半橋電路（圖1）廣泛用于功率電子領(lǐng)域的多種應(yīng)用，是現(xiàn)代設(shè)計(jì)中有效轉(zhuǎn)換電能使用的基本電路。但是，只有在半橋、門(mén)驅(qū)動(dòng)器和布線正確且優(yōu)化設(shè)計(jì)時(shí)，這種電路的優(yōu)勢(shì)才能得到實(shí)現(xiàn)。
2020-08-31 13:43:31
1543 
及碳化硅制造挑戰(zhàn)。 ? ?? 寬禁帶半導(dǎo)體 顧名思義，寬禁帶半導(dǎo)體（例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)），是通過(guò)其最重要的電氣特性“禁帶”來(lái)描述的一類(lèi)半導(dǎo)體。禁帶是價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。類(lèi)似硅的半導(dǎo)體具有相對(duì)較窄的禁
2025-01-05 19:25:292602 
什么才是電源測(cè)試工程師所關(guān)注的測(cè)試難點(diǎn)？走訪了百位測(cè)試工程師，泰克將工程師的測(cè)試痛點(diǎn)總結(jié)出來(lái)。
2020-02-27 17:13:321507 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1013829 
工程師對(duì)電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過(guò)渡到碳化硅或?qū)拵?b class="flag-6" style="color: red">器件時(shí)，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體具有十多年的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:534300 
由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和 GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車(chē)和 RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。
2020-05-11 10:20:511125 ? ? 碳化硅 為寬禁帶材料，具有高導(dǎo)熱系數(shù)、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)異的材料特性，因此適合作為高耐壓、高溫、高頻及抗輻射等操作的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)的材料基礎(chǔ)。 ?? ?寬禁帶半導(dǎo)體器件
2022-11-17 15:28:073911 
[摘要]我們?知道?測(cè)試?寬?帶?5G IC?非常?有?挑戰(zhàn)?性，?因而?撰寫(xiě)?了?《5G?半導(dǎo)體?測(cè)試?工程?師?指南》?來(lái)?幫助?您?解惑。?如果?您?是?sub-6 GHz?和?mmWave
2020-09-01 15:41:51
半導(dǎo)體材料可實(shí)現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
大陸轉(zhuǎn)移的歷史浪潮之下，半導(dǎo)體材料進(jìn)口替代將成為必然趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料研究未來(lái)成長(zhǎng)空間巨大。泰克產(chǎn)品提供全套的解決方案可供電子測(cè)試工程師選擇。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，中國(guó)正成為主要承接
2020-05-09 15:22:12
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車(chē)載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
SiC和GaN快速發(fā)展和應(yīng)用可以毫不夸張的說(shuō)給電源行業(yè)帶來(lái)顛覆性的變化。對(duì)于設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō)卻帶來(lái)了非常大的測(cè)試挑戰(zhàn),如何保證選用的高速功率器件能穩(wěn)定可靠的運(yùn)行在自己的電源產(chǎn)品中,我們需要了解功率器件
2021-05-20 11:17:57
可靠性保駕護(hù)航！
一、嚴(yán)謹(jǐn)細(xì)微，鑄就精準(zhǔn)測(cè)試之魂
BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)采用先進(jìn)的高精度傳感器和精密的測(cè)量算法，如同擁有一雙“火眼金睛”，能夠?qū)?Si/SiC/GaN 等各類(lèi)材料
2025-10-10 10:35:17
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車(chē)載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
在接下來(lái)的幾周內(nèi)，安森美半導(dǎo)體的專(zhuān)家將在路上，幫助設(shè)計(jì)工程師在美國(guó)和加拿大的五個(gè)地點(diǎn)解決他們的電源應(yīng)用挑戰(zhàn)。安森美半導(dǎo)體的電力研討會(huì)側(cè)重于技術(shù)和技術(shù)，而非產(chǎn)品。我們邀請(qǐng)您與我們的電源專(zhuān)家會(huì)面，探討
2018-10-29 08:57:06
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
。今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見(jiàn)。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過(guò)程中的諸多細(xì)節(jié)問(wèn)題，泰克與電源行業(yè)專(zhuān)家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門(mén)到
2020-11-18 06:30:50
下一代電源半導(dǎo)體的方案陣容，包括針對(duì)汽車(chē)功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險(xiǎn)絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無(wú)源傳感器以在汽車(chē)感測(cè)/車(chē)身應(yīng)用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
，幫助工程師避免只關(guān)注設(shè)計(jì)忽略整體效率? 可以進(jìn)行諧波標(biāo)準(zhǔn)預(yù)一致性測(cè)試，縮短產(chǎn)品的研發(fā)周期? 結(jié)合光隔離ISOVu探頭可以對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN進(jìn)行特性分析驗(yàn)證參與小調(diào)研，還有機(jī)會(huì)活動(dòng)精美禮品
2018-07-25 15:48:08
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
半導(dǎo)體封裝工程師發(fā)布日期2015-02-10工作地點(diǎn)北京-北京市學(xué)歷要求碩士工作經(jīng)驗(yàn)1~3年招聘人數(shù)1待遇水平面議年齡要求性別要求不限有效期2015-04-16職位描述1、半導(dǎo)體光電子學(xué)、微電子
2015-02-10 13:33:33
求全新的測(cè)試工具和全新的方法，針對(duì)特定應(yīng)用優(yōu)化性能，確保可靠性。鑫磊：你覺(jué)得泰克為電源工程師及演進(jìn)方式提供了哪些支持？Seshank：泰克為功率電子設(shè)計(jì)提供完善的全套儀器和軟件解決方案，從元器件測(cè)試到
2018-06-14 14:28:19
(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
`泰科天潤(rùn)招聘貼~研發(fā)工程師崗位職責(zé)：1.半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)；2.半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā)；3.研究SiC功率器件方面的最新進(jìn)展，包括研究文獻(xiàn)、新設(shè)計(jì)、新技術(shù)、新產(chǎn)品等；4.協(xié)助小組項(xiàng)目開(kāi)發(fā)。任職要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
請(qǐng)問(wèn)怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門(mén)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
有效期至2010-01-01公司名稱(chēng)中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點(diǎn)新加坡學(xué)歷要求本科 研究生 博士 專(zhuān)業(yè)應(yīng)用材料、機(jī)械、自動(dòng)化、（微）電子
2009-10-12 11:10:18
有效期至2010-01-01公司名稱(chēng)中智公司職位半導(dǎo)體工程師工作地點(diǎn)新加坡學(xué)歷要求本科 研究生 博士 專(zhuān)業(yè)應(yīng)用材料、機(jī)械、自動(dòng)化、（微）電子
2009-10-12 11:15:49
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
PFD1KE評(píng)估板：助力工程師快速開(kāi)發(fā)與驗(yàn)證在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選擇合適的元器件和開(kāi)發(fā)工具至關(guān)重要。Microchip Technology推出的PFD1KE評(píng)估板為工程師提供了一個(gè)高效的解決方案，幫助
2024-10-06 16:42:01
這篇文章的目的是提供一個(gè)指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
24 隨著以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料（即第三代半導(dǎo)體材料）設(shè)備、制造工藝與器件物理的迅速發(fā)展，SiC和GaN基的電力電子器件逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展方向。
2017-10-17 17:23:192099 1.GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來(lái)已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮鎵（GaN） 為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2017-11-25 16:19:434426 
雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專(zhuān)利、成本等問(wèn)題放緩了擴(kuò)張的步伐，但世易時(shí)移，新興市場(chǎng)為其應(yīng)用加速增添了新動(dòng)能。
2018-07-19 09:47:206060 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關(guān)鍵推動(dòng)因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:516425 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢(shì)，成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國(guó)防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-06 11:55:009041 近日，2018中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會(huì)在濟(jì)南召開(kāi)。會(huì)上，國(guó)家主管部門(mén)領(lǐng)導(dǎo)與技術(shù)專(zhuān)家、金融投資機(jī)構(gòu)、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等共同研討寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對(duì)接提供了良好的交流互動(dòng)平臺(tái)。
2018-12-10 14:24:253990 現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛(ài)高壓，轉(zhuǎn)向寬禁帶半導(dǎo)體的高壓系統(tǒng)，是因?yàn)椋菏紫龋邏阂馕吨碗娏鳎@也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會(huì)減少，結(jié)果會(huì)直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次，寬禁帶技術(shù)(通過(guò)高壓實(shí)現(xiàn))的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306038 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運(yùn)行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導(dǎo)體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 5月16日上午，濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟(jì)南國(guó)際醫(yī)學(xué)中心，是濟(jì)南實(shí)施北跨發(fā)展和新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換
2019-05-17 17:18:524422 泰克公司源自工程師，為工程師而生。在20世紀(jì)40年代，未來(lái)的浪潮是示波器，它為工程師提供了從無(wú)線電波到計(jì)算機(jī)電路板中電子信號(hào)的一切可視化測(cè)量。
2019-05-27 11:51:051203 半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測(cè)試
2020-05-28 09:58:592018 
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊(cè)資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測(cè)以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551214 由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導(dǎo)體（SiC 和GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車(chē)和RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對(duì)Si、SiC和GaN器件進(jìn)行安全、精確的測(cè)試
2020-11-18 10:38:0028 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013308 
針對(duì)電源設(shè)計(jì)的研發(fā)需求和市場(chǎng)反饋，泰克為行業(yè)提供全流程測(cè)試方案。從初期的器件選擇到最終的產(chǎn)品認(rèn)證多個(gè)測(cè)試環(huán)節(jié)，泰克的專(zhuān)業(yè)測(cè)試方案都會(huì)為電源工程師的工作保駕護(hù)航，生產(chǎn)優(yōu)秀的電源產(chǎn)品。
2020-09-30 09:12:541357 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一共分三個(gè)階段，第一代半導(dǎo)體材料是硅(Si)，第二代半導(dǎo)體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現(xiàn)在最熱門(mén)的是第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN和SiC，相較前兩代產(chǎn)品
2022-12-09 10:46:481987 基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強(qiáng)功能。
2020-10-23 11:03:261297 工程師的噩夢(mèng)。 結(jié)合泰克新一代示波器，泰克針對(duì)性地推出帶寬 1Ghz、2500V 差模、120dB 共模抑制比的全面光隔離探頭，提供系統(tǒng)優(yōu)異的抗干擾能力，幫助工程師進(jìn)行第三代半導(dǎo)體器件的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化設(shè)計(jì)。工程師在設(shè)計(jì)電源產(chǎn)品時(shí)，優(yōu)化上下管的驅(qū)動(dòng)條件，從
2020-10-30 03:52:111116 現(xiàn)代寬禁帶功率器件（SiC， GaN）上的開(kāi)關(guān)晶體管速度越來(lái)越快，使得測(cè)量和表征成為相當(dāng)大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實(shí)現(xiàn)。隔離探測(cè)技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面，通過(guò)這一技術(shù)，設(shè)計(jì)人員終于能夠放心
2020-12-14 23:36:0022 今日寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)陸敏博士發(fā)表了主題為“SiC和GaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)”的演講。
2020-12-04 11:12:042987 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長(zhǎng)技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國(guó)國(guó)防
2021-02-01 11:28:4629 器件性能的限制被認(rèn)識(shí)得越來(lái)越清晰。實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場(chǎng)，也就是選擇寬禁帶的半導(dǎo)體材料。
2021-03-01 16:12:0024 第三代半導(dǎo)體材料又稱(chēng)寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢(shì)
2021-05-03 16:18:0013731 
泰克在華南地區(qū)首臺(tái)DPT1000A在深圳美浦森半導(dǎo)體正式交付。DPT1000A功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)由泰克科技領(lǐng)先研發(fā)，一經(jīng)推出就受到廣大科研和企業(yè)用戶的強(qiáng)烈關(guān)注。
2021-08-19 10:15:162476 
泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域開(kāi)展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
有限公司、泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司、北京郵電大學(xué)、三安光電有限公司等知名企業(yè)及高校科研院所共同分享寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最新進(jìn)展。
2021-12-23 14:06:342830 
第三代半導(dǎo)體指以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）和金剛石為代表的化合物半導(dǎo)體，該類(lèi)半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.2eV，因此也被稱(chēng)為寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料。
2021-12-23 15:11:383437 對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個(gè)行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點(diǎn)。
2022-07-05 12:44:534542 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見(jiàn)。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121579 效率的替代品：碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。 這些高度創(chuàng)新的材料屬于寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體系列。WBG 非凡的物理和電氣特性使這些材料非常適合滿足高頻電源應(yīng)用的性能需求，包括極端功率和工作溫度以及對(duì)以緊湊外形實(shí)現(xiàn)更快、高效、
2022-08-08 10:16:491930 
。目前，從市場(chǎng)領(lǐng)域來(lái)看，寬禁帶半導(dǎo)體材料已于快充、新能源汽車(chē)、光伏、風(fēng)電、高鐵等多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用。其中，氮化鎵主要面向PD電源類(lèi)居多，而碳化硅主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)領(lǐng)域。 但從使用情況來(lái)看，相比于其他材料，寬禁帶半導(dǎo)體
2022-10-28 11:04:341760 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國(guó)際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
2022-11-29 09:10:391948 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來(lái)《解析寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試中的探頭選擇難題》直播會(huì)議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421621 
寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對(duì)應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810871 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車(chē)、光伏、機(jī)車(chē)牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:2211803 
（SiC）、氮化鎵（GaN）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。什么是寬禁帶？物質(zhì)的導(dǎo)電需要
2023-05-06 10:31:466543 
根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測(cè)試遇到的種種問(wèn)題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù)，加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗(yàn)證。 通過(guò)以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬
2023-10-08 19:15:02966 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見(jiàn)，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱(chēng)為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
，今日宣布其實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過(guò)全面升級(jí)后，推出Version 2.0并在京盛大揭幕。泰克科技中國(guó)區(qū)分銷(xiāo)業(yè)務(wù)總經(jīng)理宋磊為本次盛會(huì)做了開(kāi)幕致辭，同時(shí)我們有幸邀請(qǐng)到了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書(shū)長(zhǎng)高偉博士，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
2024-05-16 17:14:30591 
功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長(zhǎng)的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311645 當(dāng)今，氣候變化與如何應(yīng)對(duì)持續(xù)增長(zhǎng)的能源需求已經(jīng)成為人類(lèi)面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18788 
下一代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進(jìn)一步鞏固其作為全球節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
2024-06-28 16:56:381689 擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.BJT、 IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試
2024-07-23 15:43:311609 
功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮?b class="flag-6" style="color: red">器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類(lèi)型：功率半導(dǎo)體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 的角色。它們是構(gòu)成電子器件和光電子器件的基礎(chǔ)。根據(jù)禁帶寬度的不同，半導(dǎo)體材料可以分為窄禁帶、中禁帶和寬禁帶材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料因其獨(dú)特的電子和光學(xué)特性，在高功率、高頻、高溫和高亮度應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。 寬禁帶半導(dǎo)
2024-07-31 09:09:063202 SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，如高絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)度、寬禁帶、高熱導(dǎo)率等，在電力電子領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力和廣泛的應(yīng)用前景。
2024-09-10 15:15:586011 近年來(lái)，電力電子應(yīng)用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變?cè)絹?lái)越明顯。在過(guò)去的十年中，SiC和GaN半導(dǎo)體成為了推動(dòng)電氣化和強(qiáng)大未來(lái)的重要力量。得益于其固有特性，寬禁帶半導(dǎo)體正在逐漸取代許多
2024-10-09 11:12:351254 
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
2024-11-20 16:21:412093 
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:102785 
近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進(jìn)展，雙方共同對(duì)遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進(jìn)行了全面深入的測(cè)試與評(píng)估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗(yàn)證了遠(yuǎn)山半導(dǎo)體
2025-01-20 11:07:33962 目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，而對(duì)高效電源的需求正在加速增長(zhǎng)。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評(píng)估他們的驗(yàn)證和測(cè)試方法，以應(yīng)對(duì)當(dāng)今電氣化的挑戰(zhàn)。
2025-02-19 09:37:10869 
：在剛剛過(guò)去的英飛凌2025年寬禁帶開(kāi)發(fā)論壇上，英飛凌與匯川等企業(yè)展示了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)展。從SiC與GaN技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
采用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) MOSFET 器件構(gòu)建的新型功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，需要精心的設(shè)計(jì)和測(cè)試以優(yōu)化性能。
2025-08-25 14:53:231334 
隨著全球汽車(chē)產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化邁進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動(dòng)這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場(chǎng)深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680 隨著第三代半導(dǎo)體材料SiC在新能源汽車(chē)、5G通信和工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其動(dòng)態(tài)特性的精準(zhǔn)測(cè)量成為保障系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵。泰克示波器憑借高帶寬、高速采樣率和專(zhuān)業(yè)的分析功能，為SiC器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試
2025-10-17 11:42:14231 
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