗低, 擦寫速度快的特點 ,它采用 SPI 三總線接口,可與各種單片機連接,且具有很完善的數據保護功能。本文從應用角度出發
2009-04-25 16:01:3518 具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬度的接口對DS1747內部的所有寄存器進行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
DS4301非易失、32抽頭數字電位器
DS4301是一款單32抽頭線性數字電位器，具有200kΩ端到端電阻?；瑒佣宋恢么鎯υ贓EPROM中，因此DS4301上電時就處于最近
2008-10-01 23:49:531158 
DS1643, DS1643P 非易失時鐘RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:451248 
The DS1642 is a 2k x 8 nonvolatile static RAM and a full-function real-time clock (RTC), both
2010-05-29 08:26:571161 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數據資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:421307 
DS1554是一個全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實時時鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時器/日歷(RTC)上電復位，電池監控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081867 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態NV SRAM，
2010-10-21 09:01:271211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:591214 DS1647為512k x 8非易失性靜態RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節寬的格式訪問靜態RAM。非易失性RAM是計時功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:041281 
MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap
2010-10-28 08:46:50900 DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51992 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:521000 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271689 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:531078 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:281161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:312113 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:021215 
DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個EEPROM查詢表，和一個數字式溫度傳感器組成。兩個DAC可以編程為任意的溫度系數，這意味著無需任何外部器件，就可以修正任何系統的溫度影響。
2011-01-22 09:29:11735 
賽普拉斯半導體子公司AgigA技術公司日前宣布，推出業界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產品系列中的這一新解決方案可提供高達8GB的存儲密度，從而為系統架構師和設計者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘(RTC)、CPU監控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應用提供篡改保護
2011-04-27 10:23:371201 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關的模擬到數字轉換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
DS1500為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節內置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個32.768kHz頻率的輸出
2011-12-19 11:08:182147 
DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘
2011-12-19 11:15:392071 
DS1315時鐘芯片的CMOS計時器和一個非易失性內存控制器的組合。在權力的情況下，外接電池保持計時操作，并提供電源的CMOS靜態RAM。
2012-01-04 10:06:501845 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:41:501101 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:49:181560 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態非易失性內存 。
2012-01-04 10:53:261584 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 DS1746是一個全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實時時鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態RAM
2012-03-19 16:28:122688 
, and Lithium Energy Source Clock Registers are Accessed Identically to the Static RAM. These Registers are Resident in the Eight Top RAM Locations Centu
2012-03-19 17:01:1615 DS1323設計靈活的非易失控制器帶有鋰電池監測器，采用CMOS電路設計，用于解決CMOS SRAM轉換成非易失存儲器的實際應用問題。
2012-04-16 12:11:022667 DS1314非易失控制器，帶有電池監視器是一個CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。
2012-07-19 14:21:121865 
DS1312電池監視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1218非易失控制器芯片供應電路要求提供標準CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。
2012-07-19 14:30:074121 
DS1855雙路非易失性（NV）數字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864 
使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 為適應底層存儲架構的變化，上層數據庫系統已經經歷了多輪的演化與變革．在大數據環境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節尋址等為特征的新型非易失存儲器件（NVM）的出現，勢必對數據庫系統帶來重大
2018-01-02 19:04:400 求的。一個鋰能源，石英晶體，和寫保護電路包含在一個24引腳雙在線封裝。因此，DS12C887是一個完整的子系統，取代了典型應用中的16個組件。這些功能包括非易失性日鐘、鬧鐘、百年歷、可編程中斷、方波發生器和113字節的非易失性靜態RAM。實時時鐘的特點在于，即使在沒有電源的情況下，
2018-11-28 08:00:0045 事實上，除了這些傳統要求，在前兩代非易失FPGA產品的經驗基礎上，萊迪思半導體（Lattice Semiconductor）公司還認識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現場邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 電子發燒友網站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細講解.pdf》資料免費下載
2020-11-25 11:12:0026 我們知道，傳統的DDR DIMM內存是易失性的，也就是必須維持通電才能保持數據，一旦斷電就都沒了。 Intel創造了Optane傲騰持久內存，做到了非易失性，也兼容DDR DIMM，但僅用于數據中心
2021-02-19 10:04:022325 電子發燒友網為你提供F-RAM非易失性存儲技術優勢與安全氣囊設計資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-17 08:47:555 AD5259：非易失性I2C兼容256位數字電位器數據表
2021-04-26 09:00:1711 AD5258：非易失性I2C?兼容64位數字電位器產品手冊
2021-05-12 17:43:542 AD5258非易失性、兼容I2C?的64位數字電位器數據表
2021-06-16 17:24:0210 電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1557WP-120+相關產品參數、數據手冊，更有DS1557WP-120+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1557WP-120+真值表，DS1557WP-120+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 20:54:32
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1557P-70相關產品參數、數據手冊，更有DS1557P-70的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1557P-70真值表，DS1557P-70管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 22:11:03
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1557P-70IND相關產品參數、數據手冊，更有DS1557P-70IND的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1557P-70IND真值表，DS1557P-70IND管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 22:11:31
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1557WP-120相關產品參數、數據手冊，更有DS1557WP-120的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1557WP-120真值表，DS1557WP-120管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-21 22:05:15
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2022-11-21 22:07:57
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2022-11-24 20:14:33
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2022-11-24 20:19:26
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2022-11-24 20:20:12
作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發送）。
2023-01-12 11:30:521732 
電子發燒友網站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲.zip》資料免費下載
2023-06-15 14:35:410 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09953 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54825 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數據資料中的圖1所示的單字節寬度的接口對DS1744內部的所有寄存器進行
2025-02-27 09:31:07997 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC
2025-02-27 10:10:50933 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。
2025-02-27 15:38:41750 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。
2025-02-27 15:44:58892 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬度的接口對DS1747內部的所有寄存器進行訪問。RTC
2025-02-27 15:51:09873 
DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和32k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1554內所有
2025-02-27 16:54:351042 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和512k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1557內所有
2025-02-27 17:11:32933 
DS1746是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1746內所有寄存器的訪問都通過字節寬接口實現，如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內置實時時鐘、完全靜態的非易失性RAM（結構為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨立的鋰能源和控制電路，可持續監控VCC是否發生超出容
2025-02-28 10:31:43996 
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16922 
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