逆向工程分析公司Chipworks稍早前公布英特爾 （ Intel ） 22nm Ivy Bridge處理器的剖面圖，從中可見英特爾稱為三閘極 （tri-gate）電晶體的FinFET元件，從剖面圖看來，它實際上是幾乎呈現三角形的梯形。

　　這顆被解剖的IC是用于伺服器的64位元四核心Xeon E3-1230 處理器，Chipworks是在香港取得該元件。

　　三角形部分與英特爾曾經在2011年展示過的理想化矩形截面明顯不同。然而，目前尚不清楚這些fin的非垂直側邊是否為制造過程然產生且無關緊要；亦或是英特爾故意如此設計，而且將對電子遷移率或良率造成關鍵影響。

　　從蘇格蘭格拉斯哥大學獨立而出的Gold Standard Simulations Ltd. （GSS） CEO Ase Asenov在網路上回應道：業界對于??這種形成「塊狀」（bulk） FinFET的梯形或是近似三角形結構的優缺點有諸多揣測。GSS已經使用其名為Garand的3D TCAD模擬器對FinFET進行了模擬分析。

　　上圖是Chipworks部落格中圖6的FinFET TEM圖；下方是GSS公司的Garand分析圖。

　　GSS的模擬被用于探索英特爾梯形電晶體閘極長度，以及等效矩形鰭（fin）電晶體對閾值電壓的影響。“顯然，矩形fin具有較好的短通道效應。但盡管如此，一個與數百萬美元成本相關的問題，仍在于這種幾近三角形的形狀──這會是一種通用型設計嗎？或是這種塊狀FinFET技術能實現在fin蝕刻方面？”

　　就尺寸而言，矩形與梯形FinFET并沒有明顯差異，但并不具備摻雜濃度相關知識的GSS假設了一個淺摻雜通道。GSS同時表示，在淺溝漕隔離（STI）區域中，fin下方有一個高滲雜濃度固定器（doping concentration stopper）。“顯然，與傳統的塊狀MOSFET相較，FinFET看起來復雜度要高出許多，”GSS表示。