美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”,導通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:01
2900 的電流隔離是一個常見的要求,功率電平通常低于 100 W。由于直流鏈路電壓的變化,它還應該能夠在寬輸入電壓范圍內工作,通常從 300 V 到 1000 V。單開關反激式拓撲結構簡單,元件數量最少,成本低,是此類低功率 DC-DC 電源轉換的廣泛使用的拓撲結構之一。
2022-08-03 09:11:51
2292 
遠山半導體在連續推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題,他們采用特有的極化超級結
2025-01-14 09:42:28
1901 
在高耐壓范圍中,SiC MOSFET與Si-MOSFET相比,具有“開關損耗與導通損耗小”、“可支持大功率”、“耐溫度變化”等優勢。基于這些優勢,當SiC-MOSFET用于AC/DC轉換器和DC
2019-04-24 12:46:44
2725 基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關效率、減少溫升和縮小系統尺寸。
2020-03-19 07:40:00
1214 1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模塊器件等碳化硅產品陣容擴大了設計人員對效率和功率密度的選擇范圍
2021-07-28 14:47:03
1990 
PI看到了電動車的這個發展趨勢,因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ產品,該產品采用碳化硅(SiC)初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC,將耐壓值提高到了1700V。
2022-02-18 09:33:22
6763 PIN Schottky(MPS)結構設計,具有高浪涌電流保護能力,正向壓降、電容電荷和反向漏電流低,有助于提升開關電源設計能效和可靠性。 ? 日前發布的新一代SiC二極管包括4A至4
2023-05-24 17:09:59
1188 
中國上海, 2023 年 8 月 29 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出業界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3
2023-08-29 15:26:55
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?-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN?技術制造而成,是業界首款1700V氮化鎵開關IC。1700V額定耐壓進一步提升了氮化鎵功率器件的先進水平
2024-11-05 10:56:55
863 
鎵開關IC,這是業內首款高達1700V的氮化鎵開關IC。新品一出,PI再次成為在氮化鎵領域首家突破額定耐壓水平的電源管理芯片企業。 PI的功率變換開關持續迭代 早在2022年,PI就推出了1700V 碳化硅初級開關的汽車級高壓開關電源IC,彼時,該產品以高輸入電壓,高輸出
2024-11-18 08:57:00
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及汽車電子領域占據重要地位。其集成90m?低阻值高端MOSFET,配合峰值電流模式控制技術,可實現高達95%的轉換效率(實測5V輸出時309kHz工況)。
?二、關鍵技術亮點?
智能能效管理
2025-08-05 15:04:56
CRD-060DD12P,用于單端反激式轉換器設計的演示板,采用市售的1700V碳化硅(SiC)MOSFET,取代傳統的雙開關反激式轉換器,用于三相應用的高壓輸入輔助電源。演示板不是專為產品而設計的,僅用作評估Cree開關設備性能的工具
2019-04-30 07:42:31
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
電阻低,通道電阻高,因此具有驅動電壓即柵極-源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化(下降)逐漸減少,接近
2018-11-30 11:34:24
,而且在高溫條件下的工作也表現良好,可以說是具有極大優勢的開關元件。這張圖是各晶體管標準化的導通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出,理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高,可制作低導通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
面積小(可實現小型封裝),而且體二極管的恢復損耗非常小。 主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。 2. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
的導通電阻。不僅能夠以小封裝實現低導通電阻,而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產品,但是SiC卻能夠以很低的導通電阻輕松實現1700V以上的耐壓。因此,沒有必要再
2019-04-09 04:58:00
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外,除了
2018-11-27 16:38:39
`請問:圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西?芯片屏蔽罩嗎?為什么加這個東西?抗干擾或散熱嗎?這是個SiC MOSFET DC-DC電源,小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的穩健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統設計的影響。如圖1所示,與同類型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶體管以1200 V結型場效應晶體管(JFET)的形式出現。SemiSouth實驗室遵循JFET方法,因為當時雙極結晶體管(BJT)和MOSFET替代品具有被認為是不可克服的障礙。雖然
2023-02-27 13:48:12
產品系列包括以下SiC MOSFET:1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ,均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產,加上類似器件將采用TO247-4
2019-07-30 15:15:17
的導通電阻。不僅能夠以小封裝實現低導通電阻,而且能夠使門極電荷量Qg、結電容也變小。SJ-MOSFET只有900V的產品,但是SiC卻能夠以很低的導通電阻輕松實現1700V以上的耐壓。因此,沒有必要再
2019-05-07 06:21:55
B1M080120HC是一款碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低,開關損耗小的特點,可降低器件損耗,提升系統效率,更適合應用于高頻電路。降低器件損耗,提升系統 EMI 表現。在新能源汽車電機控制器
2021-11-10 09:10:42
Gross表示:“我們的極低雜散電感標準SP6LI封裝非常適合為用于高開關頻率、高電流和高效率應用的SiC MOSFET器件改善性能,通過提供更小尺寸的電源系統解決方案,幫助客戶大幅降低設備需求。我們
2018-10-23 16:22:24
,如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵,SiC和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
功率器件與拓撲優化
寬禁帶半導體器件應用
傳統硅基IGBT/MOSFET因開關損耗高,限制了系統效率。采用碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)器件可顯著降低損耗:
SiC MOSFET導通電阻低(僅為硅
2025-05-21 14:38:45
MOSFET相比,SiC MOSFET的功率轉換效率可提升高達5%采用準諧振方式,可實現更低EMI通過減少元器件數量,可實現顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩定供應,很適合工業設備應用產品陣容新增4款保護功能
2022-07-27 11:00:52
擊穿電壓仿真工具中實現,因此假定電荷為零。采用深P-區域可減少軸向壽命殺傷器(如氦氣或質子)的泄漏電流,并使器件在硬開關條件下具有魯棒性。圖 1:1700V 器件的平面結 VLD 端接的橫截面。圖 2
2023-02-27 09:32:57
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析,可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數,進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示,在研發功率
2019-07-04 06:22:42
1700V高耐壓,還是充分發揮SiC的特性使導通電阻大幅降低的MOSFET。此外,與SiC-MOSFET用的反激式轉換器控制IC組合,還可大幅改善效率。ROHM不僅開發最尖端的功率元器件,還促進充分發揮
2018-12-04 10:11:25
]Nch1700V3.7A35W1.15Ω(Typ.)14nC(Typ.)4A44W57W0.75Ω(Typ.)17nC(Typ.)☆:開發中SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點必看與SiC用AC/DC轉換器控制IC組合,效率顯著提高< 相關產品信息 >SiC-MOSFETSi-MOSFET
2018-12-05 10:01:25
電流和FRD的恢復電流引起的較大的開關損耗,通過改用SiC功率模塊可以明顯減少,因此具有以下效果:開關損耗的降低,可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化(例:散熱片的小型化,水冷/強制風冷的自然風冷化
2019-03-12 03:43:18
的門檻變得越來越低,價格也在逐步下降,應用領域也在慢慢扭轉被海外品牌一統天下的局面。據統計,目前國內多家龍頭企業已開始嘗試與內資品牌合作。而SiC-MOSFET, 當前國內品牌尚不具備競爭優勢。碳化硅
2019-09-17 09:05:05
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術,賦能客戶在三大核心維度實現飛躍性提升:效率躍升、空間減負、成本優化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
CRD-060DD17P-2,采用市售1700V碳化硅(SiC)MOSFET的單端反激式轉換器設計演示板。該設計采用1700V SiC MOSFET,采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝,占板面
2019-04-29 09:25:59
IGBT一樣易于驅動。事實上,其TO-247封裝可以替代許多這類器件,實現即時的性能提升。對于新的設計,還有一種低電感、熱增強型DFN8x8封裝,充分利用了SiC-FET的高頻性能。 SiC
2023-02-27 14:28:47
1700V?SiC MOSFET+AC/DC轉換器 評估板BD7682FJ-EVK-401為三相AC400~690V輸入 24V/1A輸出,搭載了ROHM適用于大功率工業設備的1700V高耐壓SiC
2020-02-20 11:50:40
使用的N-ch 1700V 3.7A的SiC-MOSFET:SCT2H12NZ(右)的導通電阻與VGS特性比較圖。從比較圖中可以看出,上述IC的柵極驅動電壓在每種MOSFET將要飽和前變為VGS。由于該比較不是
2018-11-27 16:54:24
可提供從650V到1700V不等的諸多產品,目前這類產品都是基于第三代碳化硅技術,并且都與未來能效相關的,能夠節省高達50%的損耗,提高開關頻率,降低使用成本。 圖4:ST氮化鎵產品戰略 另一方面,ST
2022-07-01 10:28:37
銀聯寶六級能效標準的電源芯片U6116是一款多模式控制的芯片,可用于大電流充電器、LED驅動電源、較大功率控制電源系統、電源適配器等。銀聯寶六級能效標準的電源芯片U6116內置快速動態響應控制,無異
2020-03-19 14:02:41
驅動1700V IGBT的幾種高性能IC 選型設計:通過對幾種常用的1700V IGBT 驅動專用集成電路進行詳細的分析,對M579 系列和CONCEPT 公司的2SD 系列進行深入的討論,給出了電氣特性參數和內部
2009-06-19 20:29:52
40 1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業級第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續在碳化硅 (SiC) 領域
2023-07-28 14:21:34
SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開關的特質,極大地提升了太陽能逆變器的電源轉換效率,拉長新能源汽車的可跑里程,應用在高頻轉換器上,為重型電機、工業設備帶來高效率、大功率、高頻率優勢
2015-06-25 16:16:40
1994 SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 09:29:31
2449 近日,中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室(四室)碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展,成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:00
2379 Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的產品更加豐富。
2018-09-26 11:32:17
4500 今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產品
2018-10-23 11:34:37
6278 支持電動和混合動力汽車、數據中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用 Littelfuse公司,今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:41
5483 了解如何使用安森美半導體NCP1611高能效增強型PFC控制器,提升一款100 W電源的輕載能效而不影響其滿載能效。安森美半導體應用專家回答您的高能效設計問題。
2019-03-28 06:28:00
3871 ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器,開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2019-04-24 13:06:52
3238 阻和緊湊的芯片,可確保低電容和柵極變化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系統的好處包括最高效率、更快工作頻率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系統尺寸。典型應用包括DC-DC轉換器、升壓逆變器、UPS、太陽能和電源。
2020-06-15 14:19:40
4976 金升陽緊跟功率半導體市場動向,推出QAxx3D-2GR3(下文稱:QA-R3系列驅動電源),可有效應用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上。
2021-05-07 11:49:58
1827 峰岹科技高能效電機驅動控制芯片技術,贏得合作伙伴的肯定,獲全球十大熱水器品牌萬和授予技術創新獎。核“芯”技術賦能新一代電器產品,峰岹科技攜手廠商共同助力實現高品質低碳生活。
2021-08-26 15:39:43
1262 
參考板"REF_62W_FLY_1700V_SiC"是為支持客戶采用SIC MOSFET設計輔助電源而開發的。該參考板旨在支持客戶為三相系統設計輔助電源,工作電壓范圍在200VDC至1000VDC
2021-09-07 14:11:03
3834 
在開關頻率、散熱、耐壓、功率密度方面優勢更為凸顯。 下文主要對國產SiC MOSFET進行介紹并與國外相近參數的主流產品相對比。 國產1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年開始專注于第三代半導體SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件,在基于
2021-09-16 11:05:37
5746 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:02
5818 Power Integrations今日發布兩款新器件,為InnoSwitch3-AQ產品系列新添兩款符合AEC-Q100標準、額定電壓1700V的IC。這些新器件是業界首款采用碳化硅(SiC)初級
2022-02-16 14:10:12
2674 (SiC)初級開關 MOSFET。這些新設備可產生高達 70 瓦的輸出功率,用于 600 和 800 伏電池和燃料電池電動乘用車,以及電動巴士、卡車和一系列工業電源應用。InnoSwitch3-AQ
2022-07-29 08:07:27
2204 
相比于硅基高壓器件,碳化硅開關器件擁有更小的導通電阻和開關損耗。電力電子系統需要輔助電源部分用來驅動功率器件,為控制系統及散熱系統等提供電源。額定電壓1700V的SiC MOSFET為高壓輔助電源提供了設計更簡單,成本更低的解決方案。
2022-08-01 14:18:58
4653 BM2SC12xFP2-LBZ是業內先進*的AC/DC轉換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅動而優化的控制電路內置于小型表貼封裝(TO263-7L)中。主要
2022-08-14 10:00:24
2094 
Infineon,最新1700V的SiC MOSFET產品。62W輔助電源參考設計
2022-08-28 11:17:06
9 高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設計人員現在有機會在提高性能的同時,應對所有其他挑戰。
2022-12-28 17:50:15
1154 
MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能。 安森美的1700 V EliteSiC MOSFET
2023-01-04 13:46:19
1213 新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎設施和工業驅動應用中實現可靠、高能效的工作 2023年1月4日?—?領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號
2023-01-05 13:16:58
1201 新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎設施和工業驅動應用中實現可靠、高能效的工作 來源:安森美 2023年1月4日— 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票
2023-01-05 20:20:49
988 重點必看內置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC:BM2SC12xFP2-LBZ-規格篇-使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉換器的設計更容易支持自動安裝的小型解決方案&...
2023-02-08 13:43:19
1305 
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應用開發而成的溝槽柵極結構SiC MOSFET,采用4引腳封裝。此次共推出6款機型(650V耐壓和1200V耐壓)。
2023-02-09 10:19:22
3467 
“BM2SCQ12xT-LBZ”是面向大功率通用逆變器、AC伺服、工業用空調及街燈等工業設備開發的內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉換器IC。
2023-02-09 10:19:23
1760 
ROHM面向以戶外發電系統和充放電測試儀等評估裝置為首的工業設備用電源的逆變器和轉換器,開發出實現行業領先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。
2023-02-09 10:19:24
1336 
ROHM一直專注于功率元器件的開發。最近推出并已投入量產的“SCT2H12NZ”,是實現1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現有650V與1200V的產品陣容中新增的更高耐壓版本。
2023-02-13 09:30:05
1223 
3.1 驅動電源SiC MOSFET開啟電壓比Si IGBT低,但只有驅動電壓達到18V~20V時才能完全開通; Si IGBT 和SiC MOSFET Vgs對比 Cree的產品手冊中單管
2023-02-27 14:41:09
10 前幾天,三一集團的SiC重卡打破了吉尼斯紀錄(.點這里.),很多人好奇這款車的1700V SiC MOSFET供應商是誰,今天答案正式揭曉!
2023-06-14 18:19:55
2104 ModelName:ASC5N1700MT3Package:TO-247-3LVoltage:1700VRon:1000mohmTemperatureRange:-40~150°CStatus
2022-03-04 10:51:05
1603 
安科瑞華楠前言推進工業能效提升,是產業提質升級、實現高質量發展的內在要求,是降低工業領域碳排放、實現碳達峰碳中和目標的重要途徑,是培育形成綠色低碳發展新動能、促使工業經濟增長的合理舉措。為深入
2022-09-08 10:55:56
987 
對于SiC功率MOSFET技術,報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術快速迭代,單芯片電流可達200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠性問題是提高技術成熟度關鍵。
2023-08-08 11:05:57
1674 芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等,對提升車輛電源系統整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。
2023-08-16 11:49:31
1230 
點擊“東芝半導體”,馬上加入我們哦! 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布, 推出業界首款 [1] 2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊—“ MG250YD2YMS3
2023-08-31 17:40:07
1150 
電源中,由于母線電壓和功率不同,一般會選用單管反激或雙管反激拓撲,無論那種拓撲都離不開核心的功率器件,即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:05
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11月27日,瞻芯電子開發的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規級可靠性認證(AEC-Q101), 導通電阻標稱1Ω,
2023-11-30 09:39:18
3074 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規與工規兩種
2024-04-17 13:37:49
873 
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規與工規兩種等級。
2024-04-17 14:02:49
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納芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列產品NPC060N120A,其RDSon值低至60mΩ,展現了出色的導電性能。這款產品提供了通孔式TO-247-4L和表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,滿足車規與工規不同等級的需求。
2024-05-06 15:20:52
1273 新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 器件采用?MPS?結構設計,額定電流?5 A ~ 40 A 低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低 Vishay?推出?16?款新型第三代?1200 V?碳化硅
2024-07-05 09:36:12
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肖特基(MPS)結構設計,具有高浪涌電流保護能力,低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低,有助于提升開關電源設計能效和可靠性。 日前發布的新一代SiC二極
2024-07-24 09:26:20
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近年來,1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當前使用IGBT的電力轉換器設計師的真正替代方案。到目前為止,大多數SiCMOSFET的設計成功主要發生在低功率到20kW范圍內
2024-08-19 11:31:25
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納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品,該產品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式,可提供車規與工規兩種等級。
2024-10-29 13:54:37
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深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出InnoMux-2系列單級、獨立調整多路輸出離線式電源IC的新成員。新器件采用公司專有的PowiGaN技術制造而成,是業界首款1700V氮化鎵開關IC。
2024-11-05 13:40:57
1066 近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉換應用設計。
2025-01-22 11:03:22
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近日,全球碳化硅(SiC)功率半導體領域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58
999 GB20943-2025標準的核心更新內容,基于GB20943-2025能效標準的國產SiC MOSFET技術優勢分析以及產生的功率半導體行業變革: GB20943-2025能效標準預計將聚焦于提升
2025-03-03 17:46:33
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隨著新能源、工業電源及電動汽車等領域的快速發展,輔助電源對高效率、高功率密度及高溫穩定性的需求日益迫切。傳統的硅基器件已逐漸難以滿足嚴苛的性能要求,而碳化硅(SiC)MOSFET憑借其優異的開關速度
2025-06-09 17:21:23
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隨著全球對能源效率與低碳技術的需求日益增長,商空熱泵(Commercial HVAC)作為大型建筑供暖、通風與空調系統的核心設備,亟需更高性能的功率器件以提升能效與可靠性。BASiC
2025-06-19 16:44:44
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兩款國產1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設計中廣受歡迎
2025-07-23 18:10:06
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SiC MOSFET模塊革命:傾佳電子力推國產SiC模塊開啟高效能新時代 34mm封裝BMF80R12RA3模塊——工業電源的能效突破者 ? ? 一、產品核心優勢(直擊客戶痛點) 極致能效,成本銳減
2025-07-29 09:57:57
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傾佳電力電子設備高壓輔助電源拓撲、器件選型與1700V SiC MOSFET技術分析報告 I. 緒論:高壓電力電子系統對輔助電源的嚴苛要求 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體
2025-10-14 15:06:06
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傾佳電子面向電力電子功率變換系統的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設計 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業電源
2025-11-03 11:26:47
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傾佳電子研究報告:B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應用與替代分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導體和新能源
2025-11-21 21:29:06
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