美高森美公司（Microsemi） 發布專門用于高電流、低導通阻抗（RDSon） 碳化硅 （SiC） MOSFET功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產品系列而開發，經設計提供適用于SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率。美高森美將在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM 歐洲電力電子展上展示使用新封裝的SP6LI功率模塊，以及其它現有產品系列中的SiC功率模塊產品。

美高森美繼續擴大其SiC解決方案的開發工作，已經成為向市場提供一系列Si / SiC功率分立和模塊解決方案的少數供應商之一。美高森美的SP6LI產品系列采用專為高電流SiC MOSFET功率模塊而設計的最低雜散電感封裝之一，具有五種標準模塊，在外殼溫度（Tc）為80°C的情況下，提供從1200 V、210A至586 A；以及Tc同為80°C的情況下達到1700 V、207 A的相臂拓撲。這種新型封裝具有更高的功率密度和緊湊的外形尺寸，可以使用較少數量的并聯模塊來實現完整的系統，幫助客戶進一步縮小設備尺寸。

美高森美的SP6LI功率模塊可以用于多種工業、汽車、醫療、航天和國防應用領域的開關模式電源和電機控制，示例包括電動車/混合動力車（EV/HEV）動力傳送和動能回收系統、飛機作動器系統、發電系統、開關模式電源，用于電感加熱、醫療電源和列車電氣化等應用的開關模式電源、光伏（PV）/太陽能/風能轉換器 和不間斷電源。

美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業務部門經理Leon Gross表示：“我們的極低雜散電感標準SP6LI封裝非常適合為用于高開關頻率、高電流和高效率應用的SiC MOSFET器件改善性能，通過提供更小尺寸的電源系統解決方案，幫助客戶大幅降低設備需求。我們的低電感封裝具有出色的開關特性，使客戶能夠開發更高性能的高可靠性系統，幫助他們從競爭中脫穎而出。”

市場研究機構Technavio指出，面向全球半導體應用的SiC市場預計在2021年前達到大約5.405億美元，年復合增長率（CAGR）超過18%。此外，IHS Markit的研究表明，預計SiC MOSFET器件到2025年將產生超過3億美元營收，幾乎達到肖特基二極管的水平，成為第二大暢銷SiC分立功率器件類型。

美高森美的SP6LI電源模塊采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二極管構成的相臂拓撲，每個開關具有低至2.1 mOhms 的極低RDSon，并提供用于溫度監控的內部熱敏電阻和用于信號和電源連接的旋入式端子，以及用于改善熱性能的隔熱和高導熱性基板（氮化鋁作為標準，氮化硅作為選件）。此外，標準銅底板可替換為鋁碳化硅（AlSiC）材料選件以實現更高的功率循環能力。

其它主要特性包括：

? 在相臂拓撲結構中優化多SiC MOSFET和二極管芯片組件的布局；

? 采用對稱設計，每個開關最多可并聯12個SiC MOSFET芯片；

? 每個管芯均與自身柵極串聯電阻并聯，實現均勻的電流平衡；

? 在非常快的開關頻率下，具有高達600 A的高電流能力；以及

? 可選的組裝材料組合，能夠更好地滿足不同的市場和應用需求。