0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
64794分析儀 D 256K跟蹤深度仿真總線分析儀，128 KB
2019-01-21 10:53:04
概述:FM1808是RAMTRON公司生產的一款256K位并行存儲芯片。該FM1808是256千比特的非易失性存儲器采用先進的鐵電工藝。鐵電隨機存取記憶體或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
特征?集成NV SRAM、實時時鐘（RTC）、晶體、電源故障控制電路和鋰能源?時鐘寄存器與靜態RAM訪問相同；這些寄存器位于16個頂級RAM位置?世紀字節寄存器（即符合Y2K）?完全不易揮發，在斷電
2020-09-16 17:17:42
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
等待區（ZW）使用，96K劃給用戶使用作為RAM使用256K的非零等待區里可以通過軟件配置將其中的128K劃出來給用戶作為RAM使用，那么此時用戶就有96+128K RAM可以使用，這224KB
2020-11-20 21:25:08
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
針腳 QFN 封裝和 3.5x3.8mm 64 球形直接晶片構裝之晶圓級封裝 (WLCSP)。nRF51822 提供 256k 或 128kB Flash 容量的不同版本。歡迎交流qq 1433511556
2016-07-03 11:18:34
F407的規則同步ADC采集如何 實現256k采樣+轉換速度？
2024-03-07 07:51:02
數字電位器存儲類型標注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設當前已經調節好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態位置，不再是3.5kΩ這個位置了。“非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎
2024-11-21 07:15:57
stm32f103rct6芯片的閃存是256K，但是當我存儲數據的地址設到300K還是可以正常存儲，不知道為什么？
2019-03-01 07:30:52
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數的可變數字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
DESCRIPTIONThe DS1746 is a full-function, year-2000-compliant (Y2KC), real-time clock/calendar (RTC
2008-08-10 10:39:53
16 GENERAL DESCRIPTIONThe DS1501/DS1511 are full-function, year 2000-compliant real-time clock
2008-08-10 10:40:4924 Xicro公司生產的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫串行 RAM 具有功耗低, 擦寫速度快的特點 ,它采用 SPI 三總線接口,可與各種單片機連接,且具有很完善的數據保護功能。本文從應用角度出發
2009-04-25 16:01:3518 FM1808是用先進的鐵電技術制造的256K位的非易失性的記憶體鐵電隨機存儲器FRAM 是一種具有非易失性并且可以象RAM一樣快速讀寫但它沒有BBSRAM模組系統的設計復雜性缺點和相關的可
2009-07-23 11:24:1064 DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
DS4301非易失、32抽頭數字電位器
DS4301是一款單32抽頭線性數字電位器，具有200kΩ端到端電阻?；瑒佣宋恢么鎯υ贓EPROM中，因此DS4301上電時就處于最近
2008-10-01 23:49:53
1158 
DS4305, DS4305K 可編程電壓基準
DS4305為非易失(NV)、電子可編程電壓基準?；鶞孰妷嚎稍诠S校準/編程期間在線設置。設置基準電壓VOUT非常簡
2009-11-16 18:32:501091 
DS1643, DS1643P 非易失時鐘RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:451248 
The DS1642 is a 2k x 8 nonvolatile static RAM and a full-function real-time clock (RTC), both
2010-05-29 08:26:571161 
該DS1557是一個全功能實時時鐘/日歷(RTC的同一個RTC報警，看門狗定時器，上電復位，電池監控)，以及512K的× 8非易失性靜態RAM。用戶訪問DS1557內部所有寄存器完成了一個字節寬
2010-09-15 09:51:321001 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數據資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:421307 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態NV SRAM，
2010-10-21 09:01:271211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:591214 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321445 DS1647為512k x 8非易失性靜態RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節寬的格式訪問靜態RAM。非易失性RAM是計時功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:041281 
MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap
2010-10-28 08:46:50900 DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51992 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271689 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:281161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:312113 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:021215 
MAX5392是雙路、256抽頭、易失型、低壓線性變化數字電位器，提供10kΩ、50kΩ以及100kΩ三種端到端電阻。器件采用+1.7V
2010-12-09 09:41:281389 
MAX5389是雙路、256抽頭、易失型、低電壓線性變化數字電位器，提供10kΩ、50kΩ以及100kΩ三種端到端電阻。器件采
2010-12-09 09:44:181305 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘(RTC)、CPU監控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應用提供篡改保護
2011-04-27 10:23:371201 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關的模擬到數字轉換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
DS1500為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節內置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個32.768kHz頻率的輸出
2011-12-19 11:08:182147 
DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘
2011-12-19 11:15:392071 
DS1315時鐘芯片的CMOS計時器和一個非易失性內存控制器的組合。在權力的情況下，外接電池保持計時操作，并提供電源的CMOS靜態RAM。
2012-01-04 10:06:501845 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:41:501101 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:49:181560 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態非易失性內存 。
2012-01-04 10:53:261584 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 DS1746是一個全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實時時鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態RAM
2012-03-19 16:28:122688 
, and Lithium Energy Source Clock Registers are Accessed Identically to the Static RAM. These Registers are Resident in the Eight Top RAM Locations Centu
2012-03-19 17:01:1615 DS1314非易失控制器，帶有電池監視器是一個CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。
2012-07-19 14:21:121865 
DS1312電池監視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1218非易失控制器芯片供應電路要求提供標準CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉換成非易失性內存的CMOS RAM中的應用問題。
2012-07-19 14:30:074121 
DS1855雙路非易失性（NV）數字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864 
The CY62146EV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 16 bits.
2017-09-14 15:07:217 The CY62138FV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 8 bits.
2017-09-14 15:22:175 The CY7C1010DV33 is a high performance CMOS Static RAM organized as 256 K words by 8 bits. Easy
2017-09-14 15:26:147 he CY7C1353G is a 3.3 V， 256K × 18 synchronous flow-through burst SRAM designed specifically
2017-09-14 17:05:283 256K of memory is organized as 32，768 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology
2017-09-15 11:09:2411 The ISSI IS62WV25616ALL/IS62WV25616BLL are highspeed， low power， 4M bit SRAMs organized as 256K
2017-09-20 11:24:2414 AD5123/AD5143: 四通道、128/256位、I2C、非易失性數字電位計
2021-03-21 05:50:205 AD5259：非易失性I2C兼容256位數字電位器數據表
2021-04-26 09:00:1711 AD5258非易失性、兼容I2C?的64位數字電位器數據表
2021-06-16 17:24:0210 電子發燒友網站提供《Amiga 1000 A1050 256K芯片內存擴展帶插座.zip》資料免費下載
2022-08-05 11:54:540 AGRV2K CPLDs is the low cost CPLDs. This instant-on, non-volatile CPLD family targets
2022-11-02 19:26:131598 
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2022-11-18 20:03:38
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2022-11-24 20:17:57
HN58X25128FPIAG/HN58X25256FPIAG 數據表 (Serial Peripheral Interface 128k EEPROM (16-kword x 8-bit)/256k EEPROM (32-kword x 8-bit))
2023-03-30 19:57:460 HN58X25128FPIAG/HN58X25256FPIAG 數據表 (Serial Peripheral Interface 128k EEPROM (16-kword x 8-bit)/256k EEPROM (32-kword x 8-bit))
2023-07-13 19:29:250 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09953 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數據資料中的圖1所示的單字節寬度的接口對DS1744內部的所有寄存器進行
2025-02-27 09:31:07997 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC
2025-02-27 10:10:50933 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。
2025-02-27 15:38:41750 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數據被破壞。
2025-02-27 15:44:58892 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬度的接口對DS1747內部的所有寄存器進行訪問。RTC
2025-02-27 15:51:09873 
DS1554是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和32k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1554內所有
2025-02-27 16:54:351042 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監控器和512k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1557內所有
2025-02-27 17:11:32933 
DS1746是一款全功能、符合2000年標準(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS1746內所有寄存器的訪問都通過字節寬接口實現，如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內置實時時鐘、完全靜態的非易失性RAM（結構為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨立的鋰能源和控制電路，可持續監控VCC是否發生超出容
2025-02-28 10:31:43996 
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護。當電源開始出現故障時，RAM受到寫保護，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16922 
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