2022 年?5 月?18日，中國?– 意法半導體的?STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關
2022-05-19 10:50:42
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2022 年 6 月 23 日，中國 – 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關損耗，同時優化體寄生二極管特性，降低功率轉換
2022-06-24 09:57:452122 
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST) 推出首款完全符合衛星和運載火箭電子子系統質量要求的功率系列產品。全新抗輻射功率MOSFET系列產品的額定輸出電流為6A至80A，由5款N溝道和P溝道產
2011-06-15 08:49:081736 在高功率應用中，碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優勢。其中包括更低的傳導和開關損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:311566 
意法半導體新IH系列器件屬于意法半導體針對軟開關應用專門優化的溝柵式場截止（TFS） IGBT產品家族，適用于電磁爐等家電以及軟開關應用的半橋電路，現在產品設計人員可以選用這些IGBT，來達到更高的能效等級。
2019-03-27 16:05:333437 為了更方便的轉型到高能效的寬禁帶半導體技術，意法半導體發布了MasterGaN3*和 MasterGaN5兩款集成功率系統封裝，分別面向高達 45W 和 150W的功率變換應用。
2021-08-30 10:22:452334 
2022 年 9 月 13日，中國 —— 意法半導體發布了兩款采用主流配置的內置1200V 碳化硅(SiC) MOSFET的STPOWER電源模塊。兩款模塊都采用意法半導體的ACEPACK 2 封裝
2022-09-13 14:41:19976 
? 2023 年 5 月 24 日，中國 —— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優值系數 (FoM
2023-05-26 14:11:201210 
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓同時提高跨導，也可以提高開關速度，降低開關損耗。但過低的閾值電壓會使MOSFET容易受到干擾誤導通，而跨導和工藝有關。
2017-03-06 15:19:01
功率放大器以及商用和工業系統的功率放大器。意法半導體與遠創達的合作協議將擴大意法半導體LDMOS產品的應用范圍。協議內容保密，不對外披露。 相關新聞MACOM和意法半導體將硅上氮化鎵推入主流射頻市場
2018-02-28 11:44:56
新產品的集成功率級都采用意法半導體RDS（ON）僅為500mΩ的專有MOSFET，高能效和經濟性兼備。STSPIN840的電橋輸出可以單獨使用或并聯，這有助于降低多電機驅動應用的物料清單成本。高功能集度
2018-08-29 13:16:07
? 意法半導體嵌入式軟件包集成Sigfox網絡軟件，適用于各種產品，按照物聯網應用開發人員的需求專門設計 ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰會簡介第五屆意法半導體工業峰會即將啟程，現我們敬邀您蒞臨現場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導體核心技術，推動加快可持續發展計劃，實現突破性創新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
和精確度。 該主板具充足的運算能力，能夠處理復雜的數據集，例如，意法半導體先進6軸慣性模塊輸出的OIS / EIS（光學或電子防抖）數據， 以及簡單的傳感器讀數，例如，氣壓表、加速計或陀螺儀數據。 該主板
2018-05-22 11:20:41
、ETSI 和 ARIB 規范。新IC電路元件是采用意法半導體的集成無源器件(IPD)技術制造在玻璃襯底上，這樣設計可以最大限度地減少信號插入損耗，性能優于采用分立元件構建的電路。在同一芯片上集成所有
2023-02-13 17:58:36
中國，2018年4月10日 ——意法半導體的STLQ020低壓差（LDO）穩壓器可以緩解在靜態電流、輸出功率、動態響應和封裝尺寸之間權衡取舍的難題，為設計人員帶來更大的自由設計空間。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進的車載導航
2018-07-17 16:46:16
`中國，2018年6月22日——意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49
。在負載較低時，為最大限度地提高能效，STCH03進入準諧振模式（ZVS），通過檢測變壓器退磁來控制零電壓開關操作。檢測電路還提供電壓前饋控制功能，以確保恒流調整的精確度。STCH03將運行電流維持在
2018-07-13 11:35:31
STM32* 微控制器上開發先進的高能效電機驅動器的難度。此舉為空調、家電、無人機、樓宇自動化、機床、醫療設備、電動車等產品設備工程師研發先進電機驅動帶來更多機會，而且無需專門的研發經驗。基于意法半導體上一代
2018-03-22 14:30:41
和RAM）。例如，對于內存來說太大的單個層可以分為兩個步驟。之前的MLPerf Tiny結果顯示，與標準CMSIS-NN分數相比，意法半導體的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的優化版本）具有性能優勢。STM32CubeAI開發云還將支持意法半導體即將推出的微控制器，包括內部開發的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
中國，2018年8月1日——意法半導體的FDA803D 和FDA903D汽車級數字輸入音頻放大器功能豐富，有助于簡化系統集成，最大限度提高車載信息服務及緊急呼叫設備和混動/電動汽車聲學提示系統
2018-08-02 15:33:58
中國，2018年7月16日——意法半導體STEF01可編程電子熔斷器集成低導通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓范圍內，能夠維持高達4A的連續電流
2018-07-16 16:51:13
www.st.com/evalsp820。原貼地址 https://www.stmcu.com.cn/news/777相關新聞意法半導體高能效單片三相三路電流檢測BLDC驅動器：延長便攜設備和物聯網產品
2018-06-11 15:16:38
。無論是在最大亮度還是調光模式，控制器均可確保電壓轉換和電流控制電路擁有很高的能效，最大限度地延長電池的使用壽命。此外，每個通道的電流匹配度非常精確，從而可確保背光亮度保持一致，進一步提高
2011-11-24 14:57:16
利用雙電機無傳感器磁場定向控制（FOC）和有源功率因素校正（PFC），實現空調電機控制提高能效和降低系統成本是促使現代電機控制技術發展的推動力量，這些技術廣泛應用于各種風扇、泵機、壓縮機或減速電機
2018-12-04 09:54:53
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高
2022-11-02 12:02:05
2a）可以減少橋損耗，采用交錯式PFC（圖2b）可以滿足較高功率應用的要求，以提升PFC能效。此外，還可以利用IC技術減少開關損耗，并利用更優化的拓撲結構來減少EMI濾波器損耗。 采用安森美半導體
2011-12-13 10:46:35
隨著現代微控制器和SoC變得越來越復雜，設計者面臨著最大化能源效率，同時實現更高水平的集成。最大限度地提高能量在低功耗SoC市場中，多個功率域的使用被廣泛采用。在
同時，為了解決更高級別的集成，許多
2023-08-02 06:34:14
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現4G/LTE和大規模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
引言 如今，客戶要求產品不但節能，還要體積更小，從而推動功率轉換行業向前發展。交流/直流和直流/直流轉換器拓撲的不斷發展，改善了轉換器效率。功率MOSFET是功率轉換器的核心部件，是設計高能效產品
2018-12-07 10:21:41
的功率型分立器件針對軟開關諧振和硬開關轉換器進行了優化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統效率。基于氮化鎵的最新產品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。
2023-09-07 06:49:47
Degauque表示：“意法半導體高射頻性能的NFC方案最大限度地提高了工程師在新產品設計時的自由空間和靈活度。通過充分利用這一靈活性， NFC在Alcatel 3V智能手機上的集成過程被有效簡化
2018-06-11 15:22:25
智能電表芯片單片集成開發智能電表所需的全部重要功能，能夠滿足多個智能電網市場的需求。這些電表連接消費者和供電公司，提供實時電能計量和用電數據分析功能。意法半導體亞太區功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
直接影響轉換器的體積、功率密度和成本。 然而，所使用的半導體開關遠非理想，并且由于開關轉換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關損耗。這些損耗對轉換器工作頻率造成了實際限制。諧振拓撲可以通過插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
最大限度地降低了動態損耗，提高了總體能效，特別是在從數百kHz至MHz不等的較高工作頻率下。為了實現高壓開關的零電壓開關（ZVS）工作，這三種拓撲都利用變壓器中的循環電流來進行開關QOSS放電。顯然
2022-04-12 11:07:51
最大限度地降低了動態損耗，提高了總體能效，特別是在從數百kHz至MHz不等的較高工作頻率下。為了實現高壓開關的零電壓開關（ZVS）工作，這三種拓撲都利用變壓器中的循環電流來進行開關QOSS放電。顯然
2022-06-14 10:14:18
描述 此項 25W 的設計在反激式拓撲中使用 UCC28740 來最大限度降低空載待機功耗，并使用 UCC24636同步整流控制器來最大限度減少功率 MOSFET 體二極管傳導時間。此設計還使用來
2022-09-23 06:11:58
條件下實現高能效，是達到這個市場需求的關鍵要素，同時也是半導體廠商研發新技術的動力。 因為過去幾年技術改良取得較大進步，意法半導體最新的功率MOSFET技術可以成功地替代變頻電機控制器的IGBT開關
2018-11-20 10:52:44
最大限度提高Σ-Δ ADC驅動器的性能
2021-01-06 07:05:10
在本文中，我們將解釋針對不同的應用和工作條件仔細選擇IGBT變體如何提高整體系統效率。IGBT模塊中的損耗大致可分為兩類：傳導開關眾所周知，對于特定電壓下的任何給定過程，降低傳導損耗的努力將導致
2023-02-27 09:54:52
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
在電源設計中，為提高能效，通常采用同步整流，即用MOSFET取代二極管整流器，從而降低整流器兩端壓降和導通損耗，提供更高的電流能力，實現更高的系統能效。然而，傳統的同步整流在用于LLC諧振轉換器
2018-12-03 11:07:15
碩果。堯遠通信科技的客戶充分利用CLOE追蹤器整體方案的優勢，針對不同用途的物聯網追蹤器設計高能效的LTE。”意法半導體信息娛樂事業部總監Antonio Radaelli表示：“CLOE是我們與賽肯通信
2018-02-28 11:41:49
布局電源板以最大限度地降低EMI：第3部分
2019-08-16 06:13:31
碳化硅（SiC） MOSFET、超級結MOSFET、IGBT和汽車功率模塊（APM）等廣泛的產品陣容乃至完整的系統方案，以專知和經驗支持設計人員優化性能，加快開發周期。本文將主要介紹針對主流功率等級的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
的特性，還因為器件對IGBT的價格越來越有競爭力，制造商在系統層面引入了長期投資策略，以確保供應。 STPOWER產品組合 毫無疑問，進入SiC供應商榜首的制造商之一是意法半導體。意法半導體在過去幾年
2023-02-24 15:03:59
意法半導體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
意法半導體ST推出250A功率MOSFET，封裝和制程同步升級，提高電機驅動能效
中國，2008年7月16日 —— 以降低電動汽車等電動設備的運營成本和環境影
2008-07-29 14:13:02918 意法半導體發布超低功耗整流二極管
功率半導體供應商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出新的高能效功率整流二極管
2010-04-06 13:29:521162 全球領先的高能效半導體解決方案供應商、可持續發展的倡導者意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)宣布，大中華區與南亞地區副總裁兼臺灣分公司總經理尹容(Giuseppe Izzo)將
2010-10-29 09:04:12808 意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態電阻
2011-12-27 17:29:102989 
意法半導體(STMicroelectronics)推出超結型MDmesh V系列-- STW88N65M，新產品的導通電組(On-Resistance Per Area)僅為0.029歐姆
2012-01-09 09:34:122733 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor）推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），它們經過設計及優化，提供領先業界能效，優于市場現有器件。
2014-05-21 11:36:441331
意法半導體新款的MDmesh? MOSFET內置快速恢復二極管
提升高能效轉換器的功率密度
2017-09-21 16:31:256599 意法半導體意大利卡塔尼亞公司 功率晶體管產品部 高級應用工程師 Alfio Scuto 意法半導體意大利卡塔尼亞公司 功率晶體管產品部 高級應用工程師 摘要 – 近幾年來，開關電源市場對高能效
2018-01-09 17:35:042517 
整合意法半導體獨有的靈活的傳感器架構和高通的Qualcomm All-Ways Aware傳感器處理功能，專注移動設備性能提升，最大限度降低耗電量。 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體。
2018-02-14 09:32:001362 意法半導體的FDA2100LV汽車功率放大器采用全數字架構，包括數字輸入和性能強大的診斷處理器，有助于最大限度地降低噪聲，節省高達50%的材料成本，讓汽車音響主機和功放具有D類放大器的高能效優勢
2018-04-14 08:55:002259 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供貨商意法半導體（ STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ） 推出可視化的 Profi MEMS Tool 開發平臺，方便工程師 查看MEMS 傳感器的工作狀態，加快產品上市時間，并最大限度提高新產品設計的性能。
2018-05-23 17:11:001521 2018年6月22日——意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業電源的靈活性。
2018-07-04 11:32:595661 意法半導體發布的VIPer26K高壓功率轉換器集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼備寬壓輸入與設計簡單的優點。
2019-08-03 10:00:405778 在對大功率和高能效需求日益增長的5G通信時代，意法半導體推出STWLC68系列產品，為市場帶來業界領先的，擁有極高傳輸能效并安全可靠的無線充電解決方案。
2020-02-27 16:40:571027 意法半導體VIPer26K發布高壓功率轉換器，集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼備寬壓輸入與設計簡單的優點。
2020-03-18 15:24:513098 這兩款器件采用最小延遲快速導通設計和創新的自適應關斷技術，無需增加外部組件即可最大限度延長同步整流MOSFET管的導通時間，并最大程度降低電路中的寄生電感效應，從而使電路系統能效大幅改善，物料清單成本明顯降低。
2020-05-30 10:02:202766 意法半導體的ST1PS01降壓轉換器專門采用小尺寸和低靜態電流設計，能夠在負載的所有電流值下保持高能效，為始終工作的負載點電源和資產跟蹤器、可穿戴設備、智能傳感器、智能電表等物聯網設備節省電能和空間。
2020-07-06 09:18:22825 意法半導體（ST）推出了第二代SiC功率MosFET，具有單位面積極低的導通電阻（RDSon）和優良的開關性能，開關損耗在結溫范圍內幾乎沒有變化。 ST提供廣泛的第二代S MOSFET：額定擊穿電壓
2020-11-26 16:33:521805 
。 新的800V H系列可控硅適用于工業制造設備、個人護理產品、智能家居產品和智能建筑系統，利用意法半導體最新的SnubberlessTM高溫技術實現了出色的耐用性。低導通電壓（VTM）確保開關具有較高的工作能效，并最大程度地降低器件本身的自發熱量，具有很低的
2021-01-14 15:11:192624 意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優化的柵極驅動器和電路保護功能，可以簡化高達200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668 電子發燒友網站提供《最大限度地提高高壓轉換器的功率密度.doc》資料免費下載
2023-12-06 14:39:00
308 ，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。 意法半導體800V STPOWER MDmesh K6系列，為這種超級結晶體管技術樹立了高性能和易用性兼備的標桿。MDmesh K6 的RDS（on） x
2021-10-28 10:41:252244 意法半導體推出了一個新系列—— 氮化鎵（GaN） 功率半導體。該系列產品屬于意法半導體的STPOWER 產品組合，能夠顯著降低各種電子產品的能耗和尺寸。
2021-12-17 17:32:301432 意法半導體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產品性能和可靠性，保持慣有領先地位，更加適合電動汽車和高能效工業應用
2022-01-17 14:13:294628 電源，例如，充電器、PC機外部電源適配器、LED照明驅動器、電視機等家電。消費電子產品的全球產量很大，如果提高能效，可大幅減少二氧化碳排放。在功率更高的應用中，意法半導體的 PowerGaN器件也適用于電信電源、工業驅動電機、太陽能逆變器、電動汽車及其充電設施。
2022-01-17 14:22:543358 2022 年 4 月 7 日，中國——意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到
2022-04-07 13:53:308138 
意法半導體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務器、5G基礎設施、平板電視機的開關式電源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:472191 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關損耗，同時優化體寄生二極管特性，降低功率轉換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。
2022-06-24 16:40:431804 中國，2022年9月6日——意法半導體推出了IPS1025HF快速啟動高邊功率開關，目標應用是要求上電延遲時間極短的安全系統。
2022-09-07 11:29:492014 將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業利潤率12.6%; 凈利潤10.32億美元。 意法公司銷售收入在
2023-02-08 14:24:113002 意法半導體的高集成度、高能效ST-ONE系列USB供電(USB-PD)數字控制器新增一個支持雙充電口的ST-ONEMP芯片。
2023-03-02 09:35:211375 顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產品，第四代產品目前還沒有推出。溝槽型是發展方向，但意法半導體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:393149 2023年5月20日，中國——意法半導體高壓寬禁帶功率轉換芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振 (QR)反激式功率轉換器。
2023-05-20 16:59:50754 ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術配套使用。 MasterGaN技術包含意法半導體的集成柵極驅動器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導體GaN技術的開關頻率比傳統硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態設計規范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:361813 
意法半導體6軸慣性測量單元（IMU）ISM330BX集成邊緣AI處理器、傳感器擴展模擬集線器和Qvar電荷變化檢測器，并提供產品壽命保證，適用于設計高能效工業傳感器和動作跟蹤器。
2024-06-20 09:47:101129 意法半導體（簡稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術，標志著公司在高效能半導體領域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術，在能效、功率密度和穩健性方面均樹立了新的市場標桿，將為汽車和工業市場帶來革命性的改變。
2024-10-10 18:27:331619 意法半導體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對
2024-10-12 11:30:592195 意法半導體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術，標志著在高效能和高功率密度領域的又一重大進展。新一代MOSFET不僅在電動汽車中
2024-10-29 10:54:141282 
意法半導體的TS3121和TS3121A軌對軌、開漏、單通道比較器具有創新的故障安全架構和啟動時間保障，可以簡化短時間啟動過程，在低功率應用中最大限度地降低功耗。
2024-12-24 13:39:31966 最近，意法半導體（ST）正式推出STPOWER Studio 4.0，支持三種新的拓撲結構，分別為單相全橋、單相半橋以及三相三電平T型中點箝位（T-NPC），可覆蓋更豐富的應用場景。此前，該工具僅支持三相兩電平拓撲結構，主要應用于電機驅動器和光伏逆變器，這兩種也是最常見的使用場景。
2025-02-14 11:13:011027 
意法半導體的IPS4140HQ和IPS4140HQ-1是兩款功能豐富的四通道智能功率開關，采用8mmx6mm緊湊封裝，每通道RDS(on)導通電阻80mΩ（最大值），工作電源電壓10.5V-36V，還配備各種診斷保護功能。
2025-04-18 14:22:18943 采用TO-LL封裝的意法半導體SiC MOSFET將第3代STPOWER SiC技術的固有特性與TO-LL封裝出色的散熱和電流性能集于一身。這些設計元素共同實現了出色的開關性能、可靠性和熱管理功能，而附加的Kelvin源引線則可幫助設計人員進一步降低開關損耗。
2025-06-09 09:57:38859 意法半導體（ST）是英偉達800V機架內配電新倡議的核心合作伙伴。
2025-08-16 11:29:541190 STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術，利用了20年的超級結技術經驗。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面積導通電阻和柵極電荷。該器件非常適用于高功率密度和高效應用。
2025-10-23 15:08:58415 
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET，具有齊納保護功能和100%雪崩。該MOSFET還具
2025-10-27 14:24:41381 
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N溝道功率MOSFET是一款采用終極MDmesh K6技術設計的極高壓N溝道功率MOSFET。該技術
2025-10-28 11:44:44421 
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmGuard? K6功率MOSFET具有出色的R~DS(on)~ x 面積和低總柵極電荷（Q ~g~ ），可實現高
2025-10-30 11:39:20386 
高壓MOSFET作為功率半導體領域的核心器件，憑借高耐壓、低損耗、高速開關的核心優勢，已成為工業電源、新能源儲能、汽車電動化等場景實現高效能量轉換的“關鍵引擎”。意法半導體深耕高壓MOSFET技術研發，以全系列產品與創新方案，為多領域發展注入強勁動力。
2025-12-03 09:57:022199 
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