巴隆周刊（Barrons）報導，艾司摩爾（ASML）上周公布上季財報亮眼，并宣布已接到新一代極紫外光（EUV）微影機臺六部訂單，有分析師推測，臺積電可能訂走了其中五臺，即一口氣買下5.5億美元的設備。

　　EUV機臺每臺價值1.1億美元。研究半導體設備業(yè)者的Summit Redstone Partners分析師耶爾（Jagadish Iyer）告訴巴隆周刊：“我們相信他們（ASML）處于轉(zhuǎn)折點，除非相信技術(shù)已經(jīng)成熟，沒有業(yè)者會同時買下每臺1.1億美元的機臺。”他認為是一口氣訂購五臺的客戶是臺積電。

　　半導體顧問公司（SA）半導體分析師梅爾（RobertMaire）估計，ASML今年12部EUV機臺的產(chǎn)能已滿載。耶爾認為，今年半導體設備支出可能超過業(yè)界預測的350億美元，他說，三星電子為奪回臺積電的訂單，將會設法趕上并爭取半導體的生意。

　　臺積電為什么要耗費巨資購買EUV光刻機？

　　我們都知道半導體工藝越先進越好，用以衡量工藝進步的就是線寬，常說的xxnm工藝就代表這個，這個數(shù)字越小就代表晶體管越小，晶體管密度就越大。現(xiàn)在半導體公司已經(jīng)進軍10nm工藝，但面臨的物理限制越來越高，半導體工藝提升需要全新的設備。EUV極紫外光刻機就是制程突破10nm及之后的7nm、5nm工藝的關鍵。因此臺積電對EUV那么捉急。

　　而在這些工藝上的快讀推進，謀求領先，也是臺積電那么積極購買EUV的原因之一。

　　臺積電聯(lián)系CEO劉德音在2016年的某個會議上公布了TSMC的2020路線圖，認為EUV光刻工藝在2020年時能有效降低量產(chǎn)5nm工藝的成本，TSMC計劃在5nm節(jié)點上應用EUV工藝以提高密度、簡化工藝并降低成本。

　　目前TSMC公司已經(jīng)在7nm節(jié)點研發(fā)上使用了EUV工藝，實現(xiàn)了EUV掃描機、光罩及印刷的工藝集成。TSMC表示目前他們有4臺ASML公司的NX:3400光刻機在運行，2017年Q1季度還會再購買2臺。

　　之前有報道稱三星也購買了ASML公司的量產(chǎn)型EUV光刻機，目的是在2017年加速7nm工藝量產(chǎn)。

　　EUV是新一代半導體工藝突破的關鍵，但進展一直比較緩慢，至少比三星、TSMC兩家的嘴炮慢得多——早前TSMC宣稱在2016年的10nm節(jié)點就能用上EUV工藝，之后又說7nm節(jié)點量產(chǎn)EUV工藝，但現(xiàn)實情況并沒有這么樂觀，現(xiàn)在他們的說法也是2020年的5nm節(jié)點，跟Intel的預計差不多了。

　　TSMC表示他們的10nm工藝已經(jīng)有三個客戶完成流片，雖然沒公布客戶名稱，但用得起10nm工藝的芯片也就是蘋果A10、聯(lián)發(fā)科X30（被海思、展訊刺激的聯(lián)發(fā)科在X30上爆發(fā)了）以及海思新一代麒麟處理器，流片的估計就是這三家了。

　　TSMC表示今年底之前還會有更多客戶的10nm芯片流片，該工藝將在2017年Q1季度量產(chǎn)。

　　至于7nm，TSMC表示他們已經(jīng)提前256MbSRAM芯片，進展順利，CEO表示相信TSMC的7nm工藝在PPA密度、功耗及性能方面要比對手更出色，已經(jīng)有高性能客戶預計在2017年上半年流片，正式量產(chǎn)則是在2018年。

　　至于5nm，。臺積電表示，在制程基地塵埃落定后，最快今年就可動工，目標則是要在2020年量產(chǎn)，屆時將有望甩開三星與英特爾，拼獨步全球。

　　臺積電南科廠目前主力制程為16納米，后續(xù)10納米及7納米則是放在中科，而接續(xù)的5納米制程將會由南科廠來擔綱。臺積電廠務處處長莊子壽表示，5 納米制程為未來2~3 年的計畫，目前仍在發(fā)展中。而關于廠區(qū)部分，則是規(guī)劃占地約40 公頃，投資金額上千億元，待臺積電董事會通過后就會啟動，最快今年將動工。

　　據(jù)悉，南科環(huán)差案能順利通過的原因，是因為南科承諾未來將采用每日3.25噸的再生水取代農(nóng)業(yè)用水，包括永康再生水的1.25萬噸及日后臺積電將投資20億元自設再生水廠，供應2萬噸再生水，供5納米制程使用。

　　環(huán)評委員李育明表示，南科環(huán)差案自2014年底，歷經(jīng)2年審查。因臺積電更新半導體制程，需增加用水用電量，因此依規(guī)定須辦理環(huán)差變更，如今環(huán)保署順利通過南科環(huán)差案，也讓臺積電在未來的競爭布局上再下一城，又往前推進一步。

　　臺積電自去年底陸續(xù)斬獲好消息，在晶圓代工方面仍穩(wěn)居龍頭寶座，市占率逼近六成，大幅領先格羅方德的11%與聯(lián)電的9%。而半導體研究機構(gòu)ICinsights更看好晶圓代工將在2021年達到721億美元的市場，對身為該領域龍頭的臺積電來說將是一大利多。

　　此外，臺積電、三星與英特爾之間先進制程的戰(zhàn)局依舊如火如荼的展開，三方比拼毫不手軟。從近期「戰(zhàn)況」來看，在10納米制程上，臺積電已趕在去年Q4進入量產(chǎn)階段，最快今年Q1就可挹注營收。而三星進度則是與之不相上下，至于去年靜悄悄的英特爾則是在今年CES展前記者會上才推出10納米產(chǎn)品。但是業(yè)界仍看好臺積電在良率穩(wěn)定度上的優(yōu)勢，且在產(chǎn)能上亦具有經(jīng)濟規(guī)模優(yōu)勢，因此臺積電仍將在10納米市場上技高一籌。

　　至于7納米布局，臺積電則是狠狠甩開三星，據(jù)傳將在今年Q1正式展開試產(chǎn)。據(jù)了解，目前臺積電7納米試投片情況十分順利，包括賽靈思（Xilinx）、英偉達（NVIDIA）均將采用外，高通（Qualcomm）也傳出將在7納米重回臺積電投片。

　　而業(yè)界則預估，臺積電7納米將在2018年正式進入量產(chǎn)，屆時將正式超越英特爾（Intel）7納米量產(chǎn)時程超過兩年。早前英特爾因征才啟示意外透露該公司可能于2021年才進行7納米量產(chǎn)，也就是說，若臺積電5納米順利在2020年量產(chǎn)，這將使臺積電一舉超越勁敵英特爾，并將其推上在先進芯片科技上的領導地位。