「遲來總比缺席好」可能是碳納米管內存（Nano-Ram；NRAM）的最佳寫照。

根據BCC Research發布的最新研究報告指出，NRAM在苦熬多年一直無法量產后，終于準備好在2018年商用化了，預計將席卷現有的DRAM與快閃記憶市場。該市調公司并表示，首款利用這種碳納米管（CNT）技術的非揮發性內存芯片似乎也已經蓄勢待發，預計將對計算機內存領域帶來不小沖擊。

「雖然許多業界專家已經放棄等待CNT內存了，」BCC Research研究總監Kevin Fitzgerald表示，「但我想，大家都必須要以全新的眼光，才能真正看到從硅轉變到碳的時刻來臨。」

他表示，最近由技術巨擘富士通（Fujitsu）取得商用化制造NRAM的授權協議，迅速讓該公司的前景看法改觀；同時，就在撰寫這份報告的同時，共同簽署這份協議的NRAM供貨商Nantero又獲得了2，100萬美元的創投資金，鞏固了該公司曾經懷疑NRAM技術的看法。

BCC Research預計，全球NRAM市場將從2018年到2023年實現62.5%的復合年成長率（CAGR），其中嵌入式系統市場預計將在2018年達到470萬美元，到了2023年將成長至2.176億美元，CAGR高達115.3% 。

針對企業儲存、企業服務器與消費電子等領域，NRAM技術比閃存更具有顛覆性，更有利于在這領域的產品中實現新一波的創新。很快將會受到影響的應用將包括消費性電子領域、行動運算、物聯網（IoT）、企業儲存、國防、航天以及車用電子等領域。

Fitzgerald說，多位計算機記憶體專家以及對此感興趣的觀察家都看好碳納米管在非內存領域的應用。「許多應用都是直接相關的，如化學傳感器或RFID中繼器等，但也有幾個應用專用于先進材料，如太陽能電池’燃料電池、電力傳輸與MEMS等，」他說：「嚴峻的半導體制造要求似乎導致它在其他應用上的優點。而從商業的角度來看，它也是相當有價值的IP。」

但Fitzgerald強調，NRAM擁有許多有利于其發展的因素，包括更高密度。「它所需的能量更少，因為它不需要像傳統記體一樣不斷地『刷新』。因此，它可以實現更快的速度，甚至縮到皮秒（ps）級的響應時間。」此外，它還可實現真正「實時」的性能，而且具有極高的耐熱性。他補充說：「它真的不應該只浪費在傳統意義上。」

Fitzgerald認為，Nantero決定授權這項技術，而非獨自發展，可說是推動NRAM向前進展的關鍵。「這讓Fujitsu得以加速使該技術導入制造，」他說。「隨著這塊市場大餅日益做大，合作伙伴將會更有動機共同分擔產品開發的負擔。」

從技術的角度來看，純碳的來源是一項主要的障礙。Fitzgerald說：「只要能解決這個問題，就能讓Nantero占據強大的IP位置。Nanatero可以被視為一家材料平臺公司，首批產品剛好適用于計算機內存領域。」

Nantero執行長Greg Schmergel強調，授權富士通的協議及其最近的資助，都是該公司發展的重要里程碑。他表示，該公司能為合作伙伴帶來的最大機會和領域就在于行動和消費性閃存應用，預計可在行動和平板計算機領域催生大量業務。「我們在這些領域都已經有幾家客戶了。由于這些裝置的電池續航力至關重要，使公司的價值主張十分有力。」

Schmergel說，具有DRAM速度的非發性內存意味著可讓裝置的功耗降低，使用者將會明顯感受到速度的提升。「你不會再受到功能權衡的限制了。」

他說，Nantero的幾家合作伙伴正在設計NRAM產品，而該公司本身也在進行一些自家的設計，包括兼容DDR4的內存產品。該公司目前已有70位以上的員工了。

BCC Research指出有幾家獨立內存公司、手機與穿戴式裝置公司可能導入NRAM技術，但Fitzgerald說，這些公司至今并未透露任何細節。

相較于其他的內存技術，NRAM的發展路徑十分獨特。即使MRAM也曾經歷很長的時間才實現商用化，但Fitzgerald說，「傳統的內存技術并沒有像NRAM這樣的發展過程。從硅到碳，意味著必須額外負擔更多，但目前已有幾家公司開始探索CNT內存了，IBM就是其中之一。」

Nantero專利的NRAM以碳納米管為基礎

BCC Research共同創辦人兼資深編輯Chris Spivey將NRAM的研究與發展路徑形容為一種典型「以小搏大」（David vs. Goliath）的故事。但劇情出現的一點轉折是Nanero最后（即David）選擇與Fujitsu （Goliath的同輩；意指同業）合作，并為其提供援助。同時，Chris Spivey表示，盡管現有的內存業者并未對此發表評論，但也不排除未來取得授權。

正如BCC Research 的研究報告中所指出的，有關NRAM技術的消息已經好幾次登上媒體頭條了，盡管毀譽參半，但該報告的作者們預計，這項技術的重大進展將直接挑戰目前根深蒂固的計算機內存技術。

最后，Fitzgerald總結道，25年來，內存產業一直在等待更好的技術出現。「從某方面來說，NRAM更像是一種『遲到總比缺席好』（better late than never）的技術。但這也反映出產業對于變革的渴望。」

編譯：Susan Hong

（參考原文：NRAM‘s Day Is Finally Here： Report，by Gary Hilson）