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安森美三款產(chǎn)品入圍2025年度全球電子成就獎與亞洲金選獎

安森美 ? 來源:安森美 ? 2025-08-21 10:16 ? 次閱讀
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由Aspencore發(fā)起的全球電子成就獎 (World Electronics Achievement Awards) 和亞洲金選獎(EE Awards Asia)正在火熱評選中。安森美(onsemi)的Hyperlux ID iToF 先進深度傳感器、采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S、先進模擬和混合信號平臺Treo成功入圍兩個獎項。

全球電子成就獎作為電子領域極具分量的榮譽,獎項專注于從眾多參與者中甄選具備頂尖技術實力與商業(yè)潛力的標桿,以此引導和激勵電子企業(yè)不斷精進,持續(xù)提升自身核心競爭力。

亞洲金選獎的誕生來自于工程師信賴的選擇,在《EE Times》及《EDN》專業(yè)技術媒體與科技人士的共同見證下,發(fā)布半導體電子產(chǎn)業(yè)界年度應用產(chǎn)品推薦榜單,以及最佳設計解決方案,同時將表彰對電子創(chuàng)新與發(fā)展做出重要貢獻的人士。

Hyperlux ID iToF 先進深度傳感器

Hyperlux ID 系列使用安森美全新專有全局快門像素架構(gòu)且自帶存儲,可以捕捉整個場景,同時實時進行深度測量,突破標準 iToF 傳感器的局限性,實現(xiàn)最遠 30 米的深度感知。

規(guī)格:

Hyperlux ID 系列包括120 萬像素全局快門、3.5μm背照式(BSI)像素傳感器。AF0130型號還自帶處理功能,令集成更簡單并降低系統(tǒng)成本。對于那些希望集成自有深度檢測算法的客戶,AF0131可以提供這一特性,為客戶增加了選擇靈活性。

應用領域:

Hyperlux ID適用于面部識別、手勢檢測和 3D 視頻會議等消費應用場景,以及各種工業(yè)環(huán)境,例如自動化與機器人、制造與質(zhì)量控制、物流與物料處理、農(nóng)業(yè)與種植、訪問控制系統(tǒng)

競爭優(yōu)勢:

傳統(tǒng)的iToF傳感器由于測距范圍有限、在惡劣光線條件下性能不佳以及無法對移動物體計算深度,其應用受到了限制。Hyperlux ID 系列能夠?qū)σ苿游矬w和高分辨率圖像進行精確測量,有助于減少錯誤和停機時間,優(yōu)化制造系統(tǒng)的流程,從而降低運營成本。Hyperlux ID深度感知距離是標準 iToF 傳感器的四倍,而且外形尺寸更小。 此外,該傳感器系列還能同時生成黑白圖像和深度信息。 通過結(jié)合這兩種輸出,該傳感器系列可以提供全面的環(huán)境視圖,而無需為視覺和深度數(shù)據(jù)分別配置傳感器。

采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S

安森美的UG4SC075005L8S在AI PSU設計中非常受歡迎,有助于實現(xiàn)下一代20 kW系統(tǒng),以創(chuàng)新的Combo架構(gòu)、高能效、高可靠性及系統(tǒng)友好性,解決了AI領域大電流、高功率場景的核心痛點。

關鍵特性與優(yōu)勢包括:

Combo JFET的設計旨在讓用戶能夠分別獨立控制MOSFET和SiC JFET的柵極。

超低導通電阻Rds(on):采用SiC JFET技術,UG4SC075005L8S的導通電阻低至5mOhm,顯著降低導通損耗,提高能效。

更高的峰值電流Idm:峰值電流對于電路保護應用至關重要,而高 Idm的UG4SC075005L8S正是實現(xiàn)這一目的的理想選擇。電路保護應用因其特定的工作條件而要求穩(wěn)健性和大電流穿越能力。

低熱阻RθJC:安森美的UG4SC075005L8S采用銀燒結(jié)裸片貼裝技術,與大多數(shù)焊接材料相比,界面導熱性能提高了六倍,從而在更小的裸片尺寸下實現(xiàn)相同甚至更低的結(jié)至外殼熱阻RθJC。低RθJC有助于保持較低的結(jié)溫,并確保更高的可靠性。

速度可控性:電路保護和多路并聯(lián)應用的理想選擇。通過降低關斷速度來減少電壓過沖,可加強電路保護,尤其是短路保護。易于并聯(lián),出色地平衡了開關損耗和動態(tài)電流平衡之間的性能。

結(jié)構(gòu)簡單,使用壽命長,無參數(shù)漂移

柵極驅(qū)動兼容性:支持使用成熟的硅基晶體管驅(qū)動器,無需專用驅(qū)動電路,簡化系統(tǒng)設計,加快開發(fā)速度。

先進模擬和混合信號平臺Treo

Treo 平臺是先進的模擬和混合信號平臺,基于 65nm 節(jié)點的BCD(Bipolar–CMOS -DMOS)工藝技術構(gòu)建,為安森美廣泛的電源和感知解決方案奠定了強大的基礎,包括高性能和低功耗感知、高效電源管理和專用通信器件,用于汽車、工業(yè)和AI數(shù)據(jù)中心等各種應用。該平臺采用模塊化架構(gòu),擁有一套用于構(gòu)成計算、電源管理、感知和通信子系統(tǒng)的不斷演進且穩(wěn)健的 IP 構(gòu)建模塊,支持業(yè)界領先的 1-90V 寬電壓范圍和高達 175°C 的工作溫度,使客戶能夠集成從低功耗到高功耗的一系列功能。

這些功能增強了安森美交付優(yōu)化解決方案和定制產(chǎn)品組合的能力,使客戶能夠以前所未有的速度將產(chǎn)品推向市場。基于 Treo 平臺制造的產(chǎn)品可在精度、性能和能效方面實現(xiàn)顯著提升,從而改善功能、安全性和整個生命周期的質(zhì)量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:實力入圍!安森美三款創(chuàng)新產(chǎn)品角逐2025 年度全球電子成就獎與亞洲金選獎

文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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