25年來，內存產業一直在等待更好的技術出現。目前市場上的主流存儲器是DRAM和NAND Flash，有可能席卷目前兩種主流存儲器的NRAM近日有了最新消息。有業內專家認為遲到總比缺席好，那么這種技術的發展有何特點？能否挑戰目前根深蒂固的存儲技術呢？

NRAM 2018年將商用化

根據BCC Research發布的最新研究報告指出，NRAM在苦熬多年一直無法量產后，終于準備好在2018年商用化了，預計將席卷現有的DRAM與快閃存儲市場。該市調公司并表示，首款利用這種碳納米管（CNT）技術的非揮發性內存芯片似乎也已經蓄勢待發，預計將對計算機內存領域帶來不小沖擊。

相較于其他的內存技術，NRAM的發展路徑十分獨特。即使MRAM也曾經歷很長的時間才實現商用化，但Fitzgerald說，「傳統的內存技術并沒有像NRAM這樣的發展過程。從硅到碳，意味著必須額外負擔更多，但目前已有幾家公司開始探索CNT內存了，IBM就是其中之一。」

Nantero專利的NRAM以碳納米管為基礎

BCC Research共同創辦人兼資深編輯Chris Spivey將NRAM的研究與發展路徑形容為一種典型「以小搏大」（David vs. Goliath）的故事。但劇情出現的一點轉折是Nanero最后（即David）選擇與Fujitsu （Goliath的同輩；意指同業）合作，并為其提供援助。同時，Chris Spivey表示，盡管現有的內存業者并未對此發表評論，但也不排除未來取得授權。

BCC Research預計，全球NRAM市場將從2018年到2023年實現62.5%的復合年成長率（CAGR），其中嵌入式系統市場預計將在2018年達到470萬美元，到了2023年將成長至2.176億美元，CAGR高達115.3% 。

針對企業儲存、企業服務器與消費電子等領域，NRAM技術比閃存更具有顛覆性，更有利于在這領域的產品中實現新一波的創新。很快將會受到影響的應用將包括消費性電子領域、行動運算、物聯網（IoT）、企業儲存、國防、航天以及車用電子等領域。

正如BCC Research 的研究報告中所指出的，有關NRAM技術的消息已經好幾次登上媒體頭條了，盡管毀譽參半，但該報告的作者們預計，這項技術的重大進展將直接挑戰目前根深蒂固的計算機內存技術。

已有的DRAM和快閃存儲將被席卷？

目前，市場上主流的存儲技術有DRAM和NAND Flash。其中，DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失（關機就會丟失數據）。 而NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術，即斷電后仍能保存數據。它的發展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

當然，這兩種存儲器不僅是目前的市場主流，未來的趨勢也看好。在2015、2016連續兩年下跌后，DRAM和NAND Flash內存平均銷售價格（ASP）正穩健走揚，研究機構IC Insights認為，此將有助推升2017年內存市場銷售規模，預估整體產值可達853億美元新高紀錄，較2016年成長10%；2020年更可望首度攀至千億美元大關。