本文作者：Michal Csiba，安森美（onsemi）技術市場分析師

斷路器是一種用于保護電路免受過電流、過載及短路損壞的器件。機電式斷路器 (EMB) 作為業界公認的標準器件，包含兩個獨立觸發裝置：一個是雙金屬片，響應速度較慢，由過電流觸發跳閘；另一個則是電磁裝置，響應速度較快，由短路觸發啟動。EMB 擁有設定好的跳閘電流（通常為固定值），具備瞬時跳閘（電磁觸發）和延時跳閘（熱觸發/雙金屬片觸發）兩種特性，可穩妥可靠地應對短路與過載情況。

盡管 EMB 結構簡單、效果可靠，但依然存在一些缺點。其一便是速度問題，EMB 的動作時間處于毫秒級，在此期間故障電流仍可能造成設備損壞，甚至對人員造成傷害。其二則是電弧問題，當觸點分離時會產生電弧，必須安全消散電弧能量，而這一過程會給斷路器帶來熱應力與機械應力。

用半導體開關替代機械觸點可徹底消除電弧，因為電流切斷是在物理觸點分離前通過電子方式完成的。半導體開關能在微秒級時間內關斷，大幅降低短路峰值電流。此外，與機械部件不同，半導體開關專為高頻操作設計，且不會隨時間推移而老化。這類采用半導體開關的器件被稱為固態斷路器 (SSCB)，通常用于保護直流電路與交流電路。

了解固態斷路器

SSCB 的優勢顯而易見：半導體開關的切換速度更快、可靠性更高，耐用性更強（無磨損損耗），且具備更精準的控制能力。在發生故障時，更快的斷開速度更具優勢，而半導體開關的速度是機械開關的一千倍以上。此外，由于本身就需配備控制電子元件，這類斷路器還可集成其他新功能，例如電流與電壓監控、電流限值調整，以及殘余電流裝置等其他安全附加功能。

SSCB 的核心是半導體開關，它取代了傳統的機電式繼電器。SSCB 的工作原理是：監測電路的電流與溫度，然后將監測數據傳輸至微控制器單元 (MCU)；MCU 持續監控電流與溫度，以檢測故障，并在微秒級時間內觸發保護性關斷。發生跳閘時，MCU 會向柵極驅動器發送指令，令開關“關斷”。所有這些過程加起來，耗時遠少于 EMB。

圖1：固態斷路器框圖

為保障安全，可增設一個可選的機械繼電器，在半導體開關關斷后實現物理隔離。此舉能消除電弧，且繼電器僅需處理微弱的漏電流。由于繼電器在半導體開關之后動作，工作過程中不會產生電弧，因此無需具備耐受短路電流的額定能力。繼電器可切斷半導體器件產生的漏電流，通常為數百微安 (μA)。此外，與機械斷路器不同，SSCB 同時連接相線與中性線，而繼電器能實現設備的完全斷電。

半導體開關分類

用半導體開關替代機械開關的想法早已存在，但長期以來，半導體技術的發展水平一直是制約這一構想落地的關鍵因素。如今，隨著寬帶隙技術的不斷進步，適用于低壓住宅與商業電網的固態器件已開始逐步涌現。

阻礙 SSCB 大規模市場化應用的因素之一是導通電阻。盡管現代半導體開關（尤其是 MOSFET）的導通電阻已處于較低值，但仍遠高于機械觸點的導通電阻。

過去幾年間，碳化硅 (SiC) 結型場效應晶體管 (JFET) 已成為推動 SSCB 發展的主流技術。這種器件既充分利用了碳化硅材料的特性，如高導熱性、更高電壓等級與更低損耗，又融合了 JFET 結構的優勢。在當前市場中，JFET 的單位面積導通電阻 (RDS(ON)) 最低，而且與 MOSFET 一樣采用電壓控制方式。原因是這種器件采用了結型柵極結構（與 MOSFET 的氧化層柵極不同），能提供直接的漏源極電流通路，電荷俘獲效應極小，表面漏電流也可忽略不計。

圖 2：JFET 結構

但低導通電阻的不足之處在于，JFET 具有常開特性，倘若柵極懸空或無柵極電壓，器件將處于完全導通狀態。這種特性在大多數應用場景與控制方案中通常是不利因素，因為故障發生時，器件的理想狀態應為關斷狀態。

將JFET 與常開型Si MOSFET 串聯，可制成常關型器件。其中，Si MOSFET 起到SiC JFET 使能開關的作用，同時保留JFET 結構的優勢。這種結構被稱為共源共柵結構，用途廣泛，可適用于多種應用場景。共源共柵型 JFET (CJFET) 具備靈活的柵極驅動能力與低開關損耗，但僅能控制低壓 Si MOSFET 的柵極，而且開關速度過快，不適用于 SSCB。

另一種可用的結構是組合型JFET，同樣在單個封裝內集成了低壓MOSFET 與JFET。不同之處在于，組合型JFET 允許分別控制MOSFET 與JFET 的柵極，從而能更靈活地調控開關的電壓變化率(dV/dt)。通過對 JFET 柵極施加過驅動電壓，這種結構還能進一步降低 RDS(ON)。盡管柵極電壓為 0 V 時 JFET 已處于導通狀態，但施加正向柵極電壓可增強溝道導電性，進而降低 RDS(ON)。具體可參考圖 3。

圖 3：組合型 JFET 輸出特性

如前所述，功耗仍是阻礙 SSCB 進一步推廣的最大限制因素。若要將 SSCB 用于住宅場景，就必須與當前使用的設備保持向后兼容，而現有設備中留給散熱的空間十分有限。機械斷路器的電流通路電阻極低，因此損耗也非常小。SSCB 的功耗來源不僅包括 FET 的導通電阻，還包括控制電子元件的功耗；這類功耗大致保持恒定，且不受負載影響。

由于 JFET 僅能阻斷從源極到漏極方向的電壓，因此當用于交流阻斷時，需采用背對背結構。這項要求會使電路設計進一步復雜化，因為它會使溝道電阻實際增加一倍。因此，為降低總 RDS(ON)，通常會采用并聯結構。由此也進一步凸顯了組合型 JFET 作為優選開關的優勢，因為組合型 JFET 不僅支持并聯運行，而且能簡化并聯操作。

當 SSCB 發生故障時，電流會開始上升并通過半導體流向負載，直至器件關斷。在關斷過程中，電壓會急劇升高，此時過電壓會觸發電壓鉗位電路，保護 MOSFET 免受雪崩擊穿影響。故障電流會繼續通過鉗位電路流向負載，直至完全關斷。電路中（包括導線和感性負載）存儲的電感能量會在鉗位電路中釋放。檢測速度越快，電流上升幅度越小，所需釋放的能量就越少，相應地，鉗位電路的體積也可做得更小。

在電壓鉗位應用中，最常用的兩種器件是金屬氧化物壓敏電阻 (MOV) 和瞬態電壓抑制二極管 (TVS)。MOV 具有雙向導通特性，成本更低且功率密度更高，但使用壽命通常較短，同時因其兩電極間存在電容，電壓調節性能也較差。

另一方面，TVS 既有單向型也有雙向型，電容值更低，但對安裝空間要求更高，且大電流型號的成本也更高。

結語

SSCB 在傳統斷路器的基礎上實現了功能升級，但成本也隨之增加。SSCB 不僅能提供電路保護， 還可保障人員安全、支持遠程監控，并能遠程進行配置。由于固態斷路器的動作重復性遠高于傳統斷路器，因此更適用于跳閘頻率要求較高的場景。

安森美提供的 SiC JFET 與 SiC組合型 JFET，均具備極低的 RDS(ON)。盡管 SSCB 已開始逐步進入市場，但尚未實現大規模應用，主要是因為在高電壓、大電流場景下，SSCB 在功耗方面問題仍存在一系列難題。而 SiC JFET 和組合型 JFET 等器件，將有力促進優勢顯著的固態保護方案的普及與應用。