Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016
Netsol在STT-MRAM領域，處于領先地位。基于在內存相關領域的豐富開發經驗以及低成本、超小型和低功耗內存解決方案設計的專業知識、為工業自動化、網絡系統、醫療、游戲、企業數據中心和物聯網設備等廣泛領域的各種應用程序，提供最優化的定制內存解決方案。
我司英尚微官方代理供應商提供的Netsol型號S3R8016并口STT-MRAM是一個容量8Mbit，具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器。支持x16或x8 I/O模式。采用工業標準44TSOP2、54TSOP2和48FBGA封裝。
其數據始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續航特性，它適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器。
審核編輯黃宇
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
存儲器
+關注
關注
39文章
7739瀏覽量
171672 -
非易失存儲
+關注
關注
0文章
2瀏覽量
5604 -
MRAM
+關注
關注
1文章
250瀏覽量
32919
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
串行NETSOL自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器STT-MRAM
S3A3204R0M是自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)。它具有SPI總線接口、XIP(就地執行)功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPI(串行外設接口)是帶有命令、地址和數據信號
探索MXD1210非易失性RAM控制器：特性、應用與設計要點
探索MXD1210非易失性RAM控制器：特性、應用與設計要點 在電子系統設計中，非易失性RAM控
探索DS1321：靈活的非易失性控制器與鋰電池監測器
問題提供了出色的解決方案。今天，我們就來深入了解一下這款芯片。 文件下載： DS1321.pdf 一、DS1321的特性亮點 內存轉換與保護 非易失性轉換 ：DS1321能夠將CMOS SRAM轉換為非易失性
MAXIM DS1314：3V 非易失性控制器與鋰電池監測方案
MAXIM DS1314：3V 非易失性控制器與鋰電池監測方案 在電子設備的設計中，如何確保數據在電源故障時不丟失，以及有效監測電池狀態，是工程師們常常面臨的關鍵問題。MAXIM 的
探索DS1312：非易失性控制器與鋰電池監測的完美結合
探索DS1312：非易失性控制器與鋰電池監測的完美結合 在電子設備的設計中，數據的存儲和保護至關重要。尤其是在面臨電源故障或電池電量不足等情況時，如何確保數據的完整性和設備的正常運行，
NETSOL代理Parallel STT-MRAM系列存儲芯片
在追求高效能與高可靠性的工業存儲解決方案中，MRAM存儲芯片以其獨特的非易失性與近乎無限的耐用性
Infineon 8Mb EXCELON? LP F-RAM：高性能非易失性存儲解決方案
Infineon 8Mb EXCELON? LP F-RAM：高性能非易失性存儲解決方案 在電子設計領域，非易失性存儲器的選擇至關重要，它直
8位I/O并行接口MRAM MR2A08A
在需要高速讀寫與數據永久保存的工業、汽車及高可靠性系統中，存儲器的選擇至關重要。MR2A08A-4Mb磁阻隨機存取存儲器（MRAM）憑借其SRAM兼容的性能、真正的非
Everspin的MRAM芯片存儲技術工作原理
在存儲技術快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機存取存儲器）以其獨特的性能，逐漸成為業界關注焦點。它不同于傳統的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數據，兼具高速、耐用與
串行接口MRAM存儲芯片面向工業物聯網和嵌入式系統的應用
英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片，基于最新的JEDEC xSPI標準與獨有的STT-MRAM技術構建，這款串行接口MRAM
MRAM存儲器EMD4E001G-1Gb的優勢介紹
在當今對數據持久性與系統可靠性要求極高的企業基礎設施和數據中心中，Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術優勢，成為眾多高性能
Everspin串口MRAM存儲芯片有哪些型號
MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易
工商網監
評論