其他的技術選項

也出席了今年1月美國ISS 的Globalfoundries技術長Patton在專題演說中表示：「摩爾定律將終結只是一個看法，我們總是能找出如何推動事情演進的方法；」他認為，芯片業者現在必須要在制程以及封裝技術方面尋求不同方向的創新（圖4），「整個產業環境跟我入行的時候已經完全不一樣了。」

圖4：除了追隨摩爾定律，Globalfoundries技術長Gary Patton認為IC業者應該尋求不同方向的制程與封裝技術創新

在半導體產業界擁有超過三十年經驗的Patton，在先前向***本地媒體簡報Globalfoundries技術策略時表示，今日市場上有各種各樣新崛起的電子裝置與終端應用，例如行動運算、普適運算（pervasive computing，例如無所不在的連網智能裝置）以及人工智能（AI）、虛擬/擴增實境（AR/VR）…等等，單一技術并不一定適合所有應用的需求。

Patton表示，人工智能、云端運算、高速通訊等應用，目前最尖端的3D晶體管FinFET制程是理想選擇，目前該技術進入14納米節點量產、已經成熟而且對高階應用有價值；至于對運算性能要求較低、也以較低功率運作的各種嵌入式裝置，例如物聯網設備，其實就不一定要用到最尖端的FinFET制程，否則并不符合成本效益。

GlobalFoundries提供的其他技術選項是全空乏絕緣上覆硅（Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI）制程；Patton指出，該公司準備在2017年量產的22納米FD-SOI制程，在成本上與成熟的28納米平面晶體管制程相當，但能達到類似FinFET制程的性能，而且功耗更低、封裝尺寸更小，也更適合與RF組件的整合。

在封裝技術方面，Patton表示在過去一年來，Globalfoundries看到2.5D與3D芯片堆棧的客戶需求有大幅成長的趨勢；目前該公司可提供應用于32~22納米深度溝槽式晶圓的「智慧中介層」（interposer），具備去耦電容，能支持低功率應用的芯片堆棧。

在芯片堆棧技術方面，***半導體產業協會（TSIA）理事長、鈺創科技董事長盧超群表示，過去15年來IC產業已經達成了「類似以微觀建筑技術造高樓」的突破，發明3D甚至超越3D的異質性晶粒排列或堆棧方法；再加上半導體廠商在晶圓級封裝技術（WLP）上的研發成果──例如臺積電的整合型扇出（Integrated Fan-out，Info）與整合型扇出-封裝內建封裝技術（InFO-PoP）──將IC制造與封測一體化，會是讓摩爾定律延續更長壽命的關鍵。

圖5：InFO芯片堆棧技術的多種不同型態

盧超群認為，InFO以及因為InFO而得以實現的另一種直通互連通孔（TIV）創新技術，將推動IC產業進入在制程微縮同時迭加IC、讓納米技術經濟效益放大的「硅世代4.0」（Silicon 4.0）；未來硅芯片可以直接鏈接如光學透鏡、傳感器或致動器等目前嵌入于系統中但仍未微型化的組件，而這也是晶圓代工廠、IC設計業者和系統廠商展開合作的新機會。