美高森美公司（Microsemi）宣佈推出第一款用于高功率航空交通管制（air traffic control， ATC）、二級監視無線電 （secondary surveillance radio， SSR）應用的射頻（RF）電晶體的產品1011GN-700ELM。SSR 用于發送資訊至裝備有雷達應答器的飛機，并且同時收集資訊，容許航空交通控制員識別、跟蹤和測量特定飛機的位置。美高森美新型1011GN-700ELM 元件的峰值為700W，工作頻率為1030MHz，并且支援短脈衝和長脈衝的特長訊息 （extended length message， ELM） 。新型電晶體建基于GaN on SiC 技術，這項技術特別適合高功率電子應用。

　　美高森美公司RF整合系統產品部門副總裁David Hall表示：「我們積極推動開發下一代GaN on SiC功率元件，把握更高性能航太和軍事應用不斷增長的機會。新產品的發佈，讓我們現在可提供250、500和700W的高可靠性GaN on SiC電晶體，用于二級監控雷達搜索和跟蹤應用。我們還在研發多個其它GaN on SiC電晶體產品，將于今年稍后時間推出。」

　　美高森美即將推出的產品包括多個用于L，S和C波段雷達系統的高脈衝功率GaN on SiC電晶體，并且提供一整套GaN微波功率元件，包括S波段雷達型款：2729GN-150，2729GN-270，2731GN- 110M，2731GN-200M，3135GN-100M，3135GN-170M，2735GN-35M和2735GN-100M。正在開發的數款新產品包括用于涵蓋960-1215 MHz的L波段航空電子產品；涵蓋1200-1400MHz的L波段雷達，以及涵蓋2.7-2.9 GHzS波段雷達的較高功率元件。

　　1011GN-700ELM電晶體具有無與倫比的性能，包括700W峰值功率，21dB功率增益，以及1030 Mhz下70% 洩極效率，以降低整體洩極電流和熱耗散，其它的主要產品特性包括：短脈衝和長脈衝間歇模式： ELM = 2.4 ms， 64%和6.4% LTD；出色的輸出功率： 700W；高功率增益： 》21 dB最小值；經控制的動態範圍： 增量1.0dB，總計15dB；洩極偏壓-Vdd： +65V。

　　使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體（HEMT）所實現的系統優勢包括：採用簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要合成更多電壓準位的較低功率元件；較高峰值功率和功率增益，用于減少系統功率級和最終功率級合成；單級配對提供具有余裕的1.3kW功率，四路結合提供4 kW整體系統功率；65V高工作電壓，減小電源尺寸和直流電流需求；極高穩健性，提高系統良率；放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS製程的元件小50%。

　　1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨，採用100%高溫金（Au）金屬化和焊錫密封引線，提供長期軍用可靠性。