0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標(biāo)準(zhǔn)的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS
2020-09-17 17:24:23
?在引導(dǎo)閃存之間選擇 ?設(shè)置ASIC配置/配置文件 ?服務(wù)器 ?網(wǎng)絡(luò)存儲 ?路由器 ?電信設(shè)備 ?PC外圍設(shè)備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴(kuò)展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數(shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
TYN1225是單向可控硅(晶閘管)25A/1200V,采用TO-220AB封裝方式。 從外觀判斷：硅上面有個下凹的圓點，里面是PHL了就是正品，MRC了就是假的。 用個萬用表量：1、3腳間阻值越小，硅就越好。
2021-05-06 15:17:09
MAX1224/MAX1225的主要特點是什么AX1224/MAX1225的封裝及引腳功能AX1224/MAX1225內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理AX1224/MAX1225的典型應(yīng)用電路
2021-04-20 06:55:58
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
概述:DS3501是一款7位、非易失(NV)數(shù)字電位器，具有高達(dá)15.5V的輸出電壓范圍。該器件可通過I2C兼容接口對其進(jìn)行程序設(shè)計，接口工作速度可高達(dá)400kHz。電位器的最低和最高輸出電壓可通過
2021-05-17 07:50:20
Motorola GR1225 中繼臺資料
2006-04-09 23:54:12
110 PW1225.PDF
The PW1225 is a high-quality, digital video signalprocessor that incorporates
2007-12-24 21:36:180 such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:3914 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態(tài)的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
Maxim推出帶有用戶可編程非易失(NV)存儲器的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證IC DS28E10。采用經(jīng)過業(yè)內(nèi)認(rèn)證的FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1),結(jié)合主控制器提供的可編程私鑰和隨機(jī)質(zhì)詢的命令實現(xiàn)整個認(rèn)
2010-08-14 15:12:2617 DS3070W是Dallas公司最新推出的單片、內(nèi)含實時時鐘的非易失性靜態(tài)存儲器。該器件內(nèi)部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、實時時鐘和一個鋰錳（ML）可充電電池。介紹了DS3070W的性能
2010-12-06 15:31:4622 DS4301非易失、32抽頭數(shù)字電位器
DS4301是一款單32抽頭線性數(shù)字電位器，具有200kΩ端到端電阻。滑動端位置存儲在EEPROM中，因此DS4301上電時就處于最近
2008-10-01 23:49:53
1158 
DS1804 非易失調(diào)節(jié)電位器
DS1804 NV微調(diào)電位器是非易失數(shù)字電位器，具有100個抽頭位置。為CPU控制或手動控制輸入的低成本電路調(diào)節(jié)應(yīng)用提供了一個理
2008-10-02 00:00:572415 
DS1859 雙路、溫控電阻，內(nèi)置校準(zhǔn)監(jiān)視器
DS1859概述
DS1859雙路、溫控、非易失(NV)電阻具有3個監(jiān)視器，包
2008-10-22 21:38:50942 
DS4305, DS4305K 可編程電壓基準(zhǔn)
DS4305為非易失(NV)、電子可編程電壓基準(zhǔn)。基準(zhǔn)電壓可在工廠校準(zhǔn)/編程期間在線設(shè)置。設(shè)置基準(zhǔn)電壓VOUT非常簡
2009-11-16 18:32:501091 
DS1643, DS1643P 非易失時鐘RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:451248 
該DS1557是一個全功能實時時鐘/日歷(RTC的同一個RTC報警，看門狗定時器，上電復(fù)位，電池監(jiān)控)，以及512K的× 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶訪問DS1557內(nèi)部所有寄存器完成了一個字節(jié)寬
2010-09-15 09:51:321001 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1554是一個全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實時時鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時器/日歷(RTC)上電復(fù)位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081867 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:271211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:591214 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321445 DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個完備的實時時鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實時時鐘，都在一個字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計時功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:041281 
MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap
2010-10-28 08:46:50900 DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51992 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:521000 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:531078 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:281161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:312113 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:021215 
DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個EEPROM查詢表，和一個數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個DAC可以編程為任意的溫度系數(shù)，這意味著無需任何外部器件，就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。
2011-01-22 09:29:11735 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:371201 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
DS1500為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有報警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個32.768kHz頻率的輸出
2011-12-19 11:08:182147 
DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘
2011-12-19 11:15:392071 
DS1315時鐘芯片的CMOS計時器和一個非易失性內(nèi)存控制器的組合。在權(quán)力的情況下，外接電池保持計時操作，并提供電源的CMOS靜態(tài)RAM。
2012-01-04 10:06:501845 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。
2012-01-04 10:41:501101 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。
2012-01-04 10:49:181560 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內(nèi)置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 DS1746是一個全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實時時鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態(tài)RAM
2012-03-19 16:28:122685 
DS1323設(shè)計靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測器，采用CMOS電路設(shè)計，用于解決CMOS SRAM轉(zhuǎn)換成非易失存儲器的實際應(yīng)用問題。
2012-04-16 12:11:022664 DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:21:121865 
DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1218非易失控制器芯片供應(yīng)電路要求提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:30:074121 
DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864 
The DS1855 dual nonvolatile (NV) digital potentiometer and secure memory consists of one
2013-02-19 17:06:2535 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供(adi)LT1225相關(guān)數(shù)據(jù)表資料，例如:LT1225的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LT1225真值表，LT1225管腳等資料，希望可以幫組廣大的電子工程師、尤其是電子發(fā)燒友的網(wǎng)友們。
2019-02-15 18:29:30
DC1225A-演示手冊
2021-04-16 16:46:240 DC1225A-模式
2021-04-17 20:14:401 UG-1225：EVAL-AD7606B用戶指南
2021-05-11 18:53:461 DC1225A-設(shè)計文件
2021-06-15 17:08:523 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ti)DC1225A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DC1225A的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DC1225A真值表，DC1225A管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-08-10 16:00:03
摩托羅拉M1225寫頻軟件下載
2021-12-06 10:48:0350 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()DS1862AB+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DS1862AB+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1862AB+真值表，DS1862AB+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-15 21:18:10
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)MAX1225ETC+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有MAX1225ETC+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX1225ETC+真值表，MAX1225ETC+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-01-15 18:40:18
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)MAX1225CTC+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有MAX1225CTC+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX1225CTC+真值表，MAX1225CTC+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-01-15 18:40:49
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)MAX1225CTC+T相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有MAX1225CTC+T的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX1225CTC+T真值表，MAX1225CTC+T管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-01-15 19:15:27
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《達(dá)拉斯DS1225Y FRAM適配器開源.zip》資料免費下載
2023-06-09 14:24:311 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-150IND+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DS1225AD-150IND+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1225AD-150IND+真值表，DS1225AD-150IND+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:36:56
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1225AB-200+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DS1225AB-200+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1225AB-200+真值表，DS1225AB-200+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:44:23
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1225AD-85+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DS1225AD-85+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1225AD-85+真值表，DS1225AD-85+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-07-31 18:44:38
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2023-07-31 18:45:00
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2023-07-31 18:45:28
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2023-07-31 18:45:43
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2023-07-31 18:47:50
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09953 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54825 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50933 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41750 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58892 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351042 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32933 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)DS1265AB相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有DS1265AB的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1265AB真值表，DS1265AB管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-10 18:32:51
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān)，實現(xiàn)對數(shù)
2025-05-26 09:50:50684 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數(shù)字邏輯節(jié)點的硬件跳線和機(jī)械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
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