MAXIM6018 - PLASTIC ENCAPSULATED DEVICES - Maxim Integrated Products
2022-11-04 17:22:44
MAXIM6021 - PLASTIC ENCAPSULATED DEVICES - Maxim Integrated Products
2022-11-04 17:22:44
MAXIM6025 - PLASTIC ENCAPSULATED DEVICES - Maxim Integrated Products
2022-11-04 17:22:44
MAXIM6061 - PLASTIC ENCAPSULATED DEVICES - Maxim Integrated Products
2022-11-04 17:22:44
MAXIM6066 - PLASTIC ENCAPSULATED DEVICES - Maxim Integrated Products
2022-11-04 17:22:44
Maxim開(kāi)發(fā)環(huán)境是什么?支持keil和iar?
2023-11-09 06:59:35
Maxim技術(shù)是什么看完你就懂了
2021-04-23 06:02:48
在zigbee cc2530協(xié)議棧中,怎么刪除一個(gè)NV??
2018-06-24 04:44:28
SRAM模塊電路原理圖
2008-10-14 09:55:30
:1.用SRAM 6116芯片擴(kuò)展AT89C51單片機(jī)RAM存儲(chǔ)器(2KB)選擇8個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)單元的地址,分別存入不同內(nèi)容,做單個(gè)存儲(chǔ)器單元的讀/寫(xiě)操作實(shí)驗(yàn)。2.用SRAM 6116芯片擴(kuò)展AT89C51單片機(jī)RAM存儲(chǔ)器(8KB)必須使用譯碼器進(jìn)行擴(kuò)展;選擇8個(gè)連續(xù)的存儲(chǔ)單元的地址,分別存入不同內(nèi)
2021-12-08 06:14:13
nv32f100為什么能模擬usb通訊,比如hid鍵盤(pán)之類的,而其他單片機(jī)必須要有usb外設(shè)才能用
2023-11-03 08:21:47
非易失性SRAM(nv SRAM)結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下,nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
當(dāng)我們使用的電腦運(yùn)行過(guò)程中比較卡的時(shí)候,可以通過(guò)給電腦加裝內(nèi)存條來(lái)改善電腦的性能。我們可以給單片機(jī)外加和內(nèi)存條效果一樣的SRAM芯片來(lái)提升單片機(jī)的性能。下面宇芯電子以STM32單片機(jī)來(lái)講解一下來(lái)擴(kuò)展
2020-05-07 15:58:41
`STM32F103Z6T6是一款基于CortexM-M3 32位的單片機(jī),工作頻率為72MHz,并有豐富的I/O端口,內(nèi)部有高達(dá)512K字節(jié)的閃存和64K字節(jié)的SRAM高速存儲(chǔ)器,而且FMSC支持
2019-02-27 17:00:34
本帖最后由 上官夢(mèng)舞 于 2016-12-28 08:00 編輯
很高興,還有人來(lái)看我的報(bào)告,謝謝你的支持。 現(xiàn)在很多單片機(jī)都自帶了一些EEPROM空間,這是一個(gè)很有用的東西,我們大概都知道
2016-12-27 21:52:48
很迫切的需求, 當(dāng)然物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、M2M模塊以及智能穿戴設(shè)備的迅速發(fā)展也是推動(dòng)著外置SRAM的發(fā)展,與其他產(chǎn)品設(shè)備想比,對(duì)于尺寸的要求這些產(chǎn)品顯得更苛刻,更注重較小的設(shè)計(jì)尺寸,一般會(huì)采用最小的MCU,而
2017-12-04 11:04:58
為應(yīng)用選擇合適的同步高速SRAM
2020-12-31 07:28:42
如何為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇合適的同步SRAM存儲(chǔ)器?
2021-05-24 06:13:40
采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法有哪幾種?用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)SRAM工藝FPGA的加密應(yīng)用
2021-04-08 06:04:32
誰(shuí)認(rèn)識(shí)這個(gè)單片機(jī)?上面的絲印為:DY-NV I
2018-11-06 18:38:13
賽普拉斯NV-SRAM解決方案
2020-12-30 07:15:03
首先對(duì)采用SRAM工藝的FPGA 的保密性和加密方法進(jìn)行原理分析,然后提出一種實(shí)用的采用單片機(jī)產(chǎn)生長(zhǎng)偽隨機(jī)碼實(shí)現(xiàn)加密的方法, 并詳細(xì)介紹具體的電路和程序。
2009-04-16 09:43:06
24 such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 針對(duì)當(dāng)前視頻產(chǎn)品對(duì)在屏顯示功能和接口多樣化的需求,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種基于SRAM接口的多路視頻采集壓縮模塊。該模塊利用視頻處理芯片TW2835 來(lái)實(shí)現(xiàn)多路視頻采集、在屏顯示外部
2009-09-07 10:06:04
33 為實(shí)現(xiàn)最高性能選擇正確的SRAM架構(gòu)方案
存儲(chǔ)器帶寬的定義為給定時(shí)間內(nèi)可通過(guò)器件訪問(wèn)的數(shù)據(jù)量通常單位為兆比特每秒(Mbps) 乃至極高性能存儲(chǔ)器的千兆比特每
2010-03-18 10:43:44
30 Stellaris(群星)單片機(jī)加上32KB串行SRAM(英)
INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN CONNECTION
2010-04-03 14:35:43
28 新一代NV SRAM技術(shù)
第一代NV SRAM模塊問(wèn)世近20年來(lái),NV SRAM技術(shù)不斷更新,以保持與各種應(yīng)用同步發(fā)展,同時(shí)滿足新的封裝技術(shù)不斷增長(zhǎng)的需求。
發(fā)展與現(xiàn)狀
2008-11-26 08:24:53
1237 
DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監(jiān)控電路,帶有篡改檢測(cè)
DS3650是一款4線兼容控制器,滿足支付卡行業(yè)(PCI)以及其他數(shù)據(jù)保護(hù)和安全性能很關(guān)鍵的設(shè)備的溫度和電
2009-03-02 14:53:11
974 摘要:為了理解Maxim的單芯片模塊設(shè)計(jì)原則,首先需要知道電池備份存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)歷史。 開(kāi)發(fā)NV SRAM的目的是生產(chǎn)一種類似于IC的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品,利用低功耗SRAM配合鋰
2009-04-24 09:13:42
635 SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM。
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:32
9200 SRAM模塊,SRAM模塊結(jié)構(gòu)原理是什么?
RAM 結(jié)構(gòu)框圖如圖1 所示。它主要由存儲(chǔ)矩陣(又稱存儲(chǔ)體)、地址譯碼器和讀/寫(xiě)電路 3 部分組成。存儲(chǔ)矩陣是存儲(chǔ)
2010-03-24 16:28:39
4625 DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過(guò)如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:42
1307 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM,按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路
2010-10-20 09:04:42
1402 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM,
2010-10-21 09:01:27
1211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59
1214 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:32
1445 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,
2010-10-22 08:58:38
1165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:58
1904 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制
2010-10-22 09:04:04
1281 
MXIM推出DS3065WP,一個(gè)1米x 8非易失(NV)與一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和電池包在一個(gè)PowerCap
2010-10-28 08:46:50
900 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM,按
2010-11-07 09:37:51
991 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控
2010-11-10 09:31:52
1000 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM,按照
2010-11-10 09:36:27
1689 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控
2010-11-24 09:43:53
1078 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28
1161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路,控
2010-11-24 09:53:31
2112 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:01
1741 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控
2010-12-07 10:21:02
1215 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器,可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:37
1200 電子發(fā)燒友為您提供了PIC單片機(jī)人機(jī)接口模塊元器件選擇說(shuō)明,希望能幫助到您!
2011-06-23 10:51:14
1767 
DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:39
2071 
The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:19
24 The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:52
18 對(duì)于網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用來(lái)說(shuō),選擇合適的同步SRAM是至關(guān)重要的,因?yàn)榫W(wǎng)絡(luò)應(yīng)用需要增加帶寬來(lái)達(dá)到更好的系統(tǒng)性能。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要明白不同種同步SRAM技術(shù)的特色和優(yōu)勢(shì),從而可以為他們的應(yīng)
2013-01-05 19:44:59
5368 
STM32單片機(jī)使用外部 SRAM 導(dǎo)致死機(jī)
2015-11-25 14:49:34
0 STM32單片機(jī)上的SRAM 中的數(shù)據(jù)丟失
2015-11-25 14:49:27
0 sram(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種只要在供電條件下便能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件,而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu),各針對(duì)一種特定的應(yīng)用。本文旨在對(duì)目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評(píng)述。
2017-11-03 18:03:05
3380 什么是AVR單片機(jī)?AVR單片機(jī)有什么優(yōu)點(diǎn)?為什么要選擇AVR單片機(jī)? AVR單片機(jī)是ATMEL公司研制開(kāi)發(fā)的一種新型單片機(jī),它與51單片機(jī)、PIC單片機(jī)相比具有一系列的優(yōu)點(diǎn): 1:在相同的系統(tǒng)時(shí)鐘
2018-02-12 04:31:00
2144 IS62WV51216BLL SRAM存儲(chǔ)模塊 8M Bit
SRAM外擴(kuò)存儲(chǔ) 提供測(cè)試程序(STM32)
型號(hào) IS62WV51216BLL SRAM Board
2019-12-30 09:34:48
5537 
IS62WV12816BLL SRAM存儲(chǔ)模塊 2M Bit
SRAM外擴(kuò)存儲(chǔ) 提供測(cè)試程序(STM32)
型號(hào) IS62WV12816BLL SRAM Board
2019-12-30 09:43:43
3037 
的控制器的數(shù)據(jù)帶寬小一些的SRAM設(shè)備,以便減少管腳數(shù)量并減少PCB板上可能的存儲(chǔ)器數(shù)量。然而這種變化將導(dǎo)致降低SRAM接口的性能。 外部SRAM的種類 有多種SRAM器件可供選擇。最常見(jiàn)的種類如下: 異步SRAM 由于其不依靠時(shí)鐘,所以是最慢的一種SRAM。 同步sram(
2020-04-03 15:58:44
1521 正確的同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的選擇對(duì)于帶寬要求更高,系統(tǒng)性能更好的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要了解不同同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢(shì),以便為其應(yīng)用選擇正確的存儲(chǔ)器。 決定正確的同步
2020-08-03 15:32:33
1815 
為了選擇合適的射頻模塊,有必要了解無(wú)線設(shè)備通信距離,其使用的功率,如何擴(kuò)展通信距離,天線的選擇,應(yīng)使用哪種模塊等。
2020-08-30 10:10:21
4124 。本文存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識(shí)一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡(jiǎn)介 在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,存在大量?jī)?nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時(shí)宜的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)。這個(gè)名稱意義不大,因?yàn)楫?dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問(wèn)的。當(dāng)工程
2020-09-11 16:09:32
2230 ,其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全帶寬時(shí)功耗達(dá)到幾個(gè)瓦特量級(jí)。另一方面,SRAM如果用于溫和的時(shí)鐘頻率的微處理器,其功耗將非常小,在空閑狀態(tài)時(shí)功耗可以忽略不計(jì)幾個(gè)微瓦特級(jí)別。本篇內(nèi)容要介紹的是關(guān)于SRAM的基礎(chǔ)模塊存有三種情況:standby(空余
2020-09-19 09:43:50
3623 NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),而且在封裝技術(shù)方面也很有競(jìng)爭(zhēng)力。這些器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。 因此將比較它需要多長(zhǎng)時(shí)間來(lái)擦除64Kb數(shù)據(jù)及寫(xiě)入新數(shù)據(jù)
2020-10-27 14:22:51
772 NV-SRAM模塊不僅可以快速且可靠的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),在封裝技術(shù)方面也具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力。這些存儲(chǔ)芯片器件適用于需要安全數(shù)據(jù)存儲(chǔ)以及幾乎不需要現(xiàn)場(chǎng)維護(hù)的場(chǎng)合。 博彩機(jī)要求可靠記錄數(shù)據(jù)以及保障客戶權(quán)利。此類
2020-10-28 14:19:23
718 NV-SRAM具有以下優(yōu)點(diǎn),可以滿足理想SRAM器件的要求,該器件適用于游戲應(yīng)用中的非易失性緩存實(shí)施。 快速訪問(wèn):系統(tǒng)性能與所使用的高速緩存的訪問(wèn)速度直接相關(guān)。如果管理不當(dāng),則連接到快速控制器的慢速
2020-12-18 14:44:28
1216 
賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度,并在其整個(gè)工作范圍
2020-12-22 15:18:33
851 隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。 BBSRAM是什么? BBSRAM又稱
2020-12-22 16:05:25
3200 
隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)技術(shù)相比較。 BBSRAM 數(shù)據(jù)保留時(shí)間和產(chǎn)品使用壽命 ?電池電量
2020-12-22 14:55:39
1143 一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器:非易失性SRAM(NVSRAM)。 為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問(wèn)題,國(guó)外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品,國(guó)內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問(wèn)世。面對(duì)眾多的NVSRAM產(chǎn)品,廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢?建議用戶根據(jù)以
2021-01-11 16:44:20
2306 隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2021-03-18 00:29:23
14 過(guò)程的緩沖,MCU遠(yuǎn)程升級(jí)的數(shù)據(jù)備份和緩存等等。單片機(jī)MCU外擴(kuò)選用SPI SRAM解決方案的最佳選擇。因此已經(jīng)得到越來(lái)越多的MCU相關(guān)廠家的支持。
2021-03-31 09:53:41
3657 
使用C30編譯器實(shí)現(xiàn)單片機(jī)與片外串行SRAM的通信。
2021-04-02 15:01:32
12 的SRAM來(lái)提升單片機(jī)的性能。下面以STM32F407ZGT6單片機(jī)來(lái)講解一下來(lái)擴(kuò)展外部SRAM。 給STM32芯片擴(kuò)展內(nèi)存與給PC擴(kuò)展內(nèi)存的原理是一樣的,只是PC上一般以內(nèi)存條的形式擴(kuò)展,內(nèi)存條實(shí)質(zhì)是由多個(gè)內(nèi)存顆粒(即SRAM芯片)組成的通用標(biāo)準(zhǔn)模塊,而STM32直接與SRAM芯片
2021-04-08 15:38:36
5896 
32位單片機(jī)為用戶提供了豐富的選擇,可適用于工業(yè)控制、智能家電、建筑安防、醫(yī)療設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品等多方位嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。MCU通常是基于SRAM和閃存的混合使用,MCU一般情況下配置有1~2MB
2021-12-07 17:32:31
1436 隨著無(wú)鉛技術(shù)在全球的推廣,NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM(BBSRAM)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)。
2022-01-25 19:50:51
2 靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器(SRAM)是指這類存儲(chǔ)器要是維持接電源,里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。SRAM不用更新電源電路即能儲(chǔ)存它內(nèi)部?jī)?chǔ)存的數(shù)據(jù)信息。SRAM具備較高的特性。SRAM顯而易見(jiàn)速度
2022-04-18 17:37:33
2685 NV-SRAM(非易失性 SRAM 或NVRAM)是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器,業(yè)界最快的 NV-SRAM,具有無(wú)限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRAM 數(shù)據(jù)的副本并將其保存到非易失性存儲(chǔ)器中,并
2022-06-10 15:23:01
1441 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于TANDY 600型的96K SRAM模塊.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-21 09:32:18
0 2022-11-18 23:45:17
0 高速SRAM單元提供了非常高速的讀寫(xiě)訪問(wèn),并且可以像標(biāo)準(zhǔn)SRAM中一樣無(wú)限次地寫(xiě)入或讀取NV-SRAM。
2022-11-30 17:48:48
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對(duì)于PowerCap產(chǎn)品,電池更換通常應(yīng)在系統(tǒng)電源打開(kāi)時(shí)進(jìn)行,以免損壞內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容。當(dāng) %-overbar_pre%BW%-overbar_post% 處于活動(dòng)狀態(tài)時(shí),不會(huì)禁止正常的內(nèi)存寫(xiě)入/讀取操作,但無(wú)法保證在斷電期間保留數(shù)據(jù)。由于測(cè)試間隔為 5 秒,因此在安裝新電池之前,需要取出電池超過(guò)一個(gè)測(cè)試間隔,或大約 7 秒。
2023-01-10 09:36:00
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達(dá)拉斯半導(dǎo)體非易失性(NV)SRAM由內(nèi)部電池備份。市場(chǎng)上的其他一些NV存儲(chǔ)器,如NOVRAM,使用內(nèi)部EEPROM備份數(shù)據(jù)。本應(yīng)用筆記討論了電池供電NV SRAM和NOVRAM之間的差異。
2023-01-10 14:25:59
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DS1213 SmartSocket產(chǎn)品已達(dá)到使用壽命,可使用引腳兼容、等效密度的5V NV SRAM模塊產(chǎn)品進(jìn)行更換。使用該替換模塊產(chǎn)品,客戶將安裝完整的一體式內(nèi)存解決方案。
2023-01-12 16:11:59
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自NV SRAM開(kāi)發(fā)開(kāi)始以來(lái),其目的一直是生產(chǎn)一種可以像IC一樣處理的混合存儲(chǔ)器產(chǎn)品。使用商用低功耗SRAM和鋰紐扣電池配接CMOS晶圓技術(shù),以及用于長(zhǎng)期存儲(chǔ)器備用電源的通用電壓穩(wěn)定源。
2023-03-02 14:40:00
1107 NV040C語(yǔ)音芯片,可部分替代MCU的功能,通過(guò)通訊口調(diào)用NV040C語(yǔ)音芯片集成的標(biāo)準(zhǔn)功能模塊,實(shí)現(xiàn)更多的擴(kuò)展功能應(yīng)用,在MCU開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)上可節(jié)省1元以上的成本,同時(shí)省去產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中各類需求功能代碼的開(kāi)發(fā)和調(diào)試時(shí)間。
2023-04-10 12:45:27
924 賽普拉斯的NV-SRAM將標(biāo)準(zhǔn)快速SRAM單元(訪問(wèn)時(shí)間高達(dá)20 ns)與基于硅氧化物和亞硝酸鹽,氧化物硅(SONOS)的非易失性存儲(chǔ)元件相結(jié)合,可提供快速的異步讀寫(xiě)訪問(wèn)速度,并在其整個(gè)工作范圍內(nèi)具有20年的數(shù)據(jù)保留。
2024-01-09 10:54:28
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DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09
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具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50
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具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài),寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41
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具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài),寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58
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評(píng)論