根據最新發布的存儲器價格報告指出，受到第三季智能型手機備貨需求不如預期以及海外市場訂單大幅萎縮的影響，再加上服務器市場受到中美貿易摩擦導致供應鏈混亂，整體存儲器終端需求也不如預期。

DRAM與NAND Flash持續維持下降走勢。

NAND Flash跌幅較為收斂，主要原因在于先前廠商減少產能主要集中在NAND Flash，包含東芝、西數、海力士和美光；再加上經過幾個季度的跌價，各家NAND Flash廠商營業利益率已低到3%以下。

DRAM部分則是還有跌價的空間，因此價格跌幅明顯高于NAND Flash，六月份DRAM價格再度較五月份滑落，幅度約8-9%。累計第二季度整體DRAM平均價格較第一季減少28%，跌幅高于預期，而展望下半年第三季度與第四季度，我們認為兩個季度的價格跌幅為10-15%不等，以反映下半年旺季不旺的半導體行業情況。

閃存方面，由于東芝(Toshiba Memory)在本月15日發生廠房跳電影響，導致停工將近七天后才陸續緩步復工。除了在線晶圓(WIP, wafer-in-process)受損情況需仔細檢查外，設備機臺因為停電導致潛在晶圓與設備損傷的影響也是后續必須關注的焦點。而東芝官方釋出預期七月中旬才能夠完全恢復正常生產的消息，讓現階段其合作伙伴西數電子率先公告自七月起全面調漲閃存產品價格約10-15%不等的幅度，讓后續原本慘淡的閃存市場增添柴火，我們初步預估本次跳電將影響東芝/西數陣營大約一個月的閃存產能。然而考慮到現階段從渠道端、通路商一直到閃存供貨商的庫存水位都維持在相當高的情況下，后續第三季閃存價格走勢將視下半年新手機訂單情況以及東芝復工的進度，但可以確定的是短時間內七八月份閃存價格將出現上漲的動力，對于閃存供貨商來說也是一陣救命及時雨。