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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>意法半導體收購氮化鎵創新企業Exagan的多數股權

意法半導體收購氮化鎵創新企業Exagan的多數股權

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2023-02-14 17:35:509676

半導體中國

半導體中國 半導體(中國)投資有限公司成立于2005年06月17日,注冊地位于上海市閔行區東川路555號丁樓4層,法定代表人為MARCO LUCIANO CASSIS。經營范圍包括一、在國家
2023-02-16 16:32:562859

半導體“黑科技”:氮化

來源:《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設備以及制程工藝等技術不斷突破,在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質優勢逐漸顯現。其中,氮化憑借著在消費產品快充電源領域的如
2023-02-17 18:13:204100

半導體在智能出行、電源&能源、物聯網&互聯方面的先進產品和解決方案

在電源與能源應用領域,半導體將展示一款采用MASTERGAN和ST-ONEHP的140W 智能電源適配器。其中MASTERGAN在一個單一封裝內整合了半導體第三代氮化(GaN)功率晶體管和改進的柵極驅動器。
2023-06-30 16:33:451393

基于ST 半導體ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解決方案

ST-ONEMP與半導體的MasterGaN功率技術配套使用。 MasterGaN技術包含意半導體的集成柵極驅動器的氮化(GaN)寬帶隙功率晶體管。半導體GaN技術的開關頻率比傳統硅 MOSFET更高,使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態設計規范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011

半導體推出首款具有電流隔離功能的氮化晶體管柵極驅動器

2023 年 9 月 6 日,中國 ——半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化 (GaN) 晶體管柵極驅動器,新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054

什么是氮化半導體器件?氮化半導體器件特點是什么?

氮化是一種無機物質,化學式為GaN,是氮和的化合物,是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似,硬度非常高。氮化具有3.4電子伏特的寬能隙,可用
2023-09-13 16:41:453087

半導體“黑科技”:氮化(GaN)是何物?

氮化(GaN)被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料,今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下,這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:123281

封測創新中心在深圳盛大開幕

? 點擊上方? “?半導體中國” , 關注我們 ???????? 2023年11月21日,封測創新中心在深圳河套深港科技創新合作區的灣區芯谷盛大開幕。該封測創新中心整合和聚集了與制造、封裝
2023-12-07 10:45:021367

半導體推出下一代集成化氮化(GaN)電橋芯片

2023年12月15日,中國-半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化系列產品推出了下一代集成化氮化(GaN)電橋芯片,利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計,實現最新的生態設計目標。
2023-12-15 16:44:111621

氮化半導體和碳化硅半導體的區別

氮化半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料,在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:184061

氮化半導體芯片和芯片區別

氮化半導體芯片(GaN芯片)和傳統的硅半導體芯片在組成材料、性能特點、應用領域等方面存在著明顯的區別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先,氮化半導體芯片和傳統的硅半導體芯片的組成
2023-12-27 14:58:242956

氮化半導體屬于金屬材料嗎

氮化半導體并不屬于金屬材料,它屬于半導體材料。為了滿足你的要求,我將詳細介紹氮化半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發展方向等方面的內容。 氮化半導體的性質 氮化(GaN)是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486

半導體榮登2024年全球百強創新機構榜單

近日,備受矚目的全球百強創新機構榜單揭曉,半導體(簡稱ST)憑借其卓越的技術研發實力和創新能力,成功榮登這一榜單。這一榮譽再次證明了半導體在全球半導體技術創新領域的領先地位。
2024-03-14 09:16:461859

半導體榮獲CAIMRS年度評選雙創新

繼榮登2024年全球百強創新機構榜單之后,半導體(簡稱ST)再度迎來喜訊。在近日舉辦的第二十二屆中國自動化及數字化年度評選(CAIMRS)中,半導體的兩款產品憑借其卓越的創新性能,分別榮獲了“應用創新獎”和“數字化創新獎”。
2024-03-28 10:23:55900

日本企業加速氮化半導體生產,力推電動汽車續航升級

日本公司正積極投入大規模生產氮化(GaN)功率半導體器件,旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化與碳化硅(SiC)在電動汽車功率半導體器件的應用上競爭激烈,但氮化因其極低的功率損耗而備受矚目。
2024-10-22 15:10:021757

半導體發布250W MasterGaN參考設計

為了推動氮化(GaN)電源(PSU)在能效和功率密度方面的顯著提升,半導體近日推出了EVL250WMG1L參考設計。該設計基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)技術,是一款諧振轉換器
2024-12-25 14:19:481143

英諾賽科香港上市,國內氮化半導體第一股誕生

專注于第三代半導體氮化研發與制造的高新技術企業,自成立以來,始終致力于推動氮化技術的創新與應用。公司擁有全球最大的氮化功率半導體生產基地,產品線覆蓋氮化晶圓、氮化分立器件、合封芯片以及模組等多個領域,能
2025-01-02 14:36:301522

半導體推出250W MasterGaN參考設計

為了加快能效和功率密度都很出色的氮化(GaN)電源(PSU)的設計,半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的諧振轉換器參考設計。
2025-02-06 11:31:151134

半導體與英諾賽科簽署氮化技術開發與制造協議 借力雙方制造產能

科在中國的制造產能。 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司 半導體 (簡稱ST)與8英寸高性能低成本硅基氮化(GaN-on-Si)制造全球領軍企業 英諾賽科 ,共同宣布簽署了一項氮化技術開發與制造協議。雙方將充分發揮各
2025-04-01 10:06:023810

半導體:推進8英寸SiC戰略,引領行業規模化發展

新的機遇和挑戰。為了更好地解讀產業格局,探索未來的前進方向,行家說三代半與行家極光獎聯合策劃了 《第三代半導體產業-行家瞭望2025》 專題報道。 ? ? 日前, 半導體半導體中國區-功率分立和模擬產品器件部-市場及應用副總裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:413670

半導體推出EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計

為提供卓越的效率和功率密度,半導體加快了氮化(GaN)電源(PSU)的設計進程,推出了基于MasterGaN1L系統級封裝(SiP)的EVL250WMG1L諧振轉換器參考設計。
2025-07-18 14:40:16942

半導體收購恩智浦MEMS傳感器業務

服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司半導體(簡稱ST)宣布,擬收購恩智浦半導體(簡稱NXP)的MEMS傳感器業務,繼續鞏固其全球傳感器龍頭地位。擬收購的恩智浦業務專注于汽車安全產品以及
2025-07-30 16:01:32798

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