DS1250 4096k、非易失SRAM

　　DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護(hù)將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。DIP封裝的DS1250器件可以直接用來替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。 PowerCap模塊封裝的DS1250器件為表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關(guān)鍵特性

　　無外部電源時最少可以保存數(shù)據(jù)10年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護(hù)

　　替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存

　　沒有寫次數(shù)限制

　　低功耗CMOS操作

　　70ns的讀寫存取時間

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

　　±10% VCC工作范圍(DS1250Y)

　　可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)

　　可選的工業(yè)級溫度范圍：-40°C至+85°C，指定為IND

　　JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的32引腳DIP封裝

　　PowerCap模塊(PCM)封裝

　　表面貼裝模塊

　　可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池

　　所有非易失SRAM器件提供標(biāo)準(zhǔn)引腳

　　分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸

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如何設(shè)計并實現(xiàn)面向非易失內(nèi)存的MPI-IO接口優(yōu)化

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非易失性內(nèi)存有寫入限制嗎？

我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。

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Maxim推出帶有用戶可編程非易失(NV)存儲器的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證IC DS28E10。采用經(jīng)過業(yè)內(nèi)認(rèn)證的FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1),結(jié)合主控制器提供的可編程私鑰和隨機(jī)質(zhì)詢的命令實現(xiàn)整個認(rèn)

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　　概述　　可編程邏輯器件已經(jīng)越來越多地用于汽車電子應(yīng)用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技術(shù)(快閃和反熔絲)，不易發(fā)生由中子引發(fā)的固件錯誤，

2010-08-26 10:52:38

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非易失Y2K兼容時鐘RAM DS1557

　　該DS1557是一個全功能實時時鐘/日歷(RTC的同一個RTC報警，看門狗定時器，上電復(fù)位，電池監(jiān)控)，以及512K的× 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶訪問DS1557內(nèi)部所有寄存器完成了一個字節(jié)寬

2010-09-15 09:51:32

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非易失性SRAM DS1747

　　DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬

2010-09-28 08:58:30

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Y2K兼容、非易失時鐘SRAM DS1744

　　DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字

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256k非易失、Y2K兼容時鐘RAM DS1554

　　DS1554是一個全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實時時鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時器/日歷(RTC)上電復(fù)位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失

2010-09-28 09:11:08

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　　DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路

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　　DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，

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　　DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

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　　DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控

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　　DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等

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　　DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計時功能等同于

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DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

　　DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，

2010-10-22 08:58:38

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DS1330 256k非易失(NV) SRAM

　　DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電

2010-10-22 09:00:58

1904

DS1330W 256k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制

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DS3065WP非易失(NV)PowerCap SRAM模塊

　　MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap

2010-10-28 08:46:50

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DS1225Y 64K非易失SRAM

　　DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照

2010-11-03 09:26:23

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DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按

2010-11-07 09:37:51

992

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM

　　DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

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DS1225AB及DS1225AD全靜態(tài)非易失(NV) SR

　　DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照

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　　這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù)，采用獨特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成，旨在

2010-11-11 18:05:13

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DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM

　　DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:43:53

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DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM

　　DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路

2010-11-24 09:47:28

1161

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

　　DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控

2010-11-24 09:53:31

2113

DS1250W 3.3V 4096k全靜態(tài)非易失SRAM

　　DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

2010-12-07 10:21:02

1215

DS1851雙路溫度控制非易失性(NV)DAC

DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個EEPROM查詢表，和一個數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個DAC可以編程為任意的溫度系數(shù)，這意味著無需任何外部器件，就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。

2011-01-22 09:29:11

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DS3605 非易失(NV)SRAM控制器(中文資料)

DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)

2011-04-27 10:23:37

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DS3911 非易失(NV)控制器

DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)

2011-06-30 10:05:02

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DS1500 看門狗RTC,帶有非易失控制

DS1500為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有報警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個32.768kHz頻率的輸出

2011-12-19 11:08:18

2147

DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,帶有隱含時鐘

DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘

2011-12-19 11:15:39

2071

DS1251,DS1251P全靜態(tài)非易失RAM

具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。

2012-01-04 10:41:50

1101

DS1248,DS1248P帶有隱含時鐘非易失RAM

具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。

2012-01-04 10:49:18

1560

DS1243Y 64K非易失SRAM

DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內(nèi)置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存。

2012-01-04 10:53:26

1584

DS1243,DS1243Y 64k 非易失SRAM

The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192

2012-01-04 11:23:28

DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K

2012-01-04 11:30:52

DS1746,DS1746P非易失時鐘RAM

DS1746是一個全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實時時鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態(tài)RAM

2012-03-19 16:28:12

2685

DS1323設(shè)計靈活的非易失控制器

DS1323設(shè)計靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測器，采用CMOS電路設(shè)計，用于解決CMOS SRAM轉(zhuǎn)換成非易失存儲器的實際應(yīng)用問題。

2012-04-16 12:11:02

2664

DS1314非易失控制器,帶有鋰電池監(jiān)測器

DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。

2012-07-19 14:21:12

1865

DS1312非易失控制器

DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。

2012-07-19 14:26:37

1109

DS1218非易失控制器芯片

DS1218非易失控制器芯片供應(yīng)電路要求提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS RAM非易失性。

2012-07-19 14:28:14

1883

DS1210非易失控制器芯片

DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。

2012-07-19 14:30:07

4121

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。

2013-02-19 16:53:30

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使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM

使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南

2017-01-07 21:45:57

非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制

2017-01-19 21:22:54

一文知道新興非易失性存儲（NVM）市場及技術(shù)趨勢

大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲級內(nèi)存（SCM）的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動非易失性存儲市場的增長。新興非易失性存儲（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市場環(huán)境相變存儲

2018-07-04 11:55:00

7915

新型非易失存儲MVM數(shù)據(jù)管理

為適應(yīng)底層存儲架構(gòu)的變化，上層數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲器件（NVM）的出現(xiàn)，勢必對數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)帶來重大

2018-01-02 19:04:40

非易失可重復(fù)編程FPGA解決方案的應(yīng)用

事實上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場邏輯更新的全面解決方案。

2019-06-16 09:48:47

2069

關(guān)于非易失性NV-SRAM的簡介，它的用途是什么

。本文存儲芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡介在現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)中，存在大量內(nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時宜的隨機(jī)存取存儲器（RAM）。這個名稱意義不大，因為當(dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問的。當(dāng)工程

2020-09-11 16:09:32

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非易失性NVSRAM存儲器的詳細(xì)講解

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費下載

2020-11-25 11:12:00

關(guān)于易失性存儲器SRAM基礎(chǔ)知識的介紹

存儲器概況存儲器是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲器。非易失性存儲器非易失存儲器是指在系統(tǒng)停止供電的時候仍然

2020-12-07 14:26:13

6411

如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲器：非易失性SRAM（NVSRAM）。為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題，國外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以

2021-01-11 16:44:20

2306

ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級序列器

2021-04-24 12:29:41

FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費下載

2022-07-12 10:20:41

STT-MRAM非易失存儲器特點及應(yīng)用

STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲器是一款像SRAM一樣高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。

2022-11-29 15:57:58

2187

簡單的非易失性門控

作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發(fā)送）。

2023-01-12 11:30:52

1731

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。

2023-05-12 16:31:39

882

使用XOD訪問ESP32非易失性存儲

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲.zip》資料免費下載

2023-06-15 14:35:41

DS1249AB 2048k非易失SRAM技術(shù)手冊

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否

2025-02-27 09:09:09

953

DS1265AB 8M非易失SRAM技術(shù)手冊

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍

2025-02-27 09:19:54

825

DS1244系列256k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC

2025-02-27 10:10:50

933

DS1248 1024k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:38:41

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DS1251 4096k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術(shù)手冊

具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:44:58

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