EUV（極紫外光）光刻機，是目前半導體產業已投入規模生產使用的最先進光刻機類型。近來，有不少消息都指出，EUV光刻機耗電量非常大，甚至它還成為困擾臺積電的一大難題。

為何EUV光刻機會這么耗電呢？OFweek君根據公開資料整理出了一些原因，供讀者參考。

與DUV（深紫外光）光刻機相比，EUV光刻機的吞吐量相對較低，每小時可曝光處理的晶圓數量約在120片－175片之間，技術改進后，速度可以提升至275片每小時。但相對而言，EUV生產效率還是更高，原因在于1層EUV晶圓通常可以代替3－4層DUV晶圓。

據悉，晶圓制造采用的主流光源是氬氟激光，波長為193nm，而極紫外光的波長只有13．5nm，EUV光刻即以其作為光源。

EUV耗電量高的原因主要有幾個方面：

一，要激光高功率的極紫外光，需要通過功耗極大的激光器，這個過程會產生大量熱量，因此也需要優秀且完備的冷卻、散熱系統來保證設備正常工作，而激發極紫外光和冷卻散熱都需要消耗大量電力。

二、光前進到晶圓的過程中，需要經過十幾次反射鏡修正光路方向，而每經過一次反射，會有約30％的損耗，最終大約只有不到2％的光線到達晶圓。過程中損耗的能量，也大量會轉化成熱量，這又帶來大量的散熱工作，又轉化成電力消耗。

三，晶圓廠產能很多時候吃緊，為提高產能，晶圓廠會進一步提升光源功率，從而提升曝光的節奏，這又帶來更多的用電。

綜合而言，EUV光刻機的耗電問題，本質是從光源激發到晶圓生產過程中極低的能源轉換率。

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