本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:00
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功率晶體管（GTR）
2009-12-10 14:22:439447 美高森美公司（Microsemi ）宣布擴(kuò)大RF功率產(chǎn)品線，推出DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 （industrial、scientific and medical，ISM） 應(yīng)用的RF產(chǎn)生器中使用，包括
2012-06-05 09:31:441087 美高森美公司（Microsemi）宣佈推出第一款用于高功率航空交通管制（air traffic control， ATC）、二級監(jiān)視無線電 （secondary surveillance radio， SSR）應(yīng)用的射頻（RF）電晶體的產(chǎn)品1011GN-700ELM。
2012-09-11 09:45:421244 選型手冊：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管
2025-08-27 17:51:246140 
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展。—、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴(kuò)散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達(dá)林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
晶體管開關(guān)能力的方法。在這樣的大功率電路中，存在的主要問題是布線。很高的開關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。簡單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管，還保護(hù)功率
2018-10-25 16:01:51
9011、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號的小功率晶體管，可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
1、引言隨著科技的進(jìn)步，半導(dǎo)體制造技術(shù)日新月異。微波晶體管的輸出功率能力在個(gè)個(gè)頻段都得到不斷提高，在甚高頻頻段已有單管輸出連續(xù)波600W的商品管，在L波段單管輸出峰值功率300W。單管輸出功率增大
2019-07-04 07:15:45
AM010WX-BI-R是AMCOM品牌的一款砷化鎵高電子遷移率晶體管（GaAs pHEMT），選用陶瓷 BI 封裝，頻率范圍高達(dá) 12 GHz，適用于的L / S / C波段寬帶功率
2025-08-25 10:06:43
電子，雷達(dá)和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
ASEMI MDA165-16能代替美高森美的MSAD165-16嗎？
2017-06-05 17:17:49
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：DU2840S產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強(qiáng)型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類模式工作時(shí)，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件，設(shè)計(jì)用于在0.960-1.215 GHz瞬時(shí)帶寬上運(yùn)行的系統(tǒng)。 當(dāng)在規(guī)定的脈沖條件下且VCC = 50V時(shí)以C類模式工作時(shí)，該通用基本設(shè)備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管，專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 當(dāng)在VCC = 50V的模式S脈沖突發(fā)條件下以C類模式運(yùn)行時(shí)，此通用基本設(shè)備可提供
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的大功率脈沖晶體管，該系統(tǒng)工作在2.7-2.9 GHz的瞬時(shí)帶寬上。 在C類模式下工作時(shí)，該通用基礎(chǔ)設(shè)備在100μs脈沖寬度和10％占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
我們獲得的新半導(dǎo)體材料生長和加工技術(shù)的S波段RF功率晶體管。今天仍然可以在美國和英國的每個(gè)機(jī)場部署先進(jìn)的空中交通管制雷達(dá)系統(tǒng)。從那時(shí)起，我們每年都有這種經(jīng)驗(yàn)，而今天，Integra為雷達(dá)應(yīng)用提供廣泛
2019-04-15 15:12:37
材料生長和加工技術(shù)的S波段RF功率晶體管。今天仍然可以在美國和英國的每個(gè)機(jī)場部署先進(jìn)的空中交通管制雷達(dá)系統(tǒng)。從那時(shí)起，我們每年都有這種經(jīng)驗(yàn)，而今天，Integra為雷達(dá)應(yīng)用提供廣泛的高功率晶體管產(chǎn)品組合
2019-05-14 11:00:13
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管，專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20％的占空比工作，在瞬時(shí)工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
″（9.78mm）高功率RF固定調(diào)諧射頻測試夾具的測試產(chǎn)品詳情:Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA
2019-05-20 09:16:24
IGN2856S40產(chǎn)品詳情:IGN2856S40是一種高功率脈沖晶體管，專門用于AB類操作。該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小峰值功率為500瓦，50V和3%占空比。通過芯片和電線技術(shù)組裝
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術(shù)通過芯片和線材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列 而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計(jì)提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報(bào)價(jià)NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
`產(chǎn)品型號：NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對DC-4000MHz的寬帶運(yùn)行進(jìn)行了優(yōu)化散熱增強(qiáng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)包裝100％射頻測試具有高達(dá)32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
電壓能力相結(jié)合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個(gè)器件中開關(guān)的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導(dǎo)體推出TO247-4L IGBT系列，具有強(qiáng)大且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
類操作公共基地配置黃金金屬化系統(tǒng)內(nèi)部輸入和輸出阻抗匹配 PH1214-220M產(chǎn)品詳情在MACOM，我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品，作為從DC到3.5 GHz的分立器件，模塊和托盤
2019-05-23 17:21:32
，在MACOM，我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品，作為從DC到3.5 GHz的分立器件，模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)
2018-05-21 15:49:50
，在MACOM，我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品，作為從DC到3.5 GHz的分立器件，模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)
2018-07-06 09:46:43
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2018-07-06 09:47:57
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2018-07-13 14:16:37
，在MACOM，我們提供范圍廣泛的雙極技術(shù)RF功率晶體管產(chǎn)品，作為從DC到3.5 GHz的分立器件，模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設(shè)備，通信，網(wǎng)絡(luò)，雷達(dá)以及工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療
2018-11-12 11:02:34
配對電路以產(chǎn)生連續(xù)功率。用于重型電機(jī)以控制電流。用于機(jī)器人應(yīng)用。IX. PNP 晶體管的優(yōu)勢為了提供電流，使用PNP晶體管。由于它產(chǎn)生的信號以負(fù)電源軌為基準(zhǔn)，因此簡化了電路設(shè)計(jì)。與NPN晶體管相比，它們
2023-02-03 09:44:48
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R為S波段雷達(dá)應(yīng)用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達(dá)120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R為S波段雷達(dá)應(yīng)用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達(dá)120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:24:16
`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率，易于匹配，更高的一致性和更寬的帶寬，并為您提供了更高的增益。該器件的目標(biāo)應(yīng)用是高電壓的低
2021-03-30 11:32:19
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進(jìn)行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補(bǔ)充
2018-11-30 11:35:30
輸出功率，功率增益為11 dB。 最大功率附加效率為59％，這使得TGF2021-01適用于高效應(yīng)用。?產(chǎn)品型號：TGF2021-01產(chǎn)品名稱：X波段晶體管TGF2021-01產(chǎn)品特性頻率范圍：DC至
2018-07-18 11:41:58
TGF2022-12 KU波段晶體管產(chǎn)品介紹TGF2022-12報(bào)價(jià)TGF2022-12代理TGF2022-12咨詢熱線TGF2022-12現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-07-18 11:51:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。》技術(shù)根據(jù)其結(jié)構(gòu)和制造工藝，晶體管可分為擴(kuò)散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當(dāng)前容量根據(jù)目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
達(dá)林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發(fā)射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結(jié)果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進(jìn)一步放大
2023-02-16 18:19:11
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動(dòng)。然而，螺線管、燈和電機(jī)等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。 晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍(lán)色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進(jìn)行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
換向故障損壞。總之，與用于LLC拓?fù)鋺?yīng)用的Si和SiC晶體管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價(jià)值。
2023-02-27 09:37:29
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
和頻率電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來自意法半導(dǎo)體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
或 MOSFET 相比，絕緣柵雙極性晶體管器件的優(yōu)勢在于，它比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管提供了更大的功率增益，并且具有更高的電壓工作和更低的 MOSFET 輸入損耗。實(shí)際上，它是一種集成了雙極性晶體管的達(dá)靈頓
2022-04-29 10:55:25
，典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦，增益為16dB,并具備低熱阻特性。 新晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應(yīng)用提供一系列射頻功率晶體管，額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
小學(xué)生一枚，求CREE公司CGH系列晶體管模型求問ADS大神，如何將2009版以前的模型文件轉(zhuǎn)換成2011版以后啊？
2017-11-21 22:49:59
功率場效應(yīng)管MOSFET,功率場控晶體管
功率場效應(yīng)管又叫功率場控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:423331 
大功率晶體管的修理
2009-08-22 16:08:06415 
什么是RF LDMOS晶體管
DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴(kuò)
2010-03-05 16:22:597379 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計(jì)、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機(jī)、晶體管測試儀）以及常見的晶體管（如：場效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬象，希望對各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個(gè)LDMOS功率晶體管與一個(gè)氮化鎵（GaN）晶體管，所有產(chǎn)品均超越地面移動(dòng)市場要求。
2013-06-09 10:18:372194 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:181200 致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司宣布擴(kuò)展高頻率垂直擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（VDMOS） MOSFET產(chǎn)品系列，兩款更大功率、更高電壓（V） VRF2944
2013-09-16 14:08:451118 半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）襯底氮化鎵（gallium nitride，GaN）高電子遷移率晶體管
2013-09-30 15:34:162478 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)
2016-01-13 11:14:372002 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
2016-01-13 15:37:092387 這篇文章的目的是提供一個(gè)指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
24 功率晶體管快速關(guān)斷研究
2017-09-12 11:13:567 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08622 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出大功率堅(jiān)固型BLF189XRA RF功率晶體管，用于88-108MHz頻率范圍內(nèi)的廣播FM無線電應(yīng)用。
2018-09-30 16:41:003381 采用塑料封裝的AD9164 RF DAC和HMC1114 GaN PA本身都是非常強(qiáng)大的器件。通過配合使用兩款器件，ADI公司能夠提供更出色的解決方案。位到S波段的高功率直接RF。
2019-08-02 06:11:003578 GHz技術(shù)，UltraRF組成RF功率晶體管聯(lián)盟 加利福尼亞州圣克拉拉 - GHz Technology Inc.和Spectrain公司的UltraRF子公司已結(jié)盟開發(fā)用于航空電子，廣播和許多非
2020-02-12 12:17:042466 基于二端口負(fù)阻振蕩器模型，結(jié)合微波晶體管小信號 S 參數(shù)和微帶線反饋結(jié)構(gòu)，采用開環(huán)電路和三維電磁聯(lián)合仿真設(shè)計(jì)方法，實(shí)現(xiàn)了一款電路結(jié)構(gòu)簡單的 Ku 波段振蕩器。振蕩器中心頻率為 24.2GHz，輸出功率 6.8dBm，在頻偏 100Khz 的相位噪聲達(dá)-85.2dBc/Hz。
2020-06-30 08:00:004 能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是
2020-08-14 18:51:000 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS
2020-08-12 18:52:001 GaN材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表，具備寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高峰值電子漂移速度等優(yōu)質(zhì)性能。因此，GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求，GaN功率晶體管一直是L和S波段
2022-04-14 09:12:14797 從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結(jié)MOSFET。功率晶體管的特征與定位：首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率范圍。
2023-02-10 09:41:001280 
功率晶體管的參數(shù)主要有電壓限制、電流限制、功率限制、頻率限制、溫度限制等。這些參數(shù)都會(huì)影響功率晶體管的性能，因此在選擇功率晶體管時(shí)，應(yīng)該根據(jù)實(shí)際應(yīng)用來選擇合適的參數(shù)。
2023-02-17 14:29:373679 大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器件合理工作，通過功率電子器件為負(fù)載提供大功率的輸出。
2023-03-01 09:39:242247 微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計(jì)低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:274561 
的功率晶體管需要高電壓和高電流的控制，而一般的控制電路很難滿足這一需求。驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的電壓和電流，從而實(shí)現(xiàn)對功率晶體管的精確控制。 其次，專用驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的電路保護(hù)功能。在高功率應(yīng)用中，功率晶體管容易
2023-10-22 14:47:331150 晶體管功率繼電器是一種利用晶體管作為開關(guān)元件的功率繼電器。它具有體積小、重量輕、響應(yīng)速度快、壽命長等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。 工作原理 晶體管功率繼電器的工作原理是利用晶體管的開關(guān)特性
2024-06-28 09:13:591664 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MJD31CA NPN高功率雙極晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 16:19:460
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